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[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310126397.8在审
发明人：杨丹丹;赵亮;曾依蕾 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：衬底；位线结构，设置于衬底表面，沿第一方向延伸，多条位线结构沿第二方向排布，第一方向垂直于第二方向；半导体柱，设置于位线结构表面且阵列排布；字线结构，设置于位线结构表面，且与位线结构绝缘，字线结构位于半导体柱之间，且沿第二方向延伸，多条字线结构与半导体柱沿第一方向间隔排布，在第一方向上相邻的两个半导体柱共用同一字线结构，且每一半导体柱由在第一方向上位于其两侧的两条字线结构共同控制。上述技术方案，在两列半导体柱之间设置一字线结构，减少隔离层的设置；使用两字线结构控制一列半导体柱，减小施加在字线结构上的电压。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种光学组件以及光刻系统-CN202020592980.X有效
发明人：李建新;曾依蕾;杨忠宪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光学组件、光刻系统以及光刻投影方法，通过在基底101上设置反射层102，在基底101背面和/或基底101与反射层102之间设置热电层103，能够通过热电层103将光学组件中的热能转换为电能，从而及时把热能从光学组件中传导出去，降低了光学组件的温度，避免了光学组件因受热变形，有效提高了光学组件的稳定性。
一种光学组件以及光刻系统

[发明专利]半导体器件及其接触垫版图、接触垫结构和掩模板组合-CN201910926986.8在审
发明人：童宇诚;曾依蕾;詹益旺 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其接触垫版图、接触垫结构和掩模板组合，通过在主接触垫图案所在的主版图区的一侧设置第一边缘版图区，且第一边缘版图区中每个所述第一边缘接触垫图案的面积大于每个所述主接触垫图案的面积，由此基于该接触垫版图而形成核心区的主接触垫和在核心区边界处或核心区与周边区之间的交界区的虚拟接触垫时，能使得虚拟接触垫的顶面面积大于主接触垫的顶面面积，进而在主接触垫和虚拟接触垫上上接电学结构时，能够增大虚拟接触垫上上接的电学结构的尺寸，以改善核心区与周边区之间的电路图案的密集/稀疏效应，并提高主接触垫上接的电学结构的一致性，同时还能避免核心区边界处的主接触垫上接的电学结构异常的问题。
半导体器件及其接触版图结构模板组合

[实用新型]极紫外光光罩基底及极紫外光光罩-CN201921367351.0有效
发明人：李建新;曾依蕾;杨忠宪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种极紫外光光罩基底及极紫外光光罩。该极紫外光光罩基底包括：基板，其包括热电材料；导热层，其形成于基板上；以及反射层，其形成于导热层上。本实用新型通过在极紫外光光罩基底设置基底、形成于基板上的导热层以及形成于导热层上的反射层，使包含该基底的极紫外光光罩在吸收极紫外光后，将累计的热能传导至反射层，反射层将热能传导至导热层，导热层将热能传导至基板，包含热电材料的基板将热能转化为电能，从而降低了热能在极紫外光光罩中的积累，在一定程度上解决了极紫外光光罩受热膨胀的问题，提高了采用极紫外光光刻技术的半导体制程的稳定性。
紫外光光基底

[发明专利]一种光学组件、光刻系统以及光刻投影方法-CN202010312423.2在审
发明人：李建新;曾依蕾;杨忠宪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学组件、光刻系统以及光刻投影方法，通过在基底101上设置反射层102，在基底101背面和/或基底101与反射层102之间设置热电层103，能够通过热电层103将光学组件中的热能转换为电能，从而及时把热能从光学组件中传导出去，降低了光学组件的温度，避免了光学组件因受热变形，有效提高了光学组件的稳定性。
一种光学组件光刻系统以及投影方法

[实用新型]半导体器件及其接触垫版图、接触垫结构和掩模板组合-CN201921636137.0有效
发明人：童宇诚;曾依蕾;詹益旺 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件及其接触垫版图、接触垫结构和掩模板组合，通过在主接触垫图案所在的主版图区的一侧设置第一边缘版图区，且第一边缘版图区中每个所述第一边缘接触垫图案的面积大于每个所述主接触垫图案的面积，由此基于该接触垫版图而形成核心区的主接触垫和在核心区边界处或核心区与周边区之间的交界区的虚拟接触垫时，能使得虚拟接触垫的顶面面积大于主接触垫的顶面面积，进而在主接触垫和虚拟接触垫上上接电学结构时，能够增大虚拟接触垫上上接的电学结构的尺寸，以改善核心区与周边区之间的电路图案的密集/稀疏效应，并提高主接触垫上接的电学结构的一致性，同时还能避免核心区边界处的主接触垫上接的电学结构异常的问题。
半导体器件及其接触版图结构模板组合

[实用新型]一种半导体对位结构及半导体基板-CN201921830816.1有效
发明人： 曾依蕾;曾翔;蔡洋洋;杨忠宪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体对位结构及半导体基板，包括：衬底结构；位于衬底结构的生长面上的至少一个对准标记，及围绕对准标记的围绕结构；对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角，进而通过单个对准标记即能够实现对准精度的调整，在保证对准精度较高的同时，能够减少对准标记的数量，降低半导体对位结构的占用面积，提高半导体基板的有效布线面积。对准标记具有上述特殊的截面图案，使得对准标记具有特殊形状的标记形貌，在半导体基板制程中便于对准标记的获取，提高了半导体基板的制作效率。
一种半导体对位结构

[发明专利]一种半导体对位结构及半导体基板-CN201911035307.4在审
发明人： 曾依蕾;曾翔;蔡洋洋;杨忠宪 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体对位结构及半导体基板，包括：衬底结构；位于衬底结构的生长面上的至少一个对准标记，及围绕对准标记的围绕结构；对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角，进而通过单个对准标记即能够实现对准精度的调整，在保证对准精度较高的同时，能够减少对准标记的数量，降低半导体对位结构的占用面积，提高半导体基板的有效布线面积。对准标记具有上述特殊的截面图案，使得对准标记具有特殊形状的标记形貌，在半导体基板制程中便于对准标记的获取，提高了半导体基板的制作效率。
对准标记半导体基板截面图案衬底结构对位结构坐标轴对位生长半导体平行对准标记形貌单个对准有效布线制程占用制作保证

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