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[发明专利]难溶多金属氧酸盐配位聚合物重构的制备方法-CN200910110862.9无效
发明人：王力 -专利权人：集美大学
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C25B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种难溶多金属氧酸盐基配位聚合物重构的制备方法，它包括以下步骤：(1)难溶多金属氧酸盐基配位聚合物的合成；(2)难溶多金属氧酸盐基配位聚合物的溶解。由于本发明采用离子液体溶解难溶多金属氧酸盐基配位聚合物，再通过电化学手段将多金属氧酸盐配位聚合物沉积在电极上重构多金属氧酸盐配位聚合物的方法，提供一种采用离子液体进行溶解难溶多金属氧酸盐基配位聚合物，提高多金属氧酸盐配位聚合物溶解度且电沉积的方法重构多金属氧酸盐基的配位聚合物，产率高，成本低。
难溶多金属氧酸盐配位聚合物重构制备方法

[发明专利]钯或铂和杂多酸共负载锆基微孔配位聚合物复合材料及其制备方法-CN202010877354.X在审
发明人：李亚丰;宋欣洛;赵邦垚;王元瑞;佟亮亮;李是聪 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本公开提供一种钯或铂和杂多酸共负载锆基微孔配位聚合物复合材料及其制备方法。所述钯或铂和杂多酸共负载锆基微孔配位聚合物复合材料由钯或铂、杂多酸以及锆基微孔配位聚合物构成；其中，杂多酸负载于锆基微孔配位聚合物的内部，形成杂多酸负载锆基微孔配位聚合物复合材料；钯或铂负载于所述杂多酸负载锆基微孔配位聚合物复合材料的内部，形成钯或铂和杂多酸共负载锆基微孔配位聚合物复合材料。本公开的钯或铂和杂多酸共负载锆基微孔配位聚合物复合材料，作为一种多功能催化剂，同时具有酸强度高、稳定性高、催化活性高、催化择形性好等优点。
杂多负载微孔配位聚合复合材料及其制备方法

[发明专利]铽配位聚合物及其合成方法和应用-CN201110188075.3无效
发明人：范瑞清;张会杰;杨玉林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：铽配位聚合物及其合成方法和应用，它属于有机发光材料领域。本发明要解决现有铽配位聚合物荧光寿命短的技术问题。铽配位聚合物的结构是由一维链铽配位聚合物之间通过氢键和π-π堆积作用形成三维超分子网状结构，一维链铽配位聚合物的分子式为Tb(2，2′-bpdc)1.5H2O。方法：室温下将五水合硝酸铽与2，2′-联苯二甲酸溶于蒸馏水中，搅拌溶解，置于反应釜中，加热反应，自然冷却至室温即得到铽配位聚合物。本发明中铽配位聚合物作为有机绿光荧光材料。铽配位聚合物是无色单晶。
配位聚合及其合成方法应用

[发明专利]配位聚合物、配位聚合物膜材料及其制造方法、用途-CN201210089206.7有效
发明人：薛铭;康子曦;裘式纶 -专利权人：珠海市吉林大学无机合成与制备化学重点实验室
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C07F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种配位聚合物、配位聚合物膜材料及其制造方法、用途。其中，配位聚合物是由金属Zn离子和有机分子配体配位而成，该种配位聚合物形成的膜材料可以用于分离二甲苯同分异构体的分离。
配位聚合材料及其制造方法用途

[发明专利]一种纳米级金属有机配位聚合物及其制备方法和应用-CN202310899343.5在审
发明人：凌祥;王天妍;汪致远 -专利权人：中国药科大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A61K47/69 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级金属有机配位聚合物及其制备方法和应用。本发明的纳米级金属有机配位聚合物包括金属有机配位聚合物内核和两亲性脂质外壳，所述两亲性脂质外壳包裹在金属有机配位聚合物内核外；所述金属有机配位聚合物内核由抗癌药物与水溶性金属盐采用反向微乳聚合法制成。本发明提供的金属有机配位聚合物及其制备方法相对于传统纳米递送系统，制备方法简单，制备的金属有机配位聚合物粒径可控，粒子均一、稳定，显著提高了抗癌药物的溶解度和生物利用度，促进了药物的靶向和低毒给药。
一种纳米金属有机配位聚合及其制备方法应用

