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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构-CN201811042392.2有效
发明人：颜士贵;刘立伟;戎乐天;施泓林;朱玄通;李明哲;刘冠毅;邢怀锦 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构，该闪存存储器包含一基底包含一主动区域和两个电荷存储结构分别位于主动区域的两侧，其中各个电荷存储结构内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一埋入式栅极埋入于主动区域，其中埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料，两个源极/漏极掺杂区分别位于埋入式栅极的两侧的主动区域内。
动态随机存取存储器闪存存储器制作方法及其结构

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810189345.4有效
发明人：徐伟伦;施泓林;黄哲弘;徐秉诚;王序扬 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法包括，其主要先形成一半导体层于基底上，然后去除部分半导体层以及部分基底以形成一凹槽，接着形成一衬垫层于凹槽内，去除部分衬垫层以形成一间隙壁于凹槽两侧，再形成一位线结构于凹槽内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]非易失性存储单元及非易失性存储器的布局-CN200910179167.8有效
发明人： 施泓林;陈智彬;殷珮菁;蔡慧芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储单元及非易失性存储器的布局。在非易失性存储单元中，半导体基底中配置有隔离结构，以区隔出晶体管区与电容器区，且电容器区内配置有第一型掺杂阱。导体跨置于隔离结构、晶体管区与第一型掺杂阱上方。导体包括位于第一型掺杂阱上方的电容部，以及位于晶体管区上方的晶体管部。导体具有彼此相对的第一侧缘与第二侧缘，且第一侧缘位于晶体管区一侧的隔离结构上方，第二侧缘位于第一型掺杂阱上方。另外，两个第一离子掺杂区分别设置于晶体管部两侧的晶体管区中，其与晶体管部构成晶体管。第二离子掺杂区设置于导体遮蔽外的电容器区中，其与电容部构成电容器。根据本发明，可降低漏电流。
非易失性存储单元非易失性存储器布局

[发明专利]可增进照光效能的内嵌式光抹除存储器及其制造方法-CN200710108741.1有效
发明人： 施泓林;蔡文静;黄裕华 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种可增进照光效能的内嵌式光抹除存储器，包括基底、存储器元件、多层介电层、多层顶盖层及至少三层金属层。基底包括存储器区与核心电路区。存储器元件包括选择栅极与浮置栅极，选择栅极与浮置栅极相邻配置于存储器区中的基底上。介电层配置于基底上且覆盖存储器元件，介电层中具有第一开口，且第一开口位于浮置栅极上方。各顶盖层分别配置于各介电层上。金属层配置于核心电路区中的介电层中。
增进效能内嵌式光抹存储器及其制造方法

[发明专利]硅锗外延层的制造方法-CN200610132096.2无效
发明人：江日舜;施泓林;唐力原;蒋天福;范铭棋;廖晋毅;简金城 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出一种硅锗外延层的制造方法。此方法包括：先于第一条件下进行第一选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的1％～20％。然后，于第二条件下进行一第二选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的99％～80％。其中，第一条件与第二条件包括温度条件或压力条件，且第一选择性外延成长工艺与第二选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。
外延制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法与改善方法-CN200610108174.5无效
发明人： 施泓林;江日舜;孟宪樑 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明有关一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件，其中，一半导体基底包括一有源区与一隔离区，有源区与栅极结构之间具有一选择性外延层，并且外延层的一周边部分是覆盖在隔离区的一周边部分的上方。如此，可增加沟道宽度，而增进漏极电流。
金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法改善

[实用新型]金属氧化物半导体晶体管元件-CN200620121379.2无效
发明人： 施泓林;江日舜;孟宪樑 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本实用新型有关一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件，其中，一半导体基底包括一有源区与一隔离区，有源区与栅极结构之间具有一选择性外延层，并且外延层的一周边部分是覆盖在隔离区的一周边部分的上方。如此，可增加沟道宽度，而增进漏极电流。
金属氧化物半导体晶体管元件

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管元件-CN200510118120.2无效
发明人：林焕顺;蔡振华;萧维沧;孟宪樑;施泓林 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体晶体管元件，包括一衬底、一栅极结构、一间隙壁、一源极/漏极区以及一阻障层。栅极结构配置于衬底上。栅极结构包括一栅极以及配置于栅极与衬底之间的一层栅介电层。间隙壁配置于栅极结构的侧壁上。源极/漏极区配置于间隙壁二侧的衬底中。阻障层环绕源极/漏极区周围，其中源极/漏极区与阻障层的材质相同，且源极/漏极区的掺杂浓度大于阻障层的掺杂浓度。
金属氧化物半导体晶体管元件

[发明专利]半导体元件-CN200510113378.3无效
发明人：林焕顺;施泓林;王湘莹;江日舜;范铭棋 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-11 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体元件，此半导体元件包括衬底、栅极结构、间隙壁、硅化锗(Si_xGe_y)层以及硅化锗保护层。其中，栅极结构配置于衬底上，间隙壁配置于栅极结构侧壁。硅化锗层配置于间隙壁两侧的衬底中，且延伸至部分间隙壁下方，其中硅化锗层的顶部高于衬底的表面。另外，硅化锗保护层配置于硅化锗层上，且硅化锗保护层包括Si_x1Ge_y1，而0≤y1＜y。
半导体元件

[发明专利]薄膜沉积与平坦化工艺-CN01119771.4无效
发明人： 施泓林;阮仲杰;陈孚铨;陈安洲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-05-22 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明有关一种薄膜沉积法，可应用于一集成电路工艺中，以改善所沉积薄膜的平坦程度。所述薄膜沉积法的步骤包括：提供一已具有组件构造而使地势高低起伏的基板，于所述基板上形成一薄膜，并于所述薄膜形成之际进行一离子轰击以增进所述薄膜的填洞能力，而于停止上述薄膜的形成后，再持续所述离子轰击达一特定时间，以改善所述薄膜的平坦程度，以利后续进行的化学机械研磨法。
薄膜沉积平坦化工

[发明专利]化学气相沉积反应室的气体分配器的清洗方法-CN01110377.9无效
发明人：杨能辉;施泓林;朱赞锜;阮仲杰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-09 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： C23G1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积反应室的气体分配器的清洗方法。该方法包括将气体分配器浸泡于含有氨水的碱性药剂中,除去气体分配器上所附着的氟化铝。然后去除残留在气体分配器上的残碱。其中气体分配器是由含铝成份制得,上述氟化铝由用清洗反应室的含氟等电离体清洗气体与铝反应而得。
化学沉积反应气体分配器清洗方法

[发明专利]一种金属层间介电层的制造方法-CN01110119.9有效
发明人： 施泓林;朱赞锜;阮仲杰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-27 - 公布日： 2002-10-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明披露一种可改善高密度等离子体化学气相沉积法所成形的金属层间介电层均匀度控制不佳的情况的制造方法,首先是在制作有多个内连导线的半导体基底上,顺应性形成一均匀性与附着性佳的薄PE－TEOS。而后,以高密度等离子体化学气相法于第一氧化层上形成第二氧化层,并填入那些内连导线间的间隙。最后,再以等离子体增强化学气相沉积法于第二氧化层上形成第三氧化层。根据本发明的方法,不仅可达到极佳的间隙填充效果,可改善介电层品质不佳的情形。
一种金属层间介电层制造方法

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