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[发明专利]一种适用于LLC谐振电路的低损耗同步整流控制方法及系统-CN202110360931.2有效
发明人：钱钦松;周远航;王廷营;杨静;刘琦;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;连云港杰瑞电子有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于LLC谐振电路的低损耗同步整流控制方法及系统，属于发电、变电或配电的技术领域。针对现有LLC自适应同步整流方案损耗大以及需要多次采样的缺陷，该方法在不同的检测窗口内检测相应的同步整流管的关断状态，通过比较采样电压自行进行控制模式的切换，在采样电压较大或者采样电压为负值时，在循环内进行操作，相应改变循环内的预设同步整流管关断点值，作为下一周期的整流管关断点，通过采样模块、检测窗口模块、模式检测模块及自适应控制模块组成的系统与受控的开关电源连接起来构成一个闭环实现。本发明的同步整流方案在采样电压稳定较小时，自适应控制成功，同步整流管恰好关断。
一种适用于 llc 谐振电路损耗同步整流控制方法系统

[发明专利]一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构-CN202210643717.2在审
发明人：张龙;马杰;刘培港;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构，包括衬底，在衬底上依次设铝氮成核层、铝氮镓缓冲层、氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层和氮化镓沟道层被隔离层分割；隔离层一侧设有P沟道器件，包括第一P型氮化镓层，在第一P型氮化镓层上依次设第一氮化镓隔离层和第一P+型氮化镓层，在第一P+型氮化镓层上设第一源、栅极和第一漏极，第一栅极陷入第一P+型氮化镓层，其间设有栅极介质层；在隔离层的另一侧设有N沟道器件，包括第二源极、第二P型氮化镓层和第二漏极，第二源、漏极分别位于第二P型氮化镓层的两侧，在第二P型氮化镓层上方依次设有第二氮化镓隔离层、第二P+型氮化镓层和第二栅极。
一种增强沟道 gan 器件集成结构

[发明专利]一种应用于恒定导通时间控制的多相交错电路-CN202210378386.4在审
发明人：徐申;聂静雨;刘玉洁;周驹;钱毅杰;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于恒定导通时间控制的多相交错电路，包括：功率级模块、电流和电压采样模块、电压Vramp信号产生模块、阈值分配模块和VTR信号产生模块。功率级模块一共有N相buck变换器；所述锯齿波电压Vramp信号产生模块为反向充电恒定导通时间控制的积分模块；所述阈值分配模块根据单相反向充电恒定导通时间计算出的电容充电的阈值电压VTH，产生N个阈值电压；所述VTR信号产生模块中，将电压Vramp信号产生模块产生的锯齿波电压Vramp与阈值分配模块产生的N个阈值电压分别进行比较。本发明不需要用到远高于开关频率的高速ADC，可以降低成本。
一种应用于恒定时间控制多相交错电路

[发明专利]应用于恒定导通时间COT控制器的锁频控制系统及方法-CN202210144249.4在审
发明人：徐申;李凌昀;崔浩然;王欣茹;于利民;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于恒定导通时间COT控制的锁频控制系统及方法，通过在不同的Vout和Vin下改变Ton，就可以实现不同功况下稳态的定频。主要应用但不局限于Buck变换器，应用范围包括所有恒定导通时间控制，例如CMCOT控制，IQCOT控制以及V2控制。本方法不需要增加额外的采样电路，通过数字控制器每个时钟周期迭代运算实现非定频控制算法的稳态定频，实现了输出电压AVP窗口值的精确设计，确保输出电压的精度。
应用于恒定时间 cot 控制器控制系统方法

