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[实用新型]一种智慧渔业养殖用投料设备-CN202121909727.3有效
发明人：彭俊耀;彭汝运;梁宝源;彭仕敏;彭中仁;梁怡姬 -专利权人：阳江市鸿运海水种苗繁育有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： A01K61/80 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智慧渔业养殖用投料设备，属于渔业养殖技术领域，包括提料筒，所述提料筒的上端呈环绕等距设有出料管，且提料筒的下表面连接有存料筒，所述存料筒的末端连接有送料软管，且送料软管的末端连接有放料斗，所述放料斗的上表面销连接有密封盖，同时在放料斗的一侧下端连接有风机。通过将投料装放置在远离岸边的区域，能够防止水产在投喂时由于争抢且离岸边太近造成表面受到伤害，进一步造成感染的问题，通过放料斗和送料软管为投料装置提供饲料，同时送料软管还能够约束投料装置，防止投料装置脱离控制，通过太阳能板和电器盒使得投料装置无需外接电源同时又能够进行定时定量的投喂，可以有效地提高饲料利用率。
一种智慧渔业养殖投料设备

[实用新型]一种农业水产养殖孵化设备-CN202121909729.2有效
发明人：彭俊耀;彭汝运;梁宝源;彭仕敏;彭中仁;梁怡姬 -专利权人：阳江市鸿运海水种苗繁育有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： A01K61/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种农业水产养殖孵化设备，属于水产养殖技术领域，包括外箱，所述外箱的内部放置有内箱，同时在外箱的上表面一体成型有托板，所述托板的上表面两侧设有立杆，且立杆上通过轴承活动连接有转轴，所述转轴上缠绕有牵引绳，且牵引绳的末端连接在内箱的上表面两侧上。通过设置的浮囊可以使得装置半漂浮在水体之上，使得装置内的卵能够接受阳光照射有利于孵化，而且水中的溶解氧通常也在水体的上层位置含量较多，浮游生物也会比较多，利于后期水产孵化之后的觅食，通过设置内外箱形成复式孵化装置，在内外箱底部均开设连通孔并使其交错防止卵通过连通孔排出，孵化后使内箱升起，连通孔脱离贴合使得卵壳得排出。
一种农业水产养殖孵化设备

[实用新型]一种海水鱼种苗分离设备-CN202022986341.4有效
发明人：彭汝运;彭俊耀;梁怡姬;彭仕敏;梁宝源;彭中仁 -专利权人：阳江市鸿运海水种苗繁育有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： A01K61/95 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种海水鱼种苗分离设备，包括第二圆管，所述第二圆管的上下两侧分别设有第一圆管和第三圆管，所述第一圆管所述第二圆管和所述第三圆管的底部外部分别包裹有粗纱布、中纱布和细纱布，所述粗纱布、所述中纱布和所述细纱布外部均套装有橡皮筋；所述第一圆管、所述第二圆管和所述第三圆管的外壁分别安装有上Z形杆、圆杆和下Z形杆，所述上Z形杆、所述圆杆和所述下Z形杆通过销轴活动连接；本海水鱼种苗分离设备，可根据实际需求选择使用方法，一次性可分离多种鱼苗，方便粗纱布、中纱布或细纱布的更换。
一种海水鱼种分离设备

[实用新型]一种水产种苗繁育箱-CN201921979999.3有效
发明人：彭汝运;彭俊耀;梁怡姬;彭仕敏;梁宝源;彭中仁 -专利权人：阳江市鸿运海水种苗繁育有限公司
申请日： 2019-11-16 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： A01K61/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水产种苗繁育箱，涉及水产苗种技术领域。包括培育装置和观察装置，所述培育装置的内部活动设置有观察装置，所述培育装置包括培育箱、活动口、加水口、排苗口、防护盖、传热块、气泵、补光灯和透气口，所述培育箱的下表面固定安装有支撑杆。通过设置观察杆、稳定块和浮板，观察杆随着培育箱内部水位的高低进行上下浮动，通过观察标记可以准确测量到培育箱内部的水位，解决了常规的繁育箱堆叠后需要重新搬卸来观察水量的问题，滚珠使得观察杆移动的更加顺滑，避免出现观察杆卡住的情况，降低了工作人员的劳动强度且有效避免了多次搬卸出现繁育箱碰撞的情况，方便了使用者的使用。
一种水产种苗繁育

