“施达创”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果36个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种组合式阻尼器-CN201710281941.0有效
发明人：苏振欣;陈云;麦锡全;施达创;陈新;高健;贺云波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： F16F9/14 文献下载
摘要：本发明公开一种组合式阻尼器，包括直线阻尼部件、旋转阻尼部件和连接部件；所述直线阻尼部件的输入端与振动源相连，以使所述直线阻尼部件吸收振动能量做直线位移运动；所述直线阻尼部件的输出端通过所述连接部件与所述旋转阻尼部件连接，所述直线阻尼部件的直线位移转化为所述旋转阻尼部件周向旋转运动，以使所述旋转阻尼部件吸收所述振动源的振动能量，且所述旋转阻尼力部件内部设有可调节机构，以调整组合的转化比例实现阻尼力可控。在应用本发明所提供的组合式阻尼器时，提高了阻尼力的调整范围和阻尼器的适用性，满足了阻尼器在不同的剪切速度和阻尼力环境下的使用要求，增强了阻尼力的可调整性。
一种组合式阻尼

[发明专利]一种喷射点胶装置及工艺-CN201610946609.7有效
发明人：苏振欣;陈云;施达创;麦锡全;陈桪;张昱;高健 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种喷射点胶装置及工艺，通过低压发生装置和低压工作箱将喷射点胶的环境压力控制为预先实验出的最适的工作环境压力值，有效地抑制高速、微量的喷射胶液液滴与工件安装基板壁面之间、液滴与液滴之间碰撞时引起的变形和飞溅的程度，有效的提高了喷射点胶的质量和一致性，解决了现有技术所需的仪器精密度高，对胶液的喷射体积控制难度大，制造工艺要求高，技术操作复杂，导致喷射效率大幅度降低的技术问题。
一种喷射装置工艺

[发明专利]一种金属辅助光化学刻蚀碳化硅纳米孔阵列的加工方法-CN202111130234.4在审
发明人：陈云;李梓健;董善坤;施达创;陈新;侯茂祥;高健;陈桪 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅刻蚀加工领域，尤其涉及一种金属辅助光化学刻蚀碳化硅纳米孔阵列的加工方法，本发明通过在碳化硅晶圆片底面镀上贵金属层作为催化层和在碳化硅晶圆片的顶面沉积一层不与刻蚀剂反应的金属掩模，以实现高效的金属辅助光化学刻蚀，并且通过自组装不同直径的聚苯乙烯纳米微球来控制碳化硅纳米孔间距，通过控制等离子体刻蚀聚苯乙烯纳米微球的时间来控制碳化硅纳米孔孔径，通过控制金属辅助光化学刻蚀时间来控制孔深，以实现可控地制备碳化硅纳米孔阵列，解决了现有金属辅助光化学刻蚀的刻蚀速率缓慢的问题，和解决目前没有利用的金属辅助光化学刻蚀碳化硅纳米孔阵列的问题。
一种金属辅助光化学刻蚀碳化硅纳米阵列加工方法

[发明专利]一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法及装置-CN202011415540.8有效
发明人：陈云;董善坤;丁树权;施达创;侯茂祥;陈新;高健 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，包括如下步骤：步骤一，清洗受体基底和供体基底；步骤二，在所述供体基底表面旋涂一层聚二甲基硅氧烷层；步骤三，在聚二甲基硅氧烷层上旋涂金属纳米粒子溶液；步骤四，在激光束关闭的情况下，将目标金属纳米粒子移动到激光焦点下方，将受体基底目标沉积位置移动到激光束焦点上方；步骤五，通过聚焦激光束照射金属纳米粒子。本方法能够将单个纳米级金属颗粒转移到硅衬底上，并且具有较高的定位精度。
一种金属辅助化学刻蚀离散纳米图案方法装置

