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[发明专利]倒装LED芯片反射电极制备方法及其结构-CN201910709511.3在审
发明人：黄涛 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装LED芯片电极制备方法及其结构，其中，电极制备方法中包括：S1在生长衬底上依次生长n‑GaN层、量子阱层、p‑GaN层及金属层；S2对所述金属层进行蚀刻得到金属图形之后，进一步进行MESA蚀刻直到露出n‑GaN层得到第一结构；S3在第一结构表面制备隔离n‑GaN层和p‑GaN层的隔离层；S4在蚀刻露出的n‑GaN层表面蒸发或溅射Ti/Al结构或Cr/Al结构的N型欧姆接触层得到第二结构；S5在第二结构表面蒸发或溅射Al结构的N电极，完成电极的制备，制备方法简单的同时大大提高了反射电极的综合反射率。
蚀刻制备电极制备结构表面金属层溅射倒装LED芯片综合反射率表面蒸发反射电极金属图形量子阱层电极生长隔离层衬底蒸发隔离

[发明专利]一种垂直结构芯片制备方法-CN201910709632.8在审
发明人：黄涛 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构芯片制备方法，包括：S1在生长衬底依次生长GaN结构，包括N型GaN层、量子阱层及P型GaN层；S2对GaN结构的周边进行蚀刻直至露出PN结；S3在GaN结构和PN结表面覆盖钝化膜层；S4在钝化膜层表面蒸发邦定金属层，并通过该邦定金属层与支撑衬底邦定露出GaN结构；S5对GaN结构进行去边并制作出用于切割的沟槽，沿沟槽进行切割得到单颗LED芯片。在N面去边后PN结仍然被钝化膜层和邦定金属覆盖，埋藏在芯片内侧，大大降低了刀片切割正崩带来的漏电影响、激光切割能量传导带来的漏电影响及成品在高温高湿等恶劣环境中使用带来的漏电风险，提高了芯片及成品的可靠性。
漏电钝化膜层邦定金属层衬底去边切割芯片蚀刻垂直结构芯片单颗LED芯片表面蒸发刀片切割恶劣环境高温高湿激光切割量子阱层能量传导生长覆盖制备埋藏金属支撑

[发明专利]紫外LED的外延结构-CN201910731901.0在审
发明人：付羿;刘卫 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外LED的外延结构，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由In_aGa_1‑aN量子阱层和Al_bGa_1‑bN势垒层形成的周期性结构，周期为4～7；在该周期性结构中，由下到上In_aGa_1‑aN量子阱层的厚度逐层增加15％，0.01<a<0.05，最下层的In_aGa_1‑aN量子阱层的厚度为2～4nm；由下到上Al_bGa_1‑bN势垒层中的Al组分b逐层增加15％，最下层的Al_bGa_1‑bN势垒层中0.06<b<0.08，有效缓解了InGaN/AlGaN多量子阱结构的应力，减少晶格缺陷的产生，缓解结构中的量子限制stark效应。
量子阱层势垒层周期性结构发光层最下层源区多量子阱结构应力控制层衬底表面晶格缺陷量子限制外延结构有效缓解紫外LED 扩展层生长缓解

[发明专利]紫外LED外延结构-CN201910723657.3在审
发明人：付羿;刘卫 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外LED外延结构，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由In_aGa_1‑aN量子阱层和GaN/In_bAl_1‑bN超晶格势垒层形成的周期性结构，周期为5～8；GaN/In_bAl_1‑bN超晶格势垒层为In_bAl_1‑bN层和GaN层形成的周期性结构，周期为4～8，且0.01<a<0.05，0.16<b<0.18，有效解决现有紫外LED外延结构中出现的界面缺失、AlGaN势垒中存在的晶体缺陷等技术问题。
周期性结构外延结构紫外LED 超晶格发光层势垒层源区应力控制层衬底表面晶体缺陷量子阱层有效解决生长扩展层势垒

