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[发明专利]GaN基光电器件的中间结构及制备方法-CN202310948096.3在审
发明人：庄喆;李晨雪;刘斌;陶涛 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基光电器件的中间结构及制备方法，所述方法包括制备衬底；在所述衬底的一侧沉积介质牺牲层；在所述介质牺牲层的一侧制作光电器件结构；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述介质牺牲层；对光电器件进行剥离和转移。本发明至少有利于无损伤剥离柔性GaN基Micro‑LED或HEMT的光电器件结构。
gan 光电器件中间结构制备方法

[发明专利]一种LED调制带宽快速测试系统及测试方法-CN202310150490.2在审
发明人：陶涛;洪永升;孙天娇;杨书杰;智婷;庄喆;谢自力;严羽;刘斌 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H04B10/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED调制带宽快速测试系统，包括直流电源；偏置器；激光器，用于激发LED样品发光，实现光信号‑电信号‑光信号的转变；透射组件，用于整体光线的聚焦；滤光片，用于排除激光对LED发光的影响；光电探测器，检测到LED发出的光信号，并转变为电信号输出；矢量网络分析仪，分析两端口信号以绘制频率响应曲线，从而得到LED的调制带宽。本发明可以实现在不封装LED情况下对其通信性能进行测试的功能，并且可以通过激光扫描实现同时测量多个LED的调制带宽的功能。利用本发明的装置可以实现快速测量，并且光激发可以达到对LED样品零损伤的效果。
一种 led 调制带宽快速测试系统方法

[发明专利]垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法-CN202310288997.4在审
发明人：庄喆;桑艺萌;刘斌;陶涛 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。
垂直 mosfet led 单片集成芯片制备方法

[发明专利]基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法-CN202211400883.6在审
发明人：刘斌;丁宇;庄喆 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。
基于 mxene alingan 异质结驱动紫外光探测器及其制备方法

[发明专利]Micro-LED巨量转移方法-CN202210844935.2在审
发明人：刘斌;胡文杰;庄喆;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED巨量转移方法，首先制备好常规衬底上的Micro‑LED阵列。之后将光感应胶带与芯片绑定，再将芯片与原衬底进行分离。接着用光照射光感应胶带使其丧失黏性，之后将转移基板对准待转移芯片，进行芯片拾取。在接收基板上蒸镀好驱动电路，并蒸镀低熔点金属焊点。之后将带有芯片的转移基板对准目标衬底，并施加压力使芯片紧密贴合衬底，然后加热使得转移基板上的热释放胶丧失黏性，同时将焊点熔化。最后恢复常温移开转移基板完成芯片的转移。本发明可以将芯片的释放与芯片的焊接同时进行，从而提高了芯片转移的效率，同时可以通过控制转移基板上热释放性胶的图形来转移不同间距不同尺寸的芯片。
micro led 巨量转移方法

[外观设计]眼镜盒-CN202130359866.2有效
发明人：庄喆;谢深;楚文宝 -专利权人：卡尔蔡司光学(广州)有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：眼镜盒。2.本外观设计产品的用途：盛放眼镜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
眼镜盒

[发明专利]一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管-CN202111281682.4在审
发明人：庄喆;张雄;范艾杰 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装结构的纯氮化镓基白光发光二极管，由下至上依次包括：p‑GaN、p‑AlGaN、Inx1Ga1‑x1N/GaN多量子阱有源区、n‑GaN、非掺杂氮化镓、GaN成核层、双抛蓝宝石衬底、GaN成核层、非掺杂氮化镓、Inx2Ga1‑x2N/GaN多量子阱有源区。在p‑GaN和n‑GaN层分别设置p型和n型欧姆电极。整个白光发光二极管为倒装结构。本发明中，电子空穴主要注入Inx1Ga1‑x1N/GaN多量子阱有源区发光，发光波长为370‑480nm。而上层的Inx2Ga1‑x2N/GaN多量子阱有源区则通过吸收下层的Inx1Ga1‑x1N/GaN多量子阱有源区进行光致发光，发光波长为500‑700nm。通过两种量子阱有源区的发光混合，从而实现纯氮化镓基白光发光二极管。
一种倒装结构氮化白光发光二极管

[实用新型]眼镜盒-CN202120180534.2有效
发明人：庄喆;谢深;楚文宝 -专利权人：卡尔蔡司光学（广州）有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： A45C11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种眼镜盒，包括主筒体，所述主筒体的中空内部包含用于容纳眼镜的空腔，其特征在于，所述主筒体的第一端设置有与主筒体的中空内部光学连通的观察通孔，所述主筒体的与第一端相对的第二端设置有用于容纳或承载待成像物的承载件，在观察通孔和所述承载件之间的所述主筒体的中空内部设置有多面反光镜，在所述多面反光镜之间构成反射通道，所述眼镜盒在所述待成像物的附近区域包括透光区域，以允许从观察通孔观察到待成像物在反光镜的反射镜面上的成像。
眼镜盒