[发明专利]一种T型悬臂梁微结构及其加工方法和应用-CN202010844382.1在审
发明人：姚瑶;陈云;侯茂祥;陈燕辉;施达创;陈新;高健 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，公开一种T型悬臂梁微结构及其加工方法和应用。该方法是在清洗的硅基表面上采用800～850℃低压化学气相沉积法生长SiN4，然后旋涂光刻胶，将掩模板覆盖在光刻胶上，在紫外光下对SiN4层表面的光刻胶进行曝光显影得到图案；通过光刻在该氮化硅基底上，加工各种图案，出现基底的显影区域，然后在CHF3/O2条件下，等离子体干法刻蚀该显影区域；利用电子束在处理的氮化硅表面上蒸镀贵金属膜，然后将镀金的氮化硅基底浸入刻蚀液中进行各向同性刻蚀，得到上宽下窄的微结构，清洗其表面，制得微型T型悬臂梁结构。该结构具有超疏水超疏油性，可应用在水栖设备、防水防油、微流体技术或生物医疗等领域。
一种悬臂梁微结构及其加工方法应用

[发明专利]一种基于马兰哥尼对流操控的纳米孔阵列及其可控加工方法和应用-CN202010845505.3在审
发明人：姚瑶;陈云;侯茂祥;陈燕辉;施达创;陈新;高健 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，公开一种基于马兰哥尼对流操控的纳米孔阵列及其可控加工方法和应用。该方法是在清洗的硅基底上光刻加工所需间距和孔径的纳米孔阵列掩膜板，将悬浮混合液滴在有掩膜板的硅基底上，然后将盖好载玻片的硅基底放在预热板上，调节50～80℃加热，产生马兰哥尼界面对流，贵金属颗粒被驱动流向掩膜板区域，通过CCD观察镜观察到掩膜板阵列区域被贵金属粒子填满为止；将硅基底取出后取下载玻片，去除表面掩膜后冲洗，得到硅片表面规整的贵金属纳米颗粒阵列；然后再滴入刻蚀液，清洗除去刻蚀液与贵金属纳米颗粒，得到纳米孔阵列。该方法克服了目前纳米孔阵列刻蚀技术所需的工艺试验工作量大，孔位难以调整等缺点。
一种基于马兰对流操控纳米阵列及其可控加工方法应用

[发明专利]一种Micro-LED巨量转移方法及转移装置-CN202010302164.5有效
发明人：陈新;陈云;施达创;崔成强;侯茂祥;汤晖;高健;刘强;贺云波;陈新度;杨志军 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED巨量转移方法及转移装置，包括下述步骤：转移准备：透光基板放置在目标衬底的上方；选择对齐：对齐透光基板的待释放晶片的位置与目标衬底的待接收晶片的位置；光照释放：启动光源，光源发出光束，光束输入空间光调制器，控制器输出信号至空间光调制器，空间光调制器生成实时数字掩膜，空间光调制器将接收的光束转变成光斑阵列并输出至透光基板，光斑阵列作用在光敏粘结层使其降低粘附作用，待释放晶片落至目标衬底的对应位置；持续释放；本发明旨在提供一种Micro‑LED巨量转移方法及转移装置，实现透光基板的晶片的有效释放，避免常规激光加热剥离方法对晶片或透光基板产生不利的热影响。
一种 micro led 巨量转移方法装置

[发明专利]一种基于光学操控的纳米孔阵列的可控加工方法及装置-CN202010192100.4有效
发明人：陈云;陈燕辉;丁树权;施达创;陈新;高健;刘强 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光学操控的纳米孔阵列的可控加工方法及装置，其方法包括以下步骤：步骤(1)，在清洗好的硅片的上表面旋涂一层十六烷基三甲基氯化铵层；步骤(2)，在完成步骤(1)的硅片的上表面自组装一层金纳米颗粒，步骤(3)，通过多光束振镜分散出阵列激光束，步骤(4)，通过单束激光束对各个金纳米颗粒进行光学操纵以使各个金纳米颗粒移动至对应的目标位置上。克服金纳米颗粒自组装时范德华力的限制，在指定位置准确地加工出定制化的金纳米颗粒阵列，并且通过金属辅助化学刻蚀高效地加工出高质量的硅纳米孔阵列，克服现有纳米孔阵列的刻蚀技术的所需工艺实验工作量大、孔位调整难度大等缺点，具有广阔的应用前景。
一种基于光学操控纳米阵列可控加工方法装置