[发明专利]一种铁配位聚合物纳米颗粒的解离方法及其应用-CN201710915116.1有效
发明人：田华雨;王艳兵;徐彩娜;陈学思 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁配位聚合物纳米颗粒的解离方法，包括：铁配位聚合物纳米颗粒采用解离剂进行解离，所述解离剂选自去铁胺、去铁酮、乙二胺四乙酸和乙二胺四乙酸二钠盐中的一种或几种；所述铁配位聚合物纳米颗粒由包括多酚、三价铁盐和高分子聚合物制备得到。本发明采用特定的解离剂对铁配位聚合物纳米颗粒进行解离，该铁配位聚合物纳米颗粒在解离剂的作用下，可被快速解离成小的纳米颗粒或小分子溶液。该解离方法可以快速清除体内的铁配位聚合物纳米颗粒，尤其是肝脏处的铁配位聚合物纳米颗粒，降低对肝脏造成的潜在伤害。
一种配位聚合纳米颗粒解离方法及其应用

[发明专利]一种基于CoCuCdTCPP配位聚合物修饰的电化学传感器及其制备方法和应用-CN201710213627.9有效
发明人：周泊;丁丹 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CoCuCdTCPP配位聚合物修饰的电化学传感器及其制备方法和应用。该电化学传感器由CoCuCdTCPP配位聚合物悬浊液滴涂于电极表面制成；所述CoCuCdTCPP配位聚合物包括双金属CuCdTCPP和CoCdTCPP配位聚合物以及三金属体系CuCoCdTCPP配位聚合物本发明中的CoCuCdTCPP配位聚合物运用于电化学传感中均是首次，由于CoCuCdTCPP配位聚合物具有多个金属活性中心修饰电极形成的电化学传感器可以有效稳定地检测亚硝酸和钠过氧化氢，响应时间短，灵敏度高
一种基于 cocucdtcpp 配位聚合修饰电化学传感器及其制备方法应用

[发明专利]三维Cu(II)配位聚合物及其制备方法及利用其制备的一维Cu(I)配位聚合物及方法-CN201510955222.3在审
发明人：范瑞清;宋阳;刘志威;谭才图;王学涛;杨玉林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：三维Cu(II)配位聚合物及其制备方法及利用其制备的一维Cu(I)配位聚合物及方法，它涉及一种制备Cu(II)配位聚合物及其制备方法及利用其制备的Cu(I)配位聚合物及方法。本发明的目的是要解决现有制备Cu(I)配位聚合物合成方法繁琐，黄色荧光材料的原料成本高。一种三维Cu(II)配位聚合物的分子式为[Cu₂(C₂₅H₁₅N₂O₇)·H_{2配位聚合物制备。本发明可获得一种三维Cu(II)配位聚合物。}
三维 cu ii 配位聚合及其制备方法利用

[发明专利]一种手性单螺旋配位聚合物及其制备方法-CN201410314637.8无效
发明人：段晶晶 -专利权人：段晶晶
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C07F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及配位聚合物领域，具体涉及一种手性单螺旋配位聚合物及其制备方法。一种手性单螺旋配位聚合物，化学式为C12H14N6S2Zn，所述手性单螺旋配位聚合物为正交晶系，C2221空间群，晶胞参数为a=6.4738(15)Å，b=15.871(4)Å，c=16.808(4)Å本发明的配位聚合物为手性化合物，可作为潜在的手性催化及手性分离材料。
一种手性螺旋配位聚合及其制备方法