[发明专利]一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN202210380955.9在审
发明人：刘斯扬;卢丽;郑贵强;余仲轩;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、P型源区(13)和沟槽多晶硅栅极(8)，所述沟槽多晶硅栅极(8)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极向下延伸至高压N型区(2)并且沟槽底部向N型漏区(4)方向延伸一定长度形成L型沟槽栅结构。本发明器件通过改变沟槽栅的电流路径，克服了传统结构中平面栅电流对沟槽栅电流的“挤压效应”。此外，延展至漂移区体内的沟槽栅上表面形成的电子积累层，进一步增加了电流密度。而且，由于延展至体内的沟槽栅极远离器件表面，未引入新的电场峰值，从而可实现同等击穿电压下更高的电流密度。
一种通电横向扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]一种异质结半导体器件热阻测量电路及方法-CN202210315142.1在审
发明人：李胜;陆伟豪;张弛;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电级电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电级电流变化率以进行热阻的计算。
一种异质结半导体器件测量电路方法

[发明专利]一种实现氮化镓CMOS逻辑电路的结构-CN202210361085.0在审
发明人：刘斯扬;刘培港;孙媛;张龙;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：一种实现氮化镓CMOS逻辑电路的结构，包括：实现P沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层，氮化镓沟道层上方设有第三铝镓氮势垒层、钝化层、金属源极、金属漏极，第三铝镓氮势垒层上方设有栅极介质层，栅极介质层上方设有栅极金属。实现N沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层、第二铝镓氮势垒层，第二铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层、钝化层、金属源极、金属漏极，P型氮化镓层上方设有栅极金属。本发明实现P沟道和N沟道氮化镓器件的增强型操作，减少散射对空穴迁移率影响，提高P沟道器件的输出电流。
一种实现氮化 cmos 逻辑电路结构

[发明专利]基于异质结的高功率密度隧穿半导体器件及其制造工艺-CN202210349844.1在审
发明人：魏家行;付浩;王恒德;隗兆祥;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种基于异质结的高功率密度隧穿半导体器件及其制造工艺，器件元胞结构包括：N+衬底，其下设有漏极金属，其上设有N‑漂移区；在N‑漂移区内对称设有一对沟槽，槽底设有P+区，在槽内设有石墨烯源区，石墨烯源区上设有源极金属，N‑漂移区上设有与石墨烯源区部分交叠的栅介质层，栅介质层上设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有钝化层，石墨烯源区与N‑漂移区形成异质结。本发明器件结构对注入工艺要求低，元胞尺寸小，单位面积元胞数量多，大幅提升了器件的功率密度，有效降低器件的比导通电阻、亚阈值摆幅，简化了制造工艺，降低了器件成本。器件反偏耐压时，P+区使电场峰值从异质结边界处转移到PN结边界处，提高了器件雪崩能力，增大了击穿电压。
基于异质结功率密度半导体器件及其制造工艺

[发明专利]一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN202110389306.0有效
发明人：孙伟锋;卢丽;殷智博;桑远昌;刘斯扬;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、第一P型源区(13A)、第一P型源区(13B)和沟槽多晶硅栅极(8C)，所述沟槽多晶硅栅极(8C)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极(8C)的槽底延伸至高压N型区(2)，在N型源区(12)、第一P型源区(13A)和第二P型源区(13B)上分别设有第一源极金属接触(9A)、第二源极金属接触(9B)。本发明结构与传统LDMOS器件相比，可以实现在相同击穿电压下，更低的特征导通电阻。
一种具有交错结构横向扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201911065246.6有效
发明人：张龙;马杰;顾炎;张森;祝靖;龚金丽;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]有源钳位反激变换器的控制系统及方法-CN201910119043.4有效
发明人：钱钦松;许胜有;周伍清;吴志斌;苏巍;肖金玉;刘琦;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，所述方法包括：对变压器副边侧的输出电压、整流二极管的电流、励磁电感的电流进行采样；根据整流二极管的电流采样结果，得到整流二极管的峰值电流相对于前一时刻的变化量，作为峰值电流差值；通过误差补偿器将采样得到的输出电压与参考电压比较并进行误差补偿，得到补偿电流；将峰值电流差值和补偿电流叠加后输入比较器的第一输入端，励磁电感的电流输入比较器的第二输入端；驱动模块根据比较器的输出对主开关管和钳位开关管进行开关控制。本发明能够加快有源钳位反激变换器的负载调整速度。
有源钳位反激变控制系统方法