[发明专利]一种在水下实现连续传输气泡的仿生结构及其加工方法-CN201911039516.6有效
发明人：陈云;施达创;姚瑶;侯茂祥;陈新;高健;刘强;张揽宇;张凯;贺云波;张胜辉;汪正平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在水下实现连续传输气泡的仿生结构及其加工方法，包括至少两个锥形柱；所述锥形柱首尾依次相连并同轴排列形成条状的锥形刺；所述锥形刺的表面设有纳米柱阵列，所述纳米柱的表面镀有第一贵金属层，所述第一贵金属层的表面附着有疏水层。水基团附着在纳米柱阵列上形成疏水层，由于毛细作用，液体不能进入纳米柱阵列的间隙中，因此形成了空气薄膜，这造成了锥形刺的表面的具有疏水亲气的特性，这一特性使水下气泡粘附在锥形刺的表面上，并在拉普拉斯力的作用下，从单节锥形柱的直径小端向直径大端移动，并跨过两节锥形之间的连接处，实现自发定向长距离连续传输气泡。
一种水下实现连续传输气泡仿生结构及其加工方法

[发明专利]一种改善孔锥度的激光打孔装置及方法-CN201610350992.X有效
发明人：陈云;陈新;施达创;高健;高波;张昱;贺云波;杨志军 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： B23K26/382 文献下载
摘要：一种改善孔锥度的激光打孔装置，包括激光发生器；还包括反射装置和反射调节机构，所述激光发生器相对固定地设置在工件的一侧，所述反射装置和反射调节机构设置在所述工件的另一侧；所述激光发生器在所述工件上加工出带有锥度的通孔后，其激光束穿过所述通孔后落到所述反射装置的反射平面上，经所述反射平面反射后落到所述通孔的孔周和内壁；所述反射调节机构带着所述反射装置运动，使得被反射的激光束落到所述通孔的孔周和内壁上不同位置，以将所述通孔内的锥度逐步消除。仅仅采用同一激光发生器对目标工件进行加工和改善维度，避免引入磁场、流场等其他能场导致装置复杂、成本过高、控制困难的缺点，简化安装和使用。
一种改善锥度激光打孔装置方法

[发明专利]一种蘑菇状超疏水-超疏油PDMS微纳复合阵列及其制备方法和应用-CN201911165378.6在审
发明人：姚瑶;侯茂祥;陈云;施达创;陈燕辉;陈新;高健 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，公开了一种蘑菇状超疏水‑超疏油PDMS微纳复合阵列及其制备方法和应用。该PDMS微纳复合阵列是先利用化学气相沉积法在预处理的硅片表面生长氮化硅层；在氮化硅层的表面旋涂光刻胶，用所掩模板覆盖在光刻胶上，对光刻胶进行曝光，显影，对显影区域进行刻蚀；刻蚀去除未被光刻胶覆盖的部分氮化硅层；再刻蚀去除贵金属催化剂，在该硅片表面涂覆PDMS层，在150～180℃固化，再用碱溶液溶解硅片，得到蘑菇状PDMS微结构阵列，对其表面氟化处理制得。该阵列具有超疏水‑超疏性，其接触角为150～160°，滚动角为5～10°，可应用在催化、防水防油或生物医疗领域中。
一种蘑菇疏水超疏油 pdms 复合阵列及其制备方法应用

[发明专利]一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置-CN201911206961.7在审
发明人：陈云;姚瑶;丁树权;龙俊宇;侯茂祥;施达创;陈新;高健;刘强;张揽宇;贺云波;张胜辉;汪正平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法，包括如下步骤：步骤一，检测出芯片的缺陷位置及填充材料的种类与性能参数；步骤二，将所述芯片放置在二维运动平台上，对所述芯片进行定位，标定出芯片上的原点，设定二维运动平台的速度与位移参数；步骤三，根据所述填充材料的性能参数设置两束激光的参数；调节两束激光三维入射角度与Z轴的焦距，使得两束激光的聚焦点照射所述芯片的断路处的任一端，将该端的填充材料改性为石墨烯；步骤四，所述二维运动平台带动所述芯片移动，使两束所述激光的聚焦点移动到所述断路处的另一端，并使移动轨迹连通所述芯片的断路处的两端。本发明能更加方便焊接电路内部的断路。
一种芯片内部电路断路缺陷修复方法装置