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610632888.X有效
发明人： 彭仕敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括在半导体衬底上依次形成的电介质层、功能层和硬掩膜层，对衬底结构图案化以形成穿过硬掩膜层和功能层延伸到电介质层中的开口，在对开口中的功能层侧壁氧化处理后，进一步去除开口下的电介质层以露出半导体衬底，以及去除功能层侧壁上的氧化物，从而形成接触孔，其中接触孔具有在功能层中的第一部分和在电介质层中的第二部分，第一部分的横向宽度大于第二部分的横向宽度。由于接触孔上部的横向宽度被扩大，从而在接触孔中形成接触件时不会在接触件中形成孔洞，因此可有效提高器件性能。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]锂电池回收方法和设备-CN201910458704.6在审
发明人：马骏;彭仕敏 -专利权人：上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01M10/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池回收方法和设备。此锂电池回收方法包括：去除废弃锂电池的外壳，得到电池卷芯；破碎处理所述电池卷芯，得到电极混合碎片；检测所述电极混合碎片；根据检测结果将所述电极混合碎片中的正极碎片和负极碎片分离；分别处理所述正极碎片以及所述负极碎片，回收正极材料、正极衬底金属、负极材料以及负极衬底金属。本发明实施例提供的技术方案，通过将正极碎片和负极碎片分离，各自分开处理，分别回收，可对锂电池的正极和负极的组成材料进行有效分离和分别回收，有利于提高废旧锂电池的资源化程度。
负极锂电池回收混合碎片正极碎片电极正极方法和设备电池卷芯衬底金属废旧锂电池分开处理负极材料检测结果破碎处理有效分离正极材料组成材料资源化去除废弃检测

[实用新型]一种电动牙刷-CN201720124389.X有效
发明人：朱然洪;彭仕敏 -专利权人：青岛海尔智能家电科技有限公司
申请日： 2017-02-11 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： A61C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电动牙刷，包括刷头部位、手柄、按键、震动盖、偏心块、连接杆、PCBA、DC马达、电池、尾盖和充电接口；所述手柄的一端连接至刷头部位的一端，所述刷头部位的内部空腔中安装有震动盖、偏心块和连接杆，所述连接杆的一端连接至偏心块，所述连接杆与偏心块采用过盈配合；所述手柄内部安装有电池支架，连接杆的另一端连接至DC马达的输出端，所述连接杆和DC马达的输出轴采用过盈配合。该电动牙刷设计合理，能保证刷头的震动频率，且采用塑胶连接杆的减震也能减少手柄的振感；连接杆和DC马达的输出轴、偏心块均采用过盈配合，该结构的装配和加工方法简单，生产成本低。
一种电动牙刷

[外观设计]电动牙刷-CN201730173095.1有效
发明人：朱然洪;彭仕敏 -专利权人：广东锐迈电器有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称电动牙刷；2．本外观设计产品的用途用于牙刷；3．本外观设计产品的设计要点在于产品的整体形状；4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
电动牙刷

[外观设计]电动牙刷-CN201730034135.4有效
发明人：朱然洪;彭仕敏 -专利权人：广东锐迈电器有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称电动牙刷；2．本外观设计产品的用途用于电动牙刷；3．本外观设计产品的设计要点在于产品的整体形状；4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
电动牙刷

[发明专利]GaN外延或GaN衬底的制作方法-CN201310167780.4在审
发明人：刘继全;彭仕敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN外延或GaN衬底的制作方法，包括步骤：1）在第一硅衬底背面生长氧化硅；2）把带有氧化硅的第一硅衬底的背面和第二硅衬底的背面键合在一起，形成第三硅衬底；3）在第三硅衬底的上下两面生长氮化硅或氮氧化硅；4）双面刻蚀第三硅衬底上的氮化硅或氮氧化硅，形成所需图形；5）在第三硅衬底的双面，进行GaN选择性外延生长；6）剥离第一硅衬底和第二硅衬底，形成两片GaN外延片或GaN衬底。本发明可有效的缓解GaN应力，防止GaN龟裂以及晶格缺陷，同时降低生长成本。
gan 外延衬底制作方法