[发明专利]一种原边调节有源钳位反激变换器的控制系统及方法-CN201910122147.0有效
发明人：孙伟锋;许胜有;余军;苏婷;苏巍;肖金玉;刘琦;钱钦松;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种原边调节有源钳位反激变换器的控制系统及方法，所述方法包括：对所述辅助绕组的电压、所述谐振电感的电流、所述励磁电感的电流进行采样；根据所述谐振电感的电流采样结果，得到所述谐振电感的峰值电流相对于前一时刻的变化量，作为峰值电流差值；通过误差补偿器将采样得到的辅助绕组的电压与参考电压比较并进行误差补偿，得到补偿电流；将所述峰值电流差值和补偿电流叠加后输入比较器的第一输入端，所述采样得到的励磁电感的电流输入所述比较器的第二输入端；驱动模块根据所述比较器的输出对所述主开关管和钳位开关管进行开关控制。本发明能够加快有源钳位反激变换器的负载调整速度。
一种调节有源钳位反激变控制系统方法

[发明专利]一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法-CN201910366654.9有效
发明人：魏家行;付浩;赵航波;刘斯扬;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法。其元胞结构包括，N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽侧壁设有石墨烯层，沟槽内部设有栅氧化层和多晶硅栅，多晶硅栅上方设有钝化层，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P型体接触区，石墨烯层下方设有P型屏蔽层，源区上表面设有源极金属，衬底下表面设有漏极金属。本发明使用电子束法，以金属和碳源气体辅助，在沟槽侧壁生长石墨烯层。本发明特征在于，沟槽侧壁的石墨烯层，降低了导通电阻。石墨烯层下方的屏蔽层，屏蔽了在器件关断状态时流过石墨烯层的电流，提升器件关断特性。使用了金属镍和碳源气体辅助生长石墨烯层，提高了石墨烯层的均匀性、厚度和生长速率。
一种通电沟槽碳化硅功率器件及其制造方法

[发明专利]一种具有前沿自适应调节的PWM驱动电路-CN202210225218.1在审
发明人：李泳佳;曲维越;李旭涛;徐申;钱钦松;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有前沿自适应调节的PWM驱动电路，包括驱动电路，功率级和PWM信号发生器，变压器驱动LLC桥式拓扑的大功率晶体管，结构在保证PWM信号后沿位置不变的情况下，通过对驱动电路关键节点电压信号进行采样，并采用延时补偿电路消除环路延时带来的误差来自适应调节PWM信号有效前沿位置，从而实现了死区时间自适应可调的定频PWM控制。
一种具有前沿自适应调节 pwm 驱动电路

[发明专利]一种自适应同步整流控制电路以及控制方法-CN202210199564.7在审
发明人：李泳佳;陈明刚;李辉;施嘉伟;徐申;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应同步整流控制电路以及控制方法，包括：快速开启模块，自适应关断模块，振荡屏蔽模块和驱动模块。快速开启模块的输入为同步整流功率管S1的漏源电压VDS，输出为开启控制信号SET_PRE；自适应关断模块的输入为同步整流功率管S1的漏源电压VDS，输出为关断控制信号RST_PRE；振荡屏蔽模块的输入是最小导通时间控制信号和最小关断时间控制信号，输入信号还有开启控制信号SET_PRE和关断控制信号RST_PRE，输出是无驱动能力的同步整流功率管S1控制信号Q；驱动模块的输入是无驱动能力的同步整流功率管S1控制信号Q，输出是有驱动能力的同步整流功率管S1控制信号VGS。
一种自适应同步整流控制电路以及控制方法