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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201810729739.4有效
发明人：金成吉;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件，其包括堆叠结构、通道孔、介电层、通道层、钝化层以及空气隙。堆叠结构包括交替地堆叠在彼此上的导电层图案与层间绝缘层图案。通道孔穿透所述堆叠结构。介电层设置在所述通道孔的侧壁上。通道层设置在所述介电层上及所述通道孔中。钝化层设置在所述通道层上及所述通道孔中。所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间。空气隙被所述钝化层环绕。所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。本公开的半导体器件可提高操作速度、耐用性并改善性能。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201810711070.6有效
发明人：金成吉;金智美;金泓奭;南泌旭;安宰永;崔至薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括多个导电图案和绝缘图案。多个导电图案可以形成在衬底上。多个导电图案可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开。多个导电图案中的每一个可以具有延伸部分和台阶部分。台阶部分可以设置在对应导电图案的边缘处。绝缘图案可以在竖直方向上形成在多个导电图案之间。多个导电图案中的每一个的台阶部分的下表面和上表面可以向上弯曲。
半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201810374094.7有效
发明人： 崔至薰;金成吉;金智美;金泓奭;南泌旭;安宰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：顺序堆叠在基板上的栅电极；穿过栅电极并且连接到基板的沟道结构；绝缘间隙填充图案，提供在沟道结构内并且当在俯视图中看时被沟道结构围绕；以及导电图案，在绝缘间隙填充图案上。绝缘间隙填充图案的至少一部分被接收在导电图案中，并且导电图案的至少一部分插设在绝缘间隙填充图案的所述至少一部分和沟道结构之间。
三维半导体器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201811040526.7有效
发明人：金成吉;李相受;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永;李商勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202211419300.4在审
发明人：姜相敏;金廷奂;金亨俊;崔至薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括在基底上的栅电极和延伸穿过栅电极的存储器沟道结构。栅电极在与基底的上表面基本上垂直的竖直方向上彼此间隔开。存储器沟道结构在基底上沿竖直方向延伸。存储器沟道结构包括在竖直方向上延伸的第一填充图案、在第一填充图案的侧壁上的沟道以及在沟道的侧壁上的电荷存储结构。第一填充图案包括在约25℃的温度下具有等于或大于约100W/m·K的热导率的材料。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器件-CN201710863071.8有效
发明人：金成吉;崔至薰;金东谦;卢镇台;金智美;金泓奭;南泌旭;安宰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器件可以包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极；下半导体图案，从衬底的顶部突出；竖直绝缘图案，从衬底沿竖直方向延伸并穿透堆叠结构；和竖直沟道图案，在竖直绝缘图案的内表面上并且接触下半导体图案，其中下半导体图案的上部包括具有曲面形外形的凹入区域，并且在凹入区域中，竖直沟道图案的下部的外表面沿着凹入区域的曲面接触下半导体图案。
半导体存储器件

[发明专利]垂直存储器件-CN202110641031.5在审
发明人：姜相敏;H.杨;崔至薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种垂直存储器件包括：在衬底上的沟道，沟道在垂直于衬底的上表面的垂直方向上延伸；在沟道的外侧壁上的电荷存储结构，电荷存储结构包括在平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案；以及在衬底上在该垂直方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极围绕电荷存储结构。第一阻挡图案包括含有卤素元素的硅氧化物，包括在第一阻挡图案中的卤素元素的浓度从第一阻挡图案的面对栅电极中的相应栅电极的外侧壁朝向第一阻挡图案的面对电荷存储图案的内侧壁降低。
垂直存储器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810386342.X有效
发明人： 崔至薰;金成吉;金智美;金泓奭;南泌旭;安宰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其可包括衬底、包含堆叠在衬底上的电极的电极结构、穿透至少部分电极结构的上部半导体图案以及位于衬底与上部半导体图案之间的下部半导体图案。上部半导体图案包含间隙填充部分以及从间隙填充部分在远离衬底的方向上延伸的侧壁部分，下部半导体图案包含凹形顶部表面，间隙填充部分填充由凹形顶部表面所包封的区域，间隙填充部分的顶部表面具有朝向衬底变形的圆形形状，且侧壁部分的厚度小于间隙填充部分的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有电荷固定层的半导体器件-CN201710722606.X有效
发明人：南泌旭;金亨俊;金成吉;崔至薰;金智美;金泓奭;安宰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层、穿透栅电极和层间绝缘层的沟道层、在栅电极与沟道层之间的栅极电介质层、填充沟道层的内部的至少一部分的填充绝缘体、在沟道层与填充绝缘体之间并且包括高k材料和/或金属的电荷固定层、以及连接到沟道层并在填充绝缘体上的导电焊盘。导电焊盘可以与电荷固定层物理分离。
具有电荷固定半导体器件