[发明专利]栅极制作方法-CN201110152761.5无效
发明人：彭虎;季伟;孙尧;孙勤;彭仕敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极制作方法，包括步骤：衬底硅片上依次淀积栅绝缘层、多晶硅层和钨硅层；在氮气环境下进行退火处理；退火完成后在所述钨硅层上淀积氮化硅层；进行光刻和刻蚀，形成栅极；对栅极的侧壁进行氧化处理。本发明方法能形成由多晶硅层和钨硅层组成的多层膜的栅极，并在硅钨层上形成有氮化硅层作为栅极的保护层，从而能形成具有较低的电阻率、并能得到良好的保护的栅极。本发明方法通过在形成钨硅层之后、对钨硅层进行热处理，能够使钨硅层释放部分应力，从而能消除钨硅层和氮化硅层之间的应力、并能避免由应力而导致的在后续热处理工艺中导致薄膜鼓起或裂开的问题。
栅极制作方法

[发明专利]一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法-CN201110008499.7无效
发明人：缪燕;彭仕敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成栅氧化层、多晶硅栅极和侧墙；漏源注入及快速热退火；淀积SACVD PSG薄膜；淀积HDP PSG薄膜；刻蚀接触孔。该方法可以避免衬底硅因接触孔过刻蚀而受到损伤，且用该方法制备的PSG薄膜具有优良的填孔性能和易于刻蚀的膜质结构。在制备时，先用SACVD淀积工艺生长一层PSG薄膜，然后再用HDP CVD淀积工艺生长高掺杂PSG薄膜，利用SACVD PSG薄膜磷掺杂量均一的特点，提高HDP PSG薄膜花状外壳底部起始点的位置，增大接触孔选择性刻蚀的工艺窗口，从而避免了衬底硅因过刻蚀而受到损伤，有效地维护了器件的性能。
一种掺杂玻璃薄膜制备方法

[发明专利]一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法-CN201010502544.X无效
发明人：缪燕;彭仕敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上形成栅电极；第二步，LDD注入，在栅电极侧壁形成侧墙；第三步，源漏注入及快速热退火；第四步，生长磷硅玻璃薄膜，该步骤具体为：首先进行晶圆加热，然后淀积磷硅玻璃；在淀积磷硅玻璃之前的晶圆加热过程中引入还原性气体，抑制基体硅表面被氧化；第五步，自对准接触孔刻蚀。本发明可有效去除磷硅玻璃生长前的界面初始二氧化硅层，从而获得全掺杂的磷硅玻璃薄膜，避免了后续自对准接触孔刻蚀停止的问题。
一种消除玻璃初始氧化方法

[发明专利]平面型硅压力传感器及其制造方法-CN201010239737.0有效
发明人：程晓华;方精训;彭仕敏;金峰;刘远良;邓镭 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型硅压力传感器，其由下至上依次为：硅衬底、氮化膜、硅传感薄膜、密封氮化膜；在部分硅衬底和部分氮化膜内设有一个空腔；在硅传感薄膜内设有释放孔，该释放孔与空腔垂直连通。此外，本发明还公开了上述平面型硅压力传感器的制造方法。本发明平面型硅压力传感器的释放孔开在硅传感薄膜的内部，并与空腔结构垂直连通，无需定锚的支撑，力学性能更加稳定，有利于湿法刻蚀氧化膜牺牲层的去除，工艺简单、成本低。
平面压力传感器及其制造方法

[发明专利]改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法-CN200910201880.8有效
发明人： 彭仕敏;谢烜 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上形成栅电极；(2)LDD注入，在栅电极侧壁形成侧墙；(3)源漏注入及快速热退火；(4)采用高密度等离子体化学气相淀积工艺淀积磷硅玻璃薄膜，在此过程中引入刻蚀气体与磷硅玻璃反应；(5)自对准接触孔刻蚀。该方法在传统HDP CVD工艺中引入刻蚀气体，提升其刻蚀能力，保证在小功率的射频偏压下实现无空洞填充，同时减小淀积过程中的二次溅射，以此降低因二次溅射在磷硅玻璃表面形成的低P含量的壳(flower pattern)的宽度，改善了磷硅玻璃薄膜的形貌，更有利于相应的自对准接触孔刻蚀。
改善高密度等离子体化学气相淀积玻璃形貌方法

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