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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202010084354.4有效
发明人：蔡柏豪;林孟良;庄博尧;翁得期;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开一些实施例提供一种封装结构及一种形成封装结构的方法。所述方法包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述方法还包括将一或多个装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810937666.8有效
发明人：蔡柏豪;庄博尧;郑心圃;翁得期 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法，从而将中介片和第一半导体器件放置在载体衬底上并且被密封。中介片包括第一部分和远离第一部分延伸的导电柱。位于密封剂的第一侧上的再分布层将导电柱电连接至第一半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910103536.9有效
发明人：蔡柏豪;翁得期;庄博尧;郑心圃;周孟纬;林孟良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：此处提供形成扇出封装的结构与方法。此处所述的封装包括空腔基板、一或多个半导体装置位于空腔基板的空腔中、以及一或多个重布线结构。实施例包含预先形成于空腔基板中的空腔。多种装置如集成电路晶粒、封装、或类似物可放置在空腔中。亦可形成重布线结构。
半导体结构形成方法

[发明专利]集成电路封装件和方法-CN201910305554.5有效
发明人：蔡柏豪;翁得期;周孟纬;林孟良;庄博尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
集成电路封装方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202210041865.7在审
发明人：林孟良;庄博尧;翁得期;陈硕懋;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装至少包括电路衬底、半导体管芯和填充材料。电路衬底有第一表面、与所述第一表面相反的第二表面和从所述第一表面凹进去的凹穴。电路衬底包括介电材料和埋设在介电材料中并位于凹穴下方的金属底板。金属底板的位置对应于凹穴的位置。金属底板是电性浮置的并被介电材料隔离。半导体管芯设置在凹穴中，且与电路衬底电连接。填充材料设置在半导体管芯和电路衬底之间。填充材料填充凹穴且封装半导体管芯，而连接半导体管芯和电路衬底。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210523137.X在审
发明人：林孟良;庄博尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括一转接板，转接板包括一绝缘结构、一导电垫、一第一导线、以及一第一导电通道结构。绝缘结构具有一第一表面以及与第一表面相对的一第二表面，导电垫位于第一表面之上，第一导线位于绝缘结构内且电性连接导电垫，第一导电通道结构部分位于绝缘结构内并连接第一导线。封装结构包括一电子元件接合至导电垫。封装结构包括一芯片结构接合至第一导电通道结构的第一端部。封装结构包括一第一导电凸块连接于芯片结构与第一导电通道结构的第一端部之间。第一端部延伸入第一导电凸块内并直接接触第一导电凸块。
封装结构及其形成方法

[发明专利]形成芯片封装体的方法-CN201810306349.6有效
发明人：郑心圃;蔡柏豪;庄博尧;许峯诚;陈硕懋;翁得期 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供形成芯片封装体的方法。方法包括将芯片置于再布线结构上。再布线结构包括第一绝缘层与第一线路层，且第一线路层位于第一绝缘层中并电性连接至芯片。方法亦包括经由导电结构将中介基板接合至再布线结构。芯片位于中介基板与再布线结构之间。中介基板具有与再布线结构相邻的凹陷。芯片的第一部分位于凹陷中。中介基板包括基板与导电通孔结构，且导电通孔结构穿过基板并经由导电结构电性连接至第一线路层。
形成芯片封装方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910753783.3有效
发明人：蔡柏豪;庄博尧;游明志;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种器件包括再分布结构；第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于再分布结构上并且电连接到再分布结构；天线结构，位于第一半导体器件上方，其中，天线结构包括与第一天线不同的第二天线，其中天线结构包括接合到第一导电柱的外部连接件，以及在天线结构和再分布结构之间延伸的模制材料，模制材料围绕第一半导体器件、第一天线、外部连接件和第一导电柱。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有双侧金属布线的半导体封装件-CN201810455793.4有效
发明人：郑心圃;陈硕懋;刘献文;庄博尧;许峯诚;林柏尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：方法包括在载体上方形成再分布结构，再分布结构具有位于再分布结构的远离载体的表面上的导电部件；在再分布结构的表面上方形成导电柱；将管芯附接至再分布结构的邻近导电柱的表面，其中，管芯的管芯连接件电连接至再分布结构的导电部件；以及通过导电接头将预制衬底附接至导电柱，其中，导电接头位于导电柱上并且包括与导电柱不同的材料，其中，导电接头和导电柱将再分布结构电连接至预制衬底。本发明的实施例还涉及具有双侧金属布线的半导体封装件。
具有金属布线半导体封装

[发明专利]半导体封装件及其形成方法-CN201911375530.3有效
发明人： 庄博尧;蔡柏豪;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种形成半导体封装件的方法，包括：将天线衬底接合至再分布结构。天线衬底具有第一天线的第一部分，并且再分布结构具有所述第一天线的第二部分。该方法还包括将天线衬底密封在密封剂中，以及将封装组件接合至再分布结构。再分布结构包括第二天线的第三部分，封装组件包括第二天线的第四部分。根据本申请的其他实施例，还提供了一种半导体封装件。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]具有可控间隙的扇出封装件-CN201910023923.1有效
发明人：蔡柏豪;翁得期;周孟纬;林孟良;庄博尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。
具有可控间隙封装

[发明专利]封装件及其形成方法-CN201910917900.5有效
发明人：蔡柏豪;游明志;许佳桂;郑心圃;庄博尧;林孟良;洪士庭;林柏尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]芯片封装及其形成方法-CN202111060983.4在审
发明人：郑心圃;蔡柏豪;庄博尧;翁得期 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：提供芯片封装的结构及其形成方法。此方法包含：设置半导体晶粒于载体基板之上。此方法也包含设置中介层基板于此载体基板之上。此中介层基板具有凹槽，此凹槽穿过该中介层基板的相反面。此中介层基板具有围绕半导体晶粒的内部侧壁，并且此半导体晶粒等高于或高于此中介层基板。此方法还包含在中介层基板的凹槽中形成保护层，以围绕半导体晶粒。另外，此方法包含移除载体基板以及堆叠封装结构于该中介层基板之上。
芯片封装及其形成方法

[发明专利]半导体结构、封装结构、及封装方法-CN202110735270.7在审
发明人：郑心圃;庄博尧;陈硕懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构，包括一第一半导体装置和一第二半导体装置、一第一组导电连接器将第一半导体装置机械地和电性地接合到第二半导体装置、一第一底部填充剂位于第一半导体装置和第二半导体装置之间并围绕第一组导电连接器、一第一密封剂位于第一半导体装置和第二半导体装置和第一底部填充剂的至少侧壁、以及第二组导电连接器电性耦接到第一半导体装置，第二组导电连接器与第一组导电连接器位于第一半导体装置的相对侧上。本公开还提供一种封装结构及封装方法。
半导体结构封装方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110635733.2在审
发明人：吴逸文;庄博尧;林孟良;翁得期;洪士庭;蔡柏豪;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置及其制造方法。可使用异相装置以及不对称的双面成型封装技术，在多层重分布结构上制造半导体装置。半导体装置可形成为具有小的轮廓的异相三维扇出晶粒封装结构，且可使用单个承载基板来形成半导体装置。
半导体装置及其制造方法

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