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[发明专利]一种面向模拟光计算的全光非线性激活器及其实现方法-CN202310905572.3在审
发明人：任翱博;藤彩洪;巫江;李创 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向模拟光计算的全光非线性激活器及其实现方法，涉及光学非线性技术领域。该全光非线性激活器包括入射光提供装置、光环形器及与所述光环形器连接的非线性介质，所述入射光提供装置向所述光环形器输入入射光，所述光环形器用于向所述非线性介质传输正向入射的光信号并输出所述非线性介质反向传播的光信号，所述非线性介质用于产生所需的光学非线性响应。可以实现提供具有全光结构的光学非线性激活器，且非线性响应过程中不涉及光电转换，从而更充分的发挥光学优势，支撑全光神经网络的实现，同时稳定性高，响应速度快。解决了现有的光学非线性激活器存在稳定性、响应速度低且不符合高速计算要求的问题。
一种面向模拟计算非线性激活及其实现方法

[发明专利]一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法-CN202210035563.9有效
发明人：巫江;黄一轩;任翱博;沈凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，属于浊度测试技术领域，目的在于提供一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，解决现有浊度测试系统检测不便、检测时间地点受控制的问题。其包括MoSe2‑O2光电探测器、照明源、激光驱动器、探测器驱动器、低噪声放大器，所述低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2‑O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。本发明适用于光电探测器浊度测试系统。
一种基于光电探测器浊度测试系统构建方法

[发明专利]一种基于神经网络与数据差分的锂电池热失控分层预警方法-CN202210562350.1有效
发明人：孙启皓;郑寅午;司致远;李辰骏;张语芯;汪子涵;沈凯;任翱博;巫江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G08B31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于神经网络与数据差分的锂电池热失控分层预警方法，属于电池消防技术领域，其通过神经网络修正低保真数据与差分预测，减少预测滞后的同时提高预测预防效果，具有较好的推广价值。
一种基于神经网络数据锂电池失控分层预警方法

[发明专利]一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料、制备方法及应用-CN202310740401.X在审
发明人：任武洋;王志明;巫江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N10/853 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料、制备方法及应用，涉及热电材料技术领域。解决了现有半霍伊斯勒热电材料本征晶格热导率较高以及常规熔融法制备工艺受组分元素熔点差异局限的问题。该材料是由非化学计量比的Zr、Ni、Bi元素组成且晶体结构中具有本征空位缺陷的半霍伊斯勒热电材料，其化学式为Zr0.88NiBi。还提供一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料的制备方法，按预设比例取Zr、Ni、Bi单质，使用高能球磨法对原料进行球磨，获得无块状凝结的混合粉末；采用热压烧结工艺对混合粉末进行固化得热压烧结样品；对热压烧结样品进行高温退火，降温冷却至室温得到成品。本发明的半霍伊斯勒材料晶格热导率低，性能优异。
一种缺陷态半霍伊斯勒热电材料制备方法应用

[发明专利]一种高性能光电探测器的制备方法-CN202210036065.6有效
发明人：巫江;黄一轩;任翱博;沈凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种高性能光电探测器的制备方法，解决现有二硒化钼光电探测器存在结构缺陷、不稳定性、低光响应的问题。其采用有效的O2等离子体处理来制备用于可见光和近红外探测的多层MoSe2光电探测器，经O2等离子体处理的MoSe2表现出显著改善的性能，在MoSe2内部产生强大的内建电场，有效地抑制了光载流子的复合，明显提升光电性能。本发明适用于高性能二硒化钼光电探测器的制备方法。
一种性能光电探测器制备方法

[发明专利]一种人工突触晶体管阵列及其调控方法和应用-CN202110461811.1有效
发明人：李彩虹;杜文;巫江;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工突触晶体管阵列，由下到上依次设置有衬底层、沟道层和电极层。本发明的人工突触晶体管阵列通过在所述衬底层上依次设置所述沟道层和所述电极层，并利用所述衬底层的硅作为背栅结构，利用将所述沟道层的材料为大面积均匀的多层二硫化钼，使晶体管可以实现阵列化且可以工作在可见光和近红外光波段，且二硫化钼富含缺陷态，可以增强载流子的束缚，实现强突触可塑性、高敏感性和低功耗。因此使得人工突触晶体管集传感‑存储‑预处理功能为一体，从而可以实现对人眼感知和人脑存储的模拟。
一种人工突触晶体管阵列及其调控方法应用

