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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610515520.5有效
发明人：石堂仁则;玉川道昭;岩崎俊宽 -专利权人：安靠科技日本公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种半导体器件，其中绝缘材料层不包含诸如玻璃布或无纺布的增强纤维，并且所述半导体器件使得金属薄膜布线层能够小型化，能够减小金属过孔的直径并且减小层间厚度。所述半导体器件包括绝缘材料层和翘曲调整层，所述绝缘材料层包括使用不包含增强纤维的绝缘材料密封的一个或多个半导体元件、多个金属薄膜布线层、以及将所述金属薄膜布线层电连接在一起并且将所述半导体元件的电极与所述金属薄膜布线层电连接在一起的金属过孔，所述翘曲调整层被设置在所述绝缘材料层的一个主表面上以抵消所述绝缘材料层的翘曲而减小所述半导体器件的翘曲。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201610203973.4有效
发明人：渡边真司;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人：安靠科技日本公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的目的在于降低从半导体芯片的元件面至半导体封装件的表面的热阻。另外，易于实现金属的分割图案化，大幅降低因硅与金属的热膨胀系数差而产生的应力，使环境应对可靠性提高。另外，不使用热界面材料(TIM)来制造半导体封装件，从而实现低成本化。本发明提供一种半导体封装件，具有：半导体芯片，具有配置有电极的元件面和与上述元件面相对置的背面，且被树脂覆盖；第一布线，直接或经由在上述树脂中配置的第一开口部而与上述电极相连接；以及第二布线，经由在上述树脂中配置的第二开口部而与上述背面相连接。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010360169.3在审
发明人：石堂仁则;玉川道昭;岩崎俊宽 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种半导体器件，其中绝缘材料层不包含诸如玻璃布或无纺布的增强纤维，并且所述半导体器件使得金属薄膜布线层能够小型化，能够减小金属过孔的直径并且减小层间厚度。所述半导体器件包括绝缘材料层和翘曲调整层，所述绝缘材料层包括使用不包含增强纤维的绝缘材料密封的一个或多个半导体元件、多个金属薄膜布线层、以及将所述金属薄膜布线层电连接在一起并且将所述半导体元件的电极与所述金属薄膜布线层电连接在一起的金属过孔，所述翘曲调整层被设置在所述绝缘材料层的一个主表面上以抵消所述绝缘材料层的翘曲而减小所述半导体器件的翘曲。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体-CN201510896754.4有效
发明人：松原宽明;岩崎俊宽;近井智哉;石堂仁则;渡边真司;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体包括：支撑板(12)，其包含软磁性材料；第1绝缘材料层(13)，其形成在支撑板上；非易失性磁存储元件(11)，其与元件电路面相反侧的面附着固定在第1绝缘材料层上；第2绝缘材料层(14)，其密封非易失性磁存储元件及其周边；布线层(15)，其设置在第2绝缘材料层内；软磁性体层(15b或25)，其包含设置在第2绝缘材料层内的软磁性材料；导电部(16)，其设置在第2绝缘材料层内，将非易失性磁存储元件的元件电路面的电极与布线层连接；磁屏蔽部件(17)，其包含以与非易失性磁存储元件侧面隔着间隔包围非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的方式按壁状配置的软磁性材料，软磁性体层与上述磁屏蔽部件磁连接。
非易失性磁存储元件屏蔽封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910715828.8在审
发明人：松原宽明;近井智哉;石堂仁则;中村卓;本多广一;出町浩;熊谷欣一;作元祥太朗;渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;宫腰武;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置及其制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。
半导体芯片半导体晶片绝缘树脂层绝缘层开口部掩埋导电性材料研磨电极布线半导体元件半导体装置电极电连接间隙形成电连接对置凸块制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510558038.5有效
发明人：松原宽明;近井智哉;石堂仁则;中村卓;本多广一;出町浩;熊谷欣一;作元祥太朗;渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;宫腰武;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201510319756.7有效
发明人：本多广一;渡边真司;岩崎俊宽;石堂仁则;丹羽康一郎;宫腰武;细山田澄和;熊谷欣一;近井智哉;中村慎吾;作元祥太朗;松原宽明 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装件及其制造方法，目的在于实现散热特性优异、可靠性高的半导体封装件。半导体封装件包括：支撑基板、经由粘结材料粘结于上述支撑基板的表面的半导体器件、覆盖上述半导体器件的绝缘层、以及贯通上述绝缘层而将上述半导体器件与外部端子连接的布线，其特征在于，在上述支撑基板的背面侧设置有到达上述半导体器件的第一开口部。上述粘结材料也可以构成上述第一开口部的一部分。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN201510412404.6有效