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201410693664.0有效
发明人：封波;熊文浚 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在支撑基板上依次形成粘结金属层，阻挡金属层，高熔点金属层，Sn金属层；在发光二极管外延片上依次形成粘结金属层，阻挡金属层，高熔点金属层，Sn金属层；设定键合温度，把所述支撑基板和所述发光二极管外延片通过所述Sn金属层键合在一起；去除所述发光二极管外延片上的衬底和缓冲层，形成电极并切割形成单颗发光二极管。该方法通过采用含有高熔点的晶圆键合金属结构来键合LED外延片和基板，提高了晶圆的良率，制造出具有较高可靠性的LED。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种白光LED芯片的制作方法-CN201410730322.1有效
发明人：李金玉;郭苑;章少华 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种白光LED芯片的制作方法，其特征在于包括如下步骤：通过衬底转移工艺制备垂直结构GaN LED晶圆片；在GaN LED晶圆片的切割道里填充白胶并烘烤固化；在晶圆片的LED芯片上形成一层荧光胶；沿切割道切割晶圆片，获得单颗四周围有白胶的白光LED芯片。与现有技术相比，本发明通过在晶圆级LED芯片四周涂布白胶，避免了白光LED的漏蓝光的现象，操作方法简单、成本低、工作效率高，封装形成的白光LED所发出的白光颜色均匀饱和，无黄色或蓝色光斑。
一种白光 led 芯片制作方法

[发明专利]一种制作荧光粉胶片电极孔的方法-CN201410599556.7有效
发明人：肖伟民;赵汉民;封波;孙钱;刘声龙 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种制作荧光粉胶片电极孔的方法，该方法包括：将荧光粉胶片真空吸附在一个可移动的平面装置上；将空心针头固定在一个可移动的支架上，所述空心针头的针头大小形状与所需电极孔的大小形状相一致；移动平面装置或支架实现对荧光粉胶片的冲切，形成电极孔。本发明通过使用带有空心的针头对荧光胶片进行冲切来形成电极孔，该种方法不仅操作简单，而且制作的电极孔的形状很规则，电极孔的边缘没有污染物，从而提高了荧光粉胶片质量和产品的良率。
一种制作荧光粉胶片电极方法

[发明专利]一种白光LED芯片的制备方法-CN201410800883.4有效
发明人：肖伟民;赵汉民;封波;黄波;刘声龙 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光LED芯片的制备方法，其特征在于包含如下制作步骤：（1）制备高反射白胶网框；（2）将白胶网框置于耐高温膜或UV膜上；（3）将LED芯片放入白胶网框中；（4）在上述LED芯片与白胶网框表层制作荧光粉层；（5）沿沟槽切割，扩膜得到四周围有高反射胶的单颗LED芯片。由本发明的技术方案制得的白光LED芯片不仅白光的颜色均匀，避免了漏蓝光的现象，而且具有导热性好，发光角度小等特点。
一种白光 led 芯片制备方法

[发明专利]一种具有补偿极化效应的量子阱结构-CN201310708760.3有效
发明人：陈振 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有补偿极化效应的量子阱结构，包括由GaN基半导体化合物构成的多量子阱有源层；两个位于所述有源层两侧具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量的势垒层；其特征在于所述有源层的导带能量逐渐减小，价带能量逐渐增加。该结构的量子阱在施加驱动电压时可以补偿由于极化场产生的载流子分布不均匀现象，从而提高了电子和空穴的复合率，提高发光强度。
一种具有补偿极化效应量子结构

[发明专利]一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法-CN201310730036.0有效
发明人：向君;余小明;陈振 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法，在外延生长GaN基LED外延片时在高温烘焙生长衬底时通入一段时间的TMGa源，然后继续高温烘焙生长衬底，在没有增加工艺复杂性的情况下对外延生长的衬底及环境进行了改善，使得整个LED外延层的晶体质量更高，亮度更高，电性良率更好，并且有效减少雾化现象，降低生产成本。
一种改善晶体质量 gan led 外延结构制备方法