[发明专利]一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法-CN202110740607.3有效
发明人：巫江;杜文;李彩虹;龙自扬;黄一轩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法。所述光电探测器从下到上依次包括衬底层、光响应层、电极层；所述光响应层为富含缺陷的MoxWySz合金薄膜；所述MoxWySz合金薄膜以氯化钠促融制备。本发明通过将光响应层设置为富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，从而使得光电探测器具有持续光电导效应；通过设置比较器模块，使得图像逻辑运算处理器单元能够执行逻辑运算。所述限域倾斜CVD法中的NaCl能够促进MoS2和WS2的融合，从而生长富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，该薄膜中的缺陷可以束缚光生载流子，从而阻碍光生载流子的复合。
一种光电探测器具有记忆功能运算处理器制备方法

[发明专利]一种具有抗倾覆功能的穿梭式重载RGV及控制方法-CN202210398674.6有效
发明人：唐荣联;巫江 -专利权人：中机中联工程有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B66F7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有抗倾覆功能的穿梭式重载RGV及控制方法，属于物料搬运领域，包括穿梭式重载RGV车组、与穿梭式重载RGV车组的一端通过连接机构连接的抗倾覆装置从动车、设置在穿梭式重载RGV车组和抗倾覆装置从动车下部的地面轨道装置以及敷设在地面的非接触供电装置；穿梭式重载RGV车组远离抗倾覆装置从动车的一端依次连接有控制装置、与非接触供电装置电连接的取电装置，抗倾覆装置从动车的另一端依次连接有液压装置、通讯装置和安全保护装置；穿梭式重载RGV车组包括举升装置以及通过第二级力均衡装置两端与举升装置相连的多个重载RGV车组，通过多个重载RGV车组提高的RGV的总的承载能力，抗倾覆支撑装置保证抗倾覆效果。
一种具有倾覆功能穿梭重载 rgv 控制方法

[实用新型]一种用于光电二极管的微弱电流检测电路-CN202320216909.5有效
发明人：巫江;何巧;任翱博;罗丽;黄一轩;徐可萱;周翔宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于光电二极管的微弱电流检测电路，包括前级放大电路和后级放大电路，前级放大电路设置第一运算放大器，第一运算放大器的第一引脚通过电阻与后级放大电路电气连接，且第一引脚通过反馈电阻反向连接第一运算放大器的第四引脚，第一运算放大器的第三引脚接地，第四引脚与光电二极管的输出端电气连接；后级放大电路设置有第二运算放大器，第二运算放大器包括第一通道和第二通道，第一通道的第一引脚通过滤波电路与第二通道的第五引脚电气连接，且第一通道的第一引脚通过反馈电阻反向连接第一通道的第二引脚，第一通道的第三引脚与由第五电阻和第六电阻构成的并联电路电气连接并接地，第二通道的第六引脚与第七引脚电气连接。
一种用于光电二极管微弱电流检测电路

[实用新型]一种适用于靠柱边设置物流通道的终端连接支架-CN202320316273.1有效
发明人：张烜;巫江;叶佳楠;胡嘉宸;屈伸;张可平 -专利权人：中机中联工程有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本实用新型属于机电安装设备技术领域，涉及一种适用于靠柱边设置物流通道的终端连接支架，包括配电柜支架与水气终端支架，配电柜支架与水气终端支架分别设置在车间柱非物流通道的两侧，且安装完成面不超过车间立柱的翼缘端；配电柜支架及水气终端支架通过化学锚栓分别固定在车间地坪与车间柱上，化学锚栓采用成品，满足支架安装要求。本实用新型通过合理设置终端支架并合理排布终端位置，解决了物流通道及工艺设备需靠车间柱边设置的问题，同时规范了厂房立柱周围的管线及公用终端，便于维护，易于管理使用且整齐美观。
一种适用于靠柱边设置物流通道终端连接支架

