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[发明专利]一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法-CN202310434895.9在审
发明人： 廖武刚;陈晓佩;包国成;庞宇东;王雄锋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法，涉及微电子器件制备技术领域。该忆阻器包括由下至上依次设置的衬底、底电极、氧化铟层、金属氧化物混合掺杂层和顶电极，所述的金属氧化物混合掺杂层的材料选自氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化锌、氧化铊中的多种。本发明通过设置氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层，两者协同作用使得制备的忆阻器具有优良的阻变性能和高稳定性的非易失性。本发明在保持简单的工艺步骤的前提下制备出了性能优秀且稳定的忆阻器。
一种氧化金属氧化物混合掺杂忆阻器及其制备方法

[发明专利]低维碲晶体的制备方法-CN202210252141.7有效
发明人： 廖武刚;杨鹏;谭超良;查佳佳 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低维碲晶体的制备方法，制备方法包括：采用机械剥离方法得到表面结合有六方氮化硼纳米片的硅片作为衬底，将衬底置于石英管中并通入预设质量的二氧化碲作为生长源，通过加热炉同时对生长源及衬底进行加热，在由氩气与氢气组合的混合气氛中控制生长源在预设温度下进行化学气相沉积反应，以生长得到低维碲晶体。本发明基于化学气相沉积法在具有原子级平整度的六方氮化硼衬底上生长低维碲晶体，通过控制生长源和衬底的温度、反应时间、氩气/氢气混合气体的比例及流速可制备出高质量的碲晶体，晶体尺寸介于数微米到数十微米之间。上述制备方法过程简单，无需价格昂贵的生长源、衬底及设备，极大提高了制备碲晶体的质量。
低维碲晶体制备方法

[发明专利]一种基于二硒化钨的离子敏场效应晶体管传感器及其制备方法-CN201910939655.8在审
发明人：黄燕婷;廖武刚 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料二硒化钨(WSe
离子敏场效应晶体管制备二维材料臭氧等离子体离子敏感层预氧化处理原子层沉积源金属电极电学性能二硒化钨机械剥离离子检测深远意义氧化处理低成本灵敏度敏感膜体积小传感器氧化物衬底沟道片层封装响应

[发明专利]一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法-CN201310606319.4有效
发明人：曾祥斌;廖武刚;文西兴;郑文俊;冯枫;文杨阳;黄诗涵 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点‑SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p‑n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。
一种掺杂量子发光二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510677976.7有效
发明人：曾祥斌;文杨阳;文西兴;廖武刚;王文照;徐素娥;李寒剑;郭富城 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。
一种基于二硫化钼肖特基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510678656.3有效
发明人：曾祥斌;陈晓晓;文西兴;廖武刚;王文照;徐素娥;丁佳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。
一种二硫化钼硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于SiC_x织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法-CN201310248583.5有效
发明人：曾祥斌;文西兴;文国知;郑文俊;廖武刚;冯枫;曹陈晨 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点。本发明有效利用硅量子点-SiCx织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx织构-Si量子点-SiCx织构-隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构；不仅可实现电荷的有效分立存储，增强电荷保持特性，还允许器件具有更薄的隧穿氧化层，加快了电荷的擦写速度，使存储器的综合性能得到全面提升，并为器件的尺寸进一步缩小提供了技术支持。
基于 sic sub 量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法

[发明专利]一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201110365782.5无效
发明人：曾祥斌;郑雅娟;文国知;廖武刚;马昆鹏;陈晓琴 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极，其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜，I层为含量子点氮化硅薄膜，P层为非晶碳化硅薄膜。本发明由于采用了含量子点结构的氮化硅薄膜做I层，可以有效的提高电池的光电转换效率，又由于采用ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。
一种具有量子结构柔性薄膜太阳能电池及其制备方法

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