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202010418938.0在审
发明人：金廷奂;金成吉;金东谦;金智美;崔至薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体存储器装置。所述装置可以包括：衬底上的第一源导电图案，其包括包含第一晶粒的多晶材料，衬底可以包括包含第二晶粒的多晶材料，第一晶粒的粒度小于第二晶粒的粒度；堆叠件，其包括多个栅电极，所述多个栅极堆叠在第一源导电图案上；以及竖直沟道部分，其穿透堆叠件和第一源导电图案，并且竖直沟道部分与第一源导电图案的侧表面接触。
三维半导体存储器装置

[发明专利]垂直型存储器件-CN201710541567.3有效
发明人：南泌旭;金成吉;崔至薰;S.金;安宰永;金泓奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种垂直型存储器件可以包括：在衬底上垂直地延伸的沟道层；在衬底上在沟道层的一侧的地选择晶体管，地选择晶体管包括第一栅绝缘部分和第一替代栅电极；在第一替代栅电极上的蚀刻控制层；以及在蚀刻控制层上的存储单元，存储单元包括第二栅绝缘部分和第二替代栅电极。蚀刻控制层可以包括用碳、N型杂质或P型杂质掺杂的多晶硅层，或者可以包括包含碳、N型杂质或P型杂质的多晶硅氧化物层。第一替代栅电极的厚度可以与第二替代栅电极的厚度相同，或者第一替代栅电极可以比第二替代栅电极更厚。
垂直存储器件

[发明专利]垂直半导体装置-CN202010545433.0在审
发明人：金成吉;金智美;金东谦;金成珍;金廷奂;金赞炯;崔至薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种垂直半导体装置，可以包括堆叠结构、沟道结构和下部连接结构。堆叠结构可以包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。堆叠结构可以与衬底的上表面间隔开。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道结构可以穿过堆叠结构。下部连接结构可以形成在衬底上。下部连接结构可以与沟道和衬底电连接。下部连接结构的侧壁可以包括突出部，该突出部设置在从衬底的上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处。该垂直半导体装置可以具有高可靠性。
垂直半导体装置

[发明专利]垂直存储器件-CN201910953065.0在审
发明人： 崔至薰;金成吉;金廷奂;金赞炯;李宇城 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供了一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：沟道连接图案，所述沟道连接图案位于衬底上；栅电极，所述栅电极在所述沟道连接图案上沿第一方向彼此间隔开；以及沟道，所述沟道沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述沟道连接图案。每个所述栅电极沿基本上平行于所述衬底的上表面的第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的所述上表面。在所述垂直存储器件的截面图中，所述沟道连接图案的中间部分的上表面在所述第一方向上的高度分别低于所述沟道连接图案的与所述沟道相邻的端部的所述上表面在所述第一方向上的高度，以及所述沟道连接图案的与所述沟道相对的端部的上表面在所述第一方向上的高度。
垂直存储器件

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN201811493187.8在审
发明人： 崔至薰;金东谦;金成吉;金智美;李相受;洪慧垠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件，包括：电极结构，其包括垂直堆叠在半导体层上的电极；垂直半导体图案，其穿透电极结构并连接到半导体层；以及垂直绝缘图案，其在电极结构与垂直半导体图案之间。垂直绝缘图案包括在电极结构的侧壁上的侧壁部分以及沿着半导体层的顶表面的一部分从侧壁部分延伸的突起。垂直半导体图案包括：垂直沟道部分，其具有第一厚度并沿着垂直绝缘图案的侧壁部分延伸；以及接触部分，其从垂直沟道部分延伸并沿着垂直绝缘图案的突起和半导体层的顶表面共形地延伸。接触部分具有大于第一厚度的第二厚度。
半导体层绝缘图案侧壁垂直半导体图案电极结构垂直三维半导体存储器延伸垂直沟道顶表面突起穿透电极垂直堆叠电极共形制造

[发明专利]包括电介质层的半导体器件-CN201710597611.2在审
发明人： 崔至薰;金成吉;金智美;金重浩;金泓奭;南泌旭;安宰永;林汉镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和第一栅电极；穿透所述堆叠结构的开口中的半导体层；所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一电介质层；以及所述堆叠结构中更靠近所述衬底而不是所述第一栅电极的下部图案，所述下部图案包括面对所述第一电介质层的第一表面以及面对所述堆叠结构的第二表面，所述第二表面与所述第一表面限定了锐角，其中所述第一电介质层包括面对所述堆叠结构的第一部分和面对所述下部图案的第一表面的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
包括电介质半导体器件

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