发明人：渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;出町浩;宫腰武;近井智哉;石堂仁则;松原宽明;中村卓;本多广一;熊谷欣一;作元祥太朗;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体封装件，能够减少层叠型半导体封装件中从下侧芯片向上侧芯片的传热。提供一种半导体封装件，具有：第一半导体封装件，包含第一电路基板和安装于第一电路基板的第一半导体元件；第二半导体封装件，包含第二电路基板和安装于第二电路基板的第二半导体元件，第二半导体封装件与第一半导体封装件层叠；以及导热材料，配置在第一半导体元件上和第一半导体元件周边的第一电路基板上。
半导体封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380079870.6有效
发明人：下手义和;马场伸治;岩崎俊宽;中川和之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种实施方式的半导体装置(SP1)，在配线基板2的基材层(2CR)与半导体芯片(3)之间层叠有与基材层紧贴的阻焊膜(第1绝缘层、SR1)以及与阻焊膜和半导体芯片紧贴的树脂体(第2绝缘层、4)。另外，阻焊膜的线膨胀系数在基材层的线膨胀系数以上，阻焊膜的线膨胀系数在树脂体的线膨胀系数以下，并且基材层的线膨胀系数小于树脂体的线膨胀系数。通过上述结构，能够抑制由温度循环负荷引起的半导体装置的损伤，提高可靠性。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置-CN201410055269.X有效
发明人：渡边正树;马场伸治;德永宗治;岩崎俊宽 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：为了提高半导体装置的倒装芯片焊接的连接可靠性。在半导体装置的制造中使用下述的配线基板，在该配线基板中，横跨该配线基板上表面上的阻焊膜的开口区域的配线的一侧上具有凸点电极，另一侧上具有其上无凸点电极的多个宽幅部分，通过使用上述的配线基板可以在焊料预涂覆步骤中的回流处理期间将所述配线上的焊料分散至各个宽幅部分。这样的配置可以减小各端子上的焊料和各宽幅部分上的焊料之间的高度差，从而增强倒装芯片焊接中的连接可靠性。
制造半导体装置方法

[发明专利]布线结构、印刷基板、半导体装置以及布线结构的制造方法-CN201710108682.1在审
发明人：松原宽明;近井智哉;林直毅;岩崎俊宽 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明提供布线结构、印刷基板、半导体装置以及布线结构的制造方法。该布线结构，以不妨碍信号线等的微细化、也不使膜厚增大的方式使电流量大的布线图案的容许电流增大。该布线结构具备树脂层(1)和形成于所述树脂层(1)的布线(3)，所述树脂层(1)在形成布线的区域内具有多条平行的槽(2)，所述布线(3)由在所述形成布线的区域内的树脂层表面(1a)和所述多条槽的内壁面(1b)形成的镀膜构成。
布线结构印刷半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件、半导体组件及半导体器件的制造方法-CN200410074953.9无效
发明人： 岩崎俊宽 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-09-01 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：在内部配备了半导体芯片(105)的半导体器件(120)上，设置能够与邻接的半导体器件连结的连结部(121、122)。通过该连结部连结多个半导体器件(120)构成基板，通过设置在其主表面上的电极(103)将半导体封装(111)安装在基板上。据此，能够提高安装密度。
半导体器件半导体组件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN02142575.2无效
发明人： 岩崎俊宽;木村通孝;若宫敬一郎;畑中康道 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-08-13 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：为了在安装尺寸大的半导体芯片时确实进行超声波热压接，本发明的半导体器件包括：半导体芯片1；电路基板5，与半导体芯片1相对配置，通过连接用导体4与半导体芯片1电气连接；电极盘2和端子电极6，分别形成在半导体芯片1与电路基板5相对的对置面，与连接用导体4键合；将所述对置面之间的间隙埋置所形成的非导电性树脂7；预定形状的导电性伪图形10，形成在半导体芯片1或电路基板5的对置面。可使对置面之间的温度分布均匀，能够使非导电性树脂7的粘度和温度均匀化，并且抑制超声波的衰减。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN02120621.X无效
发明人：木村通孝;岩崎俊宽;畑中康道;若宫敬一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-05-27 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的课题是抑制芯片的弯曲来提高凸点的接合性。本发明的半导体装置是经设置在半导体芯片1上的功能凸点2将半导体芯片1导电性地连接到芯片安装构件4上的倒装芯片结构的半导体装置，使对抗半导体芯片1的局部的弯曲力的虚设凸点3介于半导体芯片1与芯片安装构件4之间。
半导体装置

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