[发明专利]基于RFID和时间反演电磁学的传感系统-CN202210609691.X有效
发明人：李荐育;徐浩;巫江;辛雅轩;王子晨;邹吉化;皇甫学丰;胡锐冰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06K7/08 文献下载
摘要：本发明公开基于RFID和时间反演电磁学的传感系统，属于传感技术领域，包括多个阵列排布的RFID天线传感器和其周围的多个TRM收发一体单元，各RFID天线传感器均对应一个空间位置，内部存储所有空间位置的仿真时间反演信号；对一待测空间位置，各TRM收发一体单元将对应仿真时间反演信号进行处理，发射后在待测空间位置汇聚成高斯脉冲电磁波信号，待测空间位置处的RFID天线传感器反射回蕴含当前环境位置信息的天线反射电磁波，经各TRM收发一体单元实时处理后，获得待测空间位置的环境变化。本发明可实现对空间中任意位置传感器的实时读取，进而获取环境信息，具有高信息保留度、高空间分辨率和高能量利用率的特点。
基于 rfid 时间反演电磁学传感系统

[发明专利]一种用于光学麦克风的三通道数据采集系统-CN202310114854.1在审
发明人：巫江;何巧;任翱博;罗丽;黄一轩;徐可萱;周翔宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于光学麦克风的三通道数据采集系统，包括依次级联的微弱电流放大电路、MCU、程控开关、串口电平转换模块和上位机，MCU通过串口电平转换模块与上位机双向通信连接，微弱电流放大电路包括第一微弱电流放大电路、第二微弱电流放大电路和第三微弱电流放大电路，三通道微弱电流放大电路分别接收三个光电探测器输出的微弱电流信号并转化为三路电压信号输出至MCU，MCU通过编程控制程控开关及MCU内置的第一ADC模块、第二ADC模块和第三ADC模块，分别接收微弱电流放大电路输出的三路电压信号并将其转换为数字信号，实现三通道数据同步采集，模数转换后的信号经滤波和编帧处理后存储在MCU内置的FLASH中，上位机通过串口发送指令后可读出FLASH中存储的数据。
一种用于光学麦克风通道数据采集系统

[发明专利]一种光电探测器的制备方法-CN202210036059.0有效
发明人：巫江;沈凯;周翔宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于使用多功能修饰策列，提供一种高性能光电薄膜材料用于高性能光电探测器。首先通过熔盐与水浴相结合的方法特定合成溴基团修饰的金属碳化物纳米颗粒(Br‑MNPs)，然后将Br‑MNPs与钙钛矿前驱体溶液混合，由于溴离子与前驱体溶液中碘铅八面体的相互作用力，使其优先富集在Br‑MNPs周围减少了成核位点，最终实现了高取向的钙钛矿薄膜，且弥补了卤素离子空位和钝化了晶界。同时，提供额外的载流子传输通道，以促进激子分离并提高光生电子提取能力，大大提升了光电探测器的响应速率和探测率。本发明适用于得到高质量钙钛矿薄膜以及促进其在光电探测器方面的应用研究。
一种光电探测器制备方法

[发明专利]一种柔性光电探测器阵列的制备方法-CN202111586089.0有效
发明人：巫江;沈凯;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性光电探测器阵列的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于提供一种柔性光电探测器阵列的制备方法，解决现有钙钛矿探测器器件技术中材料空气稳定性较差、载流子输运较慢的不足，以及胶体量子点中存在大量团簇现象和目前传统探测器中无法与柔性衬底兼容的问题，其基于全无机金属卤素全无机钙钛矿量子点提出了一种有效的制备方法，通过低频和室温的超声处理以及精准的机械刻划方法实现了高性能的柔性光电探测器阵列。本发明适用于高光谱光电探测器的制备工艺。
一种柔性光电探测器阵列制备方法

[发明专利]一种红外探测器及其制备方法-CN202211396211.2在审
发明人：巫江;袁琪;崔欣悦;沈凯;李创;任翱博;郭大千 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，涉及红外探测器制造技术领域，具体为一种低暗电流、高量子效率的高性能红外探测器，解决了现有红外探测器在高工作温度下暗电流急剧增加、量子效率低、器件性能较差的问题，所述红外探测器从下至上依次为：衬底、缓冲层、底部接触层、吸收层、电子阻挡层、顶部接触层；所述红外探测器还包括与底部接触层欧姆接触的金属下电极，与顶部接触层欧姆接触的金属上电极；本发明通过在吸收层内部，设计一个或多个相同或不同类型的缓变结构的吸收层，各阶梯缓变结构之间的导带及价带位置均存在明显差异，可实现吸收层光生载流子的定向输运，降低器件暗电流，提高器件探测性能。
一种红外探测器及其制备方法

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