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[发明专利]一种磁传感部件、磁传感器及磁传感部件的制备方法-CN201910488095.9在审
发明人：朱忻;金键;何彬德;帕勒布·巴特查亚 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁传感部件、磁传感器及磁传感部件的制备方法，包括：磁传感部件基体，对磁传感部件基体的两面通过抛光工艺处理形成两抛光面，在其中任一的抛光面上加工处理形成钝化层，在钝化层的部分区域上设置有粘合层，在粘合层上贴合有磁敏功能层，在磁敏功能层上设置有应力保护层，应力保护层覆盖在磁敏功能层和钝化层的剩余部分区域上。本发明磁传感部件整体结构较薄，将其反装于主磁路或导磁回路中，使得整体磁路缝隙减小，在保证磁传感器整体机械强度的基础上，提高了磁传感器的检测精度。
一种传感部件传感器制备方法

[实用新型]一种磁传感部件及磁传感器-CN201920845585.5有效
发明人：朱忻;金键;何彬德;帕勒布·巴特查亚 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁传感部件及磁传感器，包括：磁传感部件基体，对磁传感部件基体的两面通过抛光工艺处理形成两抛光面，在其中任一的抛光面上加工处理形成钝化层，在钝化层的部分区域上设置有粘合层，在粘合层上贴合有磁敏功能层，在磁敏功能层上设置有应力保护层，应力保护层覆盖在磁敏功能层和钝化层的剩余部分区域上。本实用新型磁传感部件整体结构较薄，将其反装于主磁路或导磁回路中，使得整体磁路缝隙减小，在保证磁传感器整体机械强度的基础上，提高了磁传感器的检测精度。
一种传感部件传感器

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201710093647.7有效
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及霍尔传感器技术领域，所述的霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：在半导体单晶衬底上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层；在晶格渐变层上形成缓冲层；在缓冲层上形成与缓冲层晶格常数相匹配的腐蚀隔离层；在腐蚀隔离层上形成与其晶格常数相匹配的霍尔功能层；依次去除半导体单晶衬底、晶格渐变层、缓冲层以及腐蚀隔离层。本发明避免了传统的高缺陷密度的缓冲层对霍尔元件性能的严重影响，使得最后剩下的霍尔功能层具有低缺陷密度，从而使得制得的霍尔元件具有更高的霍尔输出电压，有效地提高了霍尔元件的性能。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN201811538851.6在审
发明人：胡双元;帕勒布·巴特查亚 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光电探测器及其制备方法，旨在解决现有PIN型铟镓砷光电探测器寄生电容较大，影响所述光电探测器响应速度的问题，其技术要点在于包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成接触区；接触区上部直接设置有电极引线；沿通孔靠近接触区的一侧的任一切线方向，形成有贯通InP缓冲层、InGaAs光敏层以及InP帽层的沟道，并沿InP衬底的平行面方向，将三者分割为两部分；本发明有效减少了电极引线形成的寄生电容，提高了光电探测器的响应速度。
光电探测器钝化层接触区帽层第二电极电极引线寄生电容光敏层衬底通孔制备铟镓砷光电探测器半导体技术领域通孔内侧壁层叠设置技术要点区域延伸有效减少直接设置半绝缘平行面线方向响应沟道贯通分割暴露

[发明专利]一种半导体激光器的散热封装结构-CN201811538580.4在审
发明人：胡双元;帕勒布·巴特查亚;蒋培 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体激光器的散热封装结构，旨在解决现有技术中需要单独为半导体激光器配备半导体制冷器，导致半导体激光器体积较大的问题，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中，半导体激光器堆叠在半导体制冷器上方的金属层上。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光器产生的热量通过金属层传递到半导体制冷器向外界吸热的冷端，相较于现有技术中单独为半导体激光器配备半导体制冷器，最终使封装的半导体激光器体积减小，提高激光器的性能。
半导体激光器半导体制冷器金属层封装散热封装结构半导体封装技术吸热体积减小整体封装激光器配备堆叠冷端芯片传递

[发明专利]一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法-CN201910088517.3在审
发明人：朱忻;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及光纤通信传输技术领域，具体涉及一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法，旨在解决现有技术中铌酸锂波导芯片的尺寸较大、制备工艺较为复杂、封装工艺较为简陋的问题，其技术要点在于使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低；通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应，通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度，能够保证较好的射频匹配，而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现；完善的封装工艺可以降低漏电现象发生的概率，避免因环境潮湿而导致的短路现象的发生。
铌酸锂光调制器制备氢化非晶硅封装工艺波导减小封装光纤通信传输上金属电极铌酸锂波导波导结构短路现象二氧化硅高折射率光电效应光纤接口环境潮湿技术要点金属电极漏电现象制备工艺铌酸锂基波导层波导线电压低非晶硅最大化射频调制匹配芯片穿过保证概率

[实用新型]一种晶体外延结构-CN201721698988.9有效
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；晶格匹配层和第二晶格失配层，依次设置在所述第一表面上；第一晶格失配层，设置在所述第二表面上；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本实用新型中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
晶格失配层晶体外延衬底本实用新型晶格匹配层第二表面第一表面半导体器件领域半导体器件性能单调递减单调递增晶格常数依次设置应变状态位错

[实用新型]一种半导体激光器-CN201721745092.1有效
发明人：马栋梁;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光器产生的热量通过金属层传递到半导体制冷器向外界吸热的冷端，相较于现有技术中单独为半导体激光器配备半导体制冷器，最终使封装的半导体激光器体积减小,提高激光器的性能。
半导体激光器半导体制冷器金属层封装本实用新型吸热体积减小整体封装激光器冷端芯片传递配备

[发明专利]一种半导体激光器-CN201711338382.9在审
发明人：马栋梁;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光器产生的热量通过金属层传递到半导体制冷器向外界吸热的冷端，相较于现有技术中单独为半导体激光器配备半导体制冷器，最终使封装的半导体激光器体积减小,提高激光器的性能。
一种半导体激光器

[发明专利]一种晶体外延结构及生长方法-CN201711294749.1在审
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本发明中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
一种晶体外延结构生长方法

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