“张睿钧”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910155626.2有效
发明人： 张睿钧;苏泊沅;廖健男 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体装置及其制造方法，其包含电荷吸收结构，设置于基底上方；绝缘层，设置于电荷吸收结构上方；半导体层，设置于绝缘层上方；多个第一掺杂区和多个第二掺杂区，设置于半导体层中，其中这些第一掺杂区与这些第二掺杂区沿着第一方向延伸且沿着第二方向交错排列，其中第二方向与第一方向不同，且这些第一掺杂区与这些第二掺杂区具有不同的导电类型；源极和漏极，分别设置于交错排列的这些第一掺杂区与这些第二掺杂区的两侧且沿着第二方向延伸；以及栅极，设置于交错排列的这些第一掺杂区与这些第二掺杂区上且沿着第二方向延伸。该半导体装置在应用于高频操作时，可以减少载流子寄生的散射现象，提升半导体装置的可靠度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201811306112.4有效
发明人： 张睿钧;吴世凯;王晟宇;洪力扬;许家铭 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包含半导体层，设置于基底上方；掺杂区，设置于半导体层中；元件区，设置于掺杂区上，包含源极、漏极和栅极；第一隔离结构，设置于半导体层中且环绕掺杂区；第二隔离结构，环绕第一隔离结构且与第一隔离结构隔开；以及端子，设置于第一隔离结构和第二隔离结构之间，且与源极等电位。本发明可以消除在隔离结构外部施加的电压对隔离结构内部元件的干扰，进而提升可靠度和安全操作区间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010596578.3在审
发明人：钟怡青;张睿钧;曾富群;何玉萍 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包括：衬底；第一阱及一第二阱，设置于衬底中且彼此邻接；隔离结构，设置于第一阱上；第一场板，设置于隔离结构上；栅极结构，横跨第一阱及第二阱，且第一场板与栅极结构之间具有开口，此开口露出隔离结构靠近栅极结构的一边缘；漏极结构，设置于第一阱中；以及源极结构，设置于第二阱中，减少或防止热载子效应。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811473165.5在审
发明人：恩凯特·库马;李家豪;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包括：绝缘层位于基板之上；半导体层位于绝缘层之上；以及外延层位于该半导体层之上。半导体层包括：第一埋藏层，具有第一导电类型；以及第二埋藏层位于第一埋藏层之上，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第二埋藏层具有至少二部分彼此分隔。本发明实施例可以消除背侧偏压效应，降低整体掺质浓度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电感结构-CN201811107158.3在审
发明人：廖健男;苏泊沅;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种电感结构，包括：一基板；一第一介电层，形成于该基板上；一第一金属层，形成于该第一介电层中；一第二介电层，形成于该第一介电层上；一第二金属层，形成于该第二介电层中；至少一中间介电层，形成于该第一介电层与该第二介电层之间；至少一中间金属层，形成于该至少一中间介电层中；以及多个通孔，连接该第一金属层与该至少一中间金属层，以及连接该第二金属层与该至少一中间金属层，其中该第一金属层、该通孔、该至少一中间金属层、该通孔、该第二金属层、该通孔、以及该至少一中间金属层形成一延伸路径，该延伸路径以该第一金属层为一延伸起点，依螺旋方式延伸。本发明提供的电感结构线宽大、占用面积低。
电感结构

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201811390390.2在审
发明人：李琮雄;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法，所述横向双扩散金属氧化物半导体装置包括：半导体基板具有相对的第一表面与第二表面以及第一导电类型；井区位于半导体基板的一部内；栅极结构位于半导体基板的一部上；第一掺杂区位于邻近栅极结构的一第一侧的井区层的一部内；第二掺杂区位于栅极结构的一第二侧的井区的一部内；第三掺杂区位于第一掺杂区的一部内；第四掺杂区，位于第二掺杂区的一部内；第一沟槽位于第三掺杂区、第一掺杂区、井区与半导体基板的一部中；导电接触物位于第一沟槽内；第二沟槽，位于邻近半导体基板的第二表面的一部中；第一导电层位于第二沟槽内；以及第二导电层，位于半导体基板的第二表面以及第一导电层上。
掺杂区半导体基板横向双扩散金属氧化物半导体井区第二表面栅极结构第一导电层邻近第一导电类型导电接触物第二导电层第一表面制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410140061.8有效
发明人：张雄世;张睿钧;李琮雄 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括：一半导体层，具有一第一导电类型；多个第一掺杂区，沿一第一方向而平行且分隔地设置于这些半导体层的一部分中，其中这些第一掺杂区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型以及长方形的一形状；一栅极结构，沿一第二方向而设置于该半导体层的一部分上，覆盖这些掺杂区的一部分；一第二掺杂区，沿该第二方向而设置于该半导体层内并邻近该栅极结构的一第一侧，具有该第二导电类型；以及一第三掺杂区，沿该第二方向而设置于相对于该栅极结构第一侧的一第二侧的该半导体层内并邻近这些掺杂区，具有该第二导电类型。通过本发明，即使高电压金氧半导体场效晶体管在半导体装置中的尺寸微缩的情况下仍可有效维持半导体装置中的组件的表现。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN201410147865.0有效
发明人：杜尚晖;黄志仁;张睿钧;林鑫成;胡钰豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的半导体装置与其形成方法，半导体装置包括第一导电型的基板，以及漏极区、源极区、与阱位于基板中。位于漏极区与源极区之间的阱具有第二导电型，且第一导电型与第二导电型相反。此装置还包括多个掺杂区于阱中。掺杂区水平地与垂直地互相偏离。每一掺杂区包含第一导电型的较下部分，与较下部分上的第二导电型的较上部分。通过本发明提供的半导体装置与其形成方法，可以在半导体装置增加击穿电压的情况下，而不会增加装置面积或开启电阻。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201410076923.5有效
发明人：李琮雄;张睿钧;张雄世 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底；及一外延层，位于基底上方，其中外延层中包括沿一第一方向交替排列的多个第一沟槽和多个第二沟槽；其中各相邻的第一沟槽和第二沟槽间的外延层中包括一第一掺杂区和一第二掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区具有不同的导电型态，且第一掺杂区和第二掺杂区间的界面形成一超级结结构；及一栅极结构，位于外延层上方，其中栅极结构下方的外延层中包括沿一第二方向延伸的通道，其中第一方向与第二方向垂直。相较于现有技术，本发明可增加驱动电流导通截面积，改善驱动电流，降低导通电阻。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410043603.X有效
发明人：杜尚晖;黄志仁;张睿钧;胡钰豪;林文新;林鑫成 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：半导体基底，具有第一导电型；外延结构，具有第一导电型；阱，具有第二导电型，其中第二导电型与第一导电型相反；漏极区及源极区；至少一组第一、第二及第三重掺杂区，形成于漏极区与源极区之间的阱内，其中第一、第二及第三重掺杂区由下而上依序邻接，且第二重掺杂区的掺杂浓度大于阱的掺杂浓度，第一及第三重掺杂区的掺杂浓度相似于阱的掺杂浓度，其中第二重掺杂区具有第一导电型，第一及第三重掺杂区具有第二导电型；以及栅极结构，设置于外延结构上。本发明能提供更多电流路径、更有效地分散电流以避免电流过于集中于漂移区的某一部分而造成元件损坏。
导电型掺杂区半导体装置掺杂外延结构重掺杂区漏极区源极区半导体基底多电流路径分散电流元件损坏栅极结构漂移区有效地邻接制造

