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[发明专利]带有均匀掺杂沟道的低压高密度沟槽栅极功率器件及其边缘终止技术-CN03810019.3有效
发明人：曾军 -专利权人： 快捷半导体有限公司
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明通过向沟槽底部注入掺杂剂，将低压沟槽MOSFET器件中的漂移区合并在一起，从而允许采用非常小的单元间距，从而实现非常高的沟道密度和均匀掺杂的沟道，并最终极大地降低沟道的电阻。通过选择适当的掺杂剂量和漂移区的退火参数，器件的沟道长度可以受到严格控制，并且沟道的掺杂可以进行的非常一致，与常规器件相比，本发明的域值电压被降低，其沟道电阻被减小，其漂移区的导通电阻也被减小。为了实现合并的漂移区，本发明融入了一种新的边缘终止设计，因此由P外延层和N⁺衬底形成的PN结能够在单元片的边缘处被终止。
带有均匀掺杂沟道低压高密度沟槽栅极功率器件及其边缘终止技术

[发明专利]用于有过程差异补偿的有源偏置电路的电流断开电路-CN03808401.5无效
发明人：约翰·A.·德福库 -专利权人： 快捷半导体有限公司
申请日： 2003-02-07 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种用于产生预定水平偏置电流的集成电路偏置网络。一个晶体管产生对应于施加给所述场效应晶体管的预定输入栅－源电压的一定水平的偏置电流。提供了一个控制电路。控制电路连接到场效应晶体管并提供通过控制电流路径的电流以产生场效应晶体管输入电压。一个补偿电路连接到所述控制电路。所述补偿电路包括一个与场效应晶体管相同型号的补偿晶体管。该补偿电路控制补偿晶体管从所述控制路径转移电流，从而过程差异引起补偿晶体管分流一定大小的电流以向场效应晶体管提供输入电压使这个场效应晶体管能够产生所述预定水平的偏置电流。
用于过程差异补偿有源偏置电路电流断开

[发明专利]通过使用N型嵌入层改进静电放电NMOS的触发-CN02820258.9有效
发明人：罗纳德·布雷特·赫尔法克 -专利权人： 快捷半导体有限公司
申请日： 2002-10-18 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：一种ESD NMOS结构具有奇数个建立在一个P型阱(6)中的N型结构(4a－4g)。嵌入的N型结构(NBL)被置于该N型结构之间。中央的N型结构和每个交替的N型结构被相互电连接，到该嵌入的N型结构，并且连接到输出接头(14)；而其它N型结构被相互电连接并且连接到该P阱和“地”(10)。当出现一个正向ESD事件时，在该N型嵌入结构和该N型结构之间的P阱中创建一个耗尽区，从而增加该结构的电阻率。另外，当出现正向ESD事件时，在该中央N型结构的两侧的支路NPN晶体管击穿并且快速恢复。结果电流通过增加电阻的区域，从而从该中央N型结构向着末端N型结构产生较大的电压。该增加的电阻率和较高的电压作用的组合降低该ESD结构的触发电压。
通过使用嵌入改进静电放电 nmos 触发

[发明专利]金属氧化物半导体栅控结构的半导体器件-CN98106095.1有效
发明人：约汉·M·内尔森;克里斯托弗·B·考康;理查德·D·斯托克;琳达·S·布拉什;约汉·L·本杰明;路易斯·E·斯库尔基;克里斯托弗·L·雷克塞尔 -专利权人： 快捷半导体有限公司
申请日： 1998-03-10 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：含有四个掺杂区域的MOS栅控半导体器件的栅电极控制结构，包括：第一个区域(源)，与所包围的组合区形成第一个PN结，该组合区包括整体地包住第三个重掺杂(体)区，部分地包住第一个区的第二轻掺杂(沟道)区，以及与第三区域形成PN结的第四个区(漏)，用已知的栅电极自对准掺杂工艺制造栅电极控制结构，但是在工艺中为形成第三个重掺杂区，在栅电极上提供了一个间隔层以确定第三个区域与沟道区域之间的间隔。
金属氧化物半导体结构半导体器件

[发明专利]功率MOSFET及利用自对准体注入制作其的方法-CN01814377.6有效
发明人：曾军 -专利权人： 快捷半导体有限公司
申请日： 2001-07-18 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造功率MOSFET的方法，该方法包括：在半导体层内制作一个沟槽，制作用于排列沟槽的栅极绝缘层，在沟槽的下部制作一个栅极导电层，然后制作用于填充沟槽之上部的绝缘层。去除绝缘层侧面附近的半导体层部分，从而其上部从半导体层向外延伸。在向外延伸的绝缘层上部的侧面附近制作隔层，使用隔层作为用于限定源/体接触区域的自对准掩模。
功率 mosfet 利用对准注入制作方法