[实用新型]一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置-CN201921397063.X有效
发明人： 施达创;陈云;姚瑶;陈新;高健;刘强;贺云波;汪正平;赵铌 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置，包括基座、六自由度平台、反应隔离腔、搅拌器和刻蚀液容器；所述六自由度平台设置在所述基座的底部，所述反应隔离腔设置在所述基座的顶部；所述刻蚀液容器设置在所述反应隔离腔内，所述搅拌器从所述反应隔离腔的顶部伸入到所述刻蚀液容器内；所述刻蚀液容器的底部开口，所述刻蚀液容器的底部开口处固定待加工样品；所述六自由度平台搭载光源，所述基座和反应隔离腔的底部均设有光路通孔，所述反应隔离腔的光路通孔内设有光学滤镜。六自由度平可驱动照射光源实现周期性摆动和转动，以均匀的干涉条纹在待加工样品背面补偿照射，从而引导待加工样品刻蚀形成几何尺寸高度可控的微纳结构。
隔离腔刻蚀液容器六自由度平台底部开口光路通孔搅拌器刻蚀照射加工本实用新型周期性摆动干涉条纹光学滤镜六自由度微纳结构照射光源干涉光可控的伸入光源转动背面驱动

[发明专利]一种基于激光定点加工制备大尺寸石墨烯的方法-CN201911229220.0在审
发明人：陈云;姚瑶;丁树权;龙俊宇;侯茂祥;施达创;陈新;高健;刘强;张揽宇;贺云波;张胜辉;汪正平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于激光定点加工制备大尺寸石墨烯的方法，包括如下步骤：步骤一，在基片上均匀涂布一层熔融态的含碳聚合物；步骤二，将若干石墨烯块随机放置在所述含碳聚合物上；步骤三，使用激光光源扫描整个所述含碳聚合物覆盖的区域，直至每块所述石墨烯块与周围的所述含碳聚合物形成连接关系，形成完整的石墨烯。本发明在常温常压的大气环境下就能实现从碎块化的石墨烯到石墨烯的转变，简化了工艺流程，并且可控性好，仅需要调控激光的参数和石墨烯块的布设方式，使得该技术成本更低，难度更小。另外通过布置若干石墨烯块，能够提高石墨烯块和含碳聚合物之间连接的可控性。
石墨烯含碳聚合物可控性激光碎块大尺寸石墨常温常压大气环境激光光源技术成本均匀涂布连接关系工艺流程熔融态布设制备扫描调控覆盖加工

[发明专利]一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置和方法-CN201910792511.4在审
发明人：陈云;施达创;姚瑶;陈新;高健;刘强;贺云波;汪正平;赵铌 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置，包括基座、六自由度平台、反应隔离腔、搅拌器和刻蚀液容器；所述六自由度平台设置在所述基座的底部，所述反应隔离腔设置在所述基座的顶部；所述刻蚀液容器设置在所述反应隔离腔内，所述搅拌器从所述反应隔离腔的顶部伸入到所述刻蚀液容器内；所述刻蚀液容器的底部开口，所述刻蚀液容器的底部开口处固定待加工样品；所述六自由度平台搭载光源，所述基座和反应隔离腔的底部均设有光路通孔，所述反应隔离腔的光路通孔内设有光学滤镜。六自由度平可驱动照射光源实现周期性摆动和转动，以均匀的干涉条纹在待加工样品背面补偿照射，从而引导待加工样品刻蚀形成几何尺寸高度可控的微纳结构。
隔离腔刻蚀液容器六自由度平台刻蚀照射底部开口光路通孔干涉光搅拌器加工周期性摆动干涉条纹光学滤镜六自由度微纳结构照射光源可控的伸入光源转动背面驱动

1
2
3
下一页»
尾页
共 36 条