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201310478609.5有效
发明人：李琮雄;张睿钧;杜尚晖 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法，其中，所述装置包括：外延半导体层，位于一半导体基板上；栅介电层，位于该外延半导体层上；栅堆叠物，位于该栅介电层上；第一掺杂区，位于该栅堆叠物的第一侧的该外延半导体层内；第二掺杂区，位于该栅堆叠物的第二侧的该外延半导体层内；第三掺杂区，位于该第一掺杂区内；第四掺杂区，位于该第二掺杂区内；绝缘层，覆盖该第三掺杂区、该栅介电层与该栅堆叠物；导电接触物，位于绝缘层、该第三掺杂区、该第一掺杂区与该外延半导体层之内；以及第五掺杂区，位于该导电接触物下方的该外延半导体层之内。 1
掺杂区外延半导体层栅堆叠物栅介电层横向双扩散金属氧化物半导体绝缘层导电接触物掺杂半导体基板制造覆盖

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310425081.5有效
发明人： 张睿钧;张雄世 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体装置及其制造方法，其中，所述装置包括一基板，其具有一主动区及位于主动区内的一场板区。至少一沟槽式栅极结构位于基板内，其中场板区位于沟槽式栅极结构的一第一侧。至少一源极掺杂区位于沟槽式栅极结构的一第二侧的基板内，其中第二侧相对于第一侧，且源极掺杂区邻接于沟槽式栅极结构的一侧壁。一漏极掺杂区位于主动区的基板内，其中场板区位于漏极掺杂区与至少一沟槽式栅极结构之间，且从一上视方向来看，沟槽式栅极结构的长度的延伸方向垂直于漏极掺杂区的长度的延伸方向。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310368556.1有效
发明人：张雄世;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体装置及其制造方法，其中，所述装置包括一基板，其具有一主动区及位于主动区内的一场板区及一基体区，其中基体区位于场板区的一第一侧。至少一沟槽式栅极结构位于基体区的基板内。至少一源极掺杂区位于基体区的基板内，其中源极掺杂区围绕沟槽式栅极结构。一漏极掺杂区位于场板区的一第二侧的基板内，其中第二侧相对于第一侧，且其中从一上视方向来看，沟槽式栅极结构的长度的延伸方向垂直于漏极掺杂区的长度的延伸方向。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410131272.5在审
发明人：张雄世;张睿钧;黄志仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：相堆叠的多个半导体层；多个复合掺杂区，沿一第一方向而平行且分隔地设置于所述多个半导体层的一部分区域中；一栅极结构，沿一第二方向而设置于所述多个半导体层的一部分区域上，其中该栅极结构覆盖所述多个复合掺杂区的一部分区域；一第一掺杂区，沿该第二方向而设置于所述多个半导体层内的一最上层并邻近该栅极结构的一第一侧；以及一第二掺杂区，沿该第二方向而设置于相对于该栅极结构第一侧的一第二侧的所述多个半导体层内的一最上层内并邻近所述多个复合掺杂区。本发明提供的一种半导体装置及其制造方法，可在其尺寸微缩下仍可维持半导体装置的如驱动电流、导通电阻、崩溃电压等元件表现。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201310456066.7在审
发明人：李琮雄;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法，其中，所述横向双扩散金属氧化物半导体装置包括：半导体基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；井区，位于该半导体基板的一部内；栅极结构，位于该半导体基板的一部上；第一掺杂区，位于邻近该栅极结构的一第一侧的该井区层的一部内；一第二掺杂区，位于该栅极结构的一第二侧的该井区的一部内；第三掺杂区，位于该第一掺杂区的一部内；一第四掺杂区，位于该第二掺杂区的一部内；第一沟槽，位于该第三掺杂区、该第一掺杂区、该井区与该半导体基板的一部中；导电接触物，位于该第一沟槽内；第二沟槽，位于邻近该半导体基板的该第二表面的一部中；第一导电层，位于该第二沟槽内；以及第二导电层，位于该半导体基板的该第二表面以及该第一导电层上。
横向扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 21 条