[发明专利]配位聚合方法-CN90101696.9无效
发明人：乔那桑·H·西达尔 -专利权人：陶氏化学公司
申请日： 1990-03-27 - 公布日： 1990-10-10 - 主分类号： C08F2/00 文献下载
摘要：一种聚合方法，其中包括使配位聚合单体与配位聚合催化剂在配位聚合条件下于反应条件下不存在在死区并且其中所有与反应物料相接触的表面都受到机械擦拭作用的反应器内相接触，所述的聚合反应在足以形成粒状固体聚合物的时间内进行按照本发明方法可以由配位聚合单体制备可以自由流动的细碎粒状固体聚合产物。
配位聚合方法

[发明专利]基于异氰基配位的二维配位聚合物-CN202111648788.3有效
发明人：庄小东;封博谞;赵雅真;焦义飞;王可 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于异氰基配位的二维配位聚合物，该二维配位聚合物是基于异氰基的，由碳原子与过渡金属离子进行配位的二维配位聚合物。拓展了现有的二维配位聚合物的种类，也为开发出具有新性能的聚合物提供了可能。
基于异氰基配位二维配位聚合

[发明专利]一种手性双螺旋配位聚合物及其制备方法-CN201510133513.4在审
发明人：何军;何永和;曹鹏;段晶晶 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及配位聚合物领域，具体涉及一种手性双螺旋配位聚合物及其制备方法。一种手性双螺旋配位聚合物，其特征在于：化学式为C14H20ClCuN6O4，所述手性双螺旋配位聚合物为六方晶系，P3121空间群，晶胞参数为a=12.4657(8) Å，b=12.466 Å，c=11.0157本发明的配位聚合物为手性化合物，可作为潜在的手性催化及手性分离材料。
一种手性双螺旋配位聚合及其制备方法

[发明专利]一种两性羧酸四核铜金属配位聚合物及其制备方法-CN201610403491.3有效
发明人：陈金香;覃亮;陈文华;刘叔文;谢宝平;孙斌 -专利权人：南方医科大学
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种两性羧酸四核铜金属配位聚合物，该两性羧酸四核铜金属配位聚合物是重复结构单元为下式(Ⅰ)所示的铜配位聚合物。所述的铜配位聚合物用N‑(3,5‑二羧基苄基)‑(4‑羧基苯)溴化吡啶与铜盐反应合成。本发明所述的四核铜金属配位聚合物具有良好的水溶性，可检测胃癌患者外周血中高表达的五种miRNA，一种两性羧酸四核铜金属配位聚合及其制备方法

[发明专利]基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法-CN201811267812.7有效
发明人：修飞;花蔚蔚 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法，该存储器包括自下而上依次设置的衬底、基于苯四胺的配位聚合物薄膜、上电极；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜的厚度为60nm本发明首次通过控制配位聚合物薄膜的厚度为60nm，实现了非易失性一次写入多次读取存储器件的制备。同时基于配位聚合物薄膜对衬底的无依赖性，以柔性导电材料为下电极，实现基于此配位聚合物薄膜电极的柔性存储器的制备，适应未来柔性电子器件的发展需求。本发明的配位聚合物薄膜制备方法直接成膜，方便转移，提高了器件制备效率。
基于苯四胺配位聚合薄膜一次写入多次读取存储器及其制备方法

[发明专利]一种含柔性咪唑基配体Cu(II)三维配位聚合物及其制备方法-CN201711341535.5在审
发明人：钟开龙;胡虹 -专利权人：南京科技职业学院
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及配位聚合物材料领域，一种铜三维配位聚合物及其制备方法。一种铜三维配位聚合物，化学式为C20H24N6O6SCu，所述铜三维配位聚合物属于三斜晶系，P‑1空间群，晶胞参数为a＝8.7806(10)Å，b＝9.7391(11)Å，c＝13.1214(15)Å，本发明的铜三维配位聚合物制备方法操作简单、方便，重现性好、产率高，合成出来的材料缺陷少，结晶度高，稳定性好。该铜三维配位聚合物在分子磁体、催化等领域有非常好的潜在的应用前景。
三维配位聚合物制备配位聚合物材料材料缺陷分子磁体晶胞参数三斜晶系结晶度空间群潜在的重现性咪唑基产率配体催化合成应用

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