专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法-CN202111148753.3有效
  • 陈新;陈霞;戴礼;郑安琪;胡晓琳;庄乃锋 - 福州大学
  • 2021-09-29 - 2023-10-27 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12,其中x=0.5~1.0。该晶体属立方晶系,空间群为#imgabs0#。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性,可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时,该晶体还具有磁性稀土离子含量高,电子交换作用大,晶体场作用强,磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点,有利于产生较强的磁光效应。此外,本发明磁光晶体为一致熔融化合物,生长温度为1300~1550℃,可采用中频感应提拉法生长,其生长工艺简单、周期短,晶体完整性高,能够实现大规模低成本的批量生产。
  • 一种铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法
  • [发明专利]一种硅酸镧铽磁光晶体及其制备方法-CN202111095678.9在审
  • 陈新;孙文翰;郭正威;胡晓琳;庄乃锋 - 福州大学
  • 2021-09-18 - 2021-12-14 - C30B29/34
  • 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的具有高费尔德常数的硅酸镧铽磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb10‑xLax(SiO4)6O3,其中x=0.5~1。该晶体属六方晶系,空间群为。本发明制得的磁光晶体在可见‑近红外波段具有较好的透光性能,同时,具有较高的磁性稀土离子含量和较强的晶体场作用,故有利于产生较好的磁光性能,其费尔德常数(Verdet constant)远高于目前商品化应用的掺铽玻璃及铽镓石榴石(TGG)晶体。此外,该磁光晶体为一致熔融化合物,生长温度为1960~2050℃,可采用中频感应提拉法生长,工艺简单、周期短,能够实现大规模低成本的批量生产。
  • 一种硅酸镧铽磁光晶体及其制备方法

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