[发明专利]一种对外延片进行快速退火合金的方法及设备-CN201210071424.8有效
发明人：熊传兵;江风益;方文卿;章少华;陈鹏 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种对外延片进行快速退火合金的方法及设备，涉及半导体外延片的退火合金工艺及其设备，用于解决现有技术存在的效率低、产品质量差的问题，本发明的技术方案。包括以下步骤使导热板与加热板处于分离状态，将外延片放置在导热板上；使加热板的温度达到预设的温度，使导热板和加热板发生相向运动，并相接触，进行热交换；当达到工艺所需的温度和时间后，使导热板与加热板分离，导热板降温；当外延片降到所需温度后，将其取下。本发明可以实现外延片的快速降温，提高效率，并提高外延片的质量。本发明的方法和设备适合于半导体外延片的退火、合金等工艺。
一种外延进行快速退火合金方法设备

[发明专利]对外延片进行退火合金的装置及方法-CN201210072122.2有效
发明人：熊传兵;江风益;方文卿;章少华;陈鹏 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种对外延片进行退火合金的装置及方法，涉及半导体外延片的退火合金技术，用于解决现有技术存在的效率低、退火合金后产品质量劣化的问题，本发明的技术方案为在所述导热板上包括供介质通过的通道，导热板上的通道包括介质的进口和出口；两端均设有阀门的介质加热装置与两端均设有阀门的介质冷却装置的两端并接，它们与介质泵串接连通，介质泵与导热板上的通道串接连通；当介质加热装置关闭与介质冷却装置之一开启，介质泵推动介质流动，形成介质闭路循环。本发明可以实现外延片的快速降温，提高效率，并提高外延片的质量。本发明的方法和设备适合于半导体外延片的退火、合金等工艺。
外延进行退火合金装置方法

[发明专利]一种倒装高压LED芯片及其制备方法-CN201511028363.7在审
发明人：彭翔;赵汉民;梁伏波;金力;汤松龄 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装高压LED芯片及其制备方法，在该LED芯片中包括蓝宝石衬底、InGaAlN多层结构、反射层、第一沟槽、保护金属层、第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽、M个芯片单元，M大于等于2、第一钝化层、P电极以及N电极，把相邻两个单元之间的N电极和P电极连接起来，第一个单元P电极独立，最后一个单元N电极独立；在整个芯片上再沉积形成第二钝化层，把第一个单元P电极上第二钝化层蚀刻一个区域出来沉积金属层形成P焊垫，把最后一个单元N电极上的第二钝化层蚀刻出一个区域沉积金属层形成N焊垫。其简化了封装工艺，提高芯片性能及可靠性，降低成本。
一种倒装高压 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种制造变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的方法-CN201110026135.1有效
发明人：熊传兵;赵汉民;江风益 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的方法，涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其通过改善电子分布使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明提出变形的铟镓铝氮基半导体发光器件包括支撑衬底，以及支撑衬底上的多层半导体结构，所述多层半导体结构呈弧形曲面。本发明提出方法包括在铟镓铝氮薄膜上制作紫外固化胶层；在紫外固化胶层上制作透紫外光支撑基板；用紫外光照射，使紫外固化胶固化，紫外固化胶固化收缩使铟镓铝氮薄膜呈现弯曲形状。增大了欧姆接触层与发光层的有效接触面积，使得发光效率得以提高。从而使器件的光电性能和可靠性得到提高。
变形铟镓铝氮基半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法-CN201110026143.6有效
发明人：熊传兵;赵汉民;江风益 -专利权人： 晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法，涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明方案包括：在生长衬底上外延铟镓铝氮薄膜；针对由于生长衬底与铟镓铝氮的热膨胀系数的差异而产生的应力，而进行至少两次将铟镓铝氮薄膜由当前衬底转移到另一个衬底上的衬底转移，该次衬底转移释放调节铟镓铝氮薄膜在生长过程中积存的应力。本发明主要用于半导体发光器件上。
缓解铟镓铝氮薄膜应力半导体器件制造方法

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