[实用新型]眼镜盒-CN202023048339.9有效
发明人：吕晓雯;庄喆;谢深;楚文宝 -专利权人：卡尔蔡司光学（广州）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： A45C11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种眼镜盒，包括主壳体(10)，所述主壳体(10)包含用于容纳眼镜的空腔，其特征在于，所述眼镜盒包括一光源(30)，所述光源(30)发出的光通过所述空腔到达主壳体的壁，所述主壳体的壁的全部或至少一部分处于光源(30)发出的光的光路中并包含以预定图案和/或色彩分布的可透光区域。
眼镜盒

[外观设计]眼镜盒-CN202030779125.5有效
发明人：庄喆;谢深;楚文宝 -专利权人：卡尔蔡司光学（广州）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：眼镜盒。2.本外观设计产品的用途：盛放眼镜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
眼镜盒

[外观设计]眼镜盒-CN202130359938.3有效
发明人：庄喆;谢深;楚文宝 -专利权人：卡尔蔡司光学（广州）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：眼镜盒。2.本外观设计产品的用途：盛放眼镜。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
眼镜盒

[发明专利]一种紫外-可见双波段光电探测器-CN201910635101.9有效
发明人：庄喆;李成;张雄;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开一种紫外‑可见双波段光电探测器，包括由下至上设置的衬底层、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、n型AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN吸收层、AlGaN倍增层、P型AlGaN层、AlGaN渐变层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN倍增层、i型InGaN吸收层、P型InGaN层和P型GaN层。在n型AlGaN层(105)和n型GaN层侧面有一外露区域，外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，在P型GaN上表面设置P型欧姆接触层。本发明能够实现紫外以及可见光的探测，通过调节紫外吸收单元的Al组分，可改变紫外探测波长；通过调节可见光吸收单元的In组分，可实现蓝光，绿光，红光等可见光波段的探测。
一种紫外可见波段光电探测器

[发明专利]一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管-CN201810595808.7有效
发明人：庄喆;姜海涛;张雄;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管。由下至上依次包括：漏极、P+衬底、N型缓冲层、N型量子点层、N‑基区、P+阱、P基区、N+接触区、栅极、栅介质层和源极。由于量子点(零维材料)相较于高维材料具有更大的禁带宽度，而量子点的禁带宽度又强烈地依赖于其尺寸，且量子点尺寸不一，会天然地形成势能波动，产生大量的载流子局域区域。当器件关断时，剩余载流子被局域在量子点层中，可有效减小绝缘栅双极型晶体管器件的拖尾电流和缓冲层厚度，进而可以减小器件的开关时间和导通压降。
一种具有量子结构绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种报文发送方法、节点配置方法以及相关设备-CN201611031054.X有效
发明人：庄喆;魏含宇;王浩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H04L12/741 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种报文发送方法、节点配置方法以及相关设备，该方法包括：叶节点接收上一跳节点发送的报文，报文的报头携带目的节点的目的地址以及索引位图，报文的正文携带传输数据包，索引位图根据源路由中继地址压缩而成，源路由中继地址为传输数据包传输过程中确定经过的叶节点的节点地址集合；叶节点判断叶节点的地址与目的地址是否相同；若叶节点的地址与目的地址不相同，叶节点根据预先配置的地址压缩参数对叶节点的地址进行压缩计算，得到至少一个地址元素；叶节点判断索引位图中与至少一个地址元素对应的元素是否全为预设比特值；若是，叶节点转发报文。实施本发明实施例，能够节省报头开销。
一种报文发送方法节点配置以及相关设备

[发明专利]报文传输方法及装置-CN201611100131.2有效
发明人：庄喆;魏含宇;王浩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H04L12/721 文献下载
摘要：本申请公开了一种报文传输方法及装置，属于通信技术领域。方法包括：在第一广播域中广播第一ID发送请求，第一ID发送请求包括第一ID号，第一ID号是当前时刻的第一广播域中每个网络节点用于标识报文的报文ID号；在预设时间段内没有接收到其他网络节点发送的ID发送请求时，向第二网络节点发送第一报文，第一报文包括第一ID号，其他网络节点为第一广播域中除第一网络节点之外的节点；在向第二网络节点发送第一报文后，与第一广播域中其他网络节点同步更新ID号，得到第二ID号，第二ID号与第一ID号满足预设的变化规则，变化规则为单调递增规则或单调递减规则。本申请解决了在大规模的组网中判断重复报文的可靠性较低的问题。本申请用于报文传输。
报文传输方法装置

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