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[发明专利]三维存储器-CN202110909609.0有效
发明人：姚兰;薛磊;华子群;胡思平;严孟;尹朋岸;张宇澄 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器，该三维存储器包括外围晶圆和阵列晶圆。外围晶圆包括第一外围结构和第二外围结构；阵列晶圆包括衬底以及位于衬底之上的待测试结构和多个互连部，其中，衬底中包括第一阱区和第二阱区，待测试结构包括第一连接端和第二连接端，多个互连部包括：第一互连部，将第一外围结构与第一阱区电连接；第二互连部，将第一外围结构与待测试结构的第一连接端电连接；第三互连部，将第二外围结构与第二阱区电连接；以及第四互连部，将第二外围结构与待测试结构的第二连接端电连接。
三维存储器

[发明专利]晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法-CN202111096518.6有效
发明人：姚兰;尹朋岸 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法。其中，该晶圆包括：衬底；堆叠结构，设置在衬底上，并且包括依次叠置的介质层和绝缘层，在介质层中设置有阻挡层；以及键合层，设置在堆叠结构的远离衬底的表面上，其中，在表面设置有至少一个对准标记结构；其中，阻挡层在衬底上的投影覆盖对准标记结构在衬底上的投影。
晶圆结构以及制造方法

[发明专利]存储器及其制作方法-CN202210793061.2在审
发明人： 尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法，存储器包括：堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构；第一键合结构，包括：第一导电线，位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间，且沿第一方向延伸；其中，所述第一导电线分别与所述第一半导体结构和所述第二半导体结构电连接；所述第一方向平行于水平面。
存储器及其制作方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202210589374.6在审
发明人：王欢;严孟;尹朋岸;肖文静;伍术 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构，包括：衬底；其中，所述衬底包括第一掺杂区域和第二掺杂区域；控制电路，包括源/漏区和栅极结构；其中，所述源/漏区位于所述第一掺杂区域中，所述栅极结构位于所述衬底上；密封环，所述密封环与所述第二掺杂区域耦接，所述密封环包围所述控制电路；所述密封环包括焊盘结构，所述焊盘结构位于所述密封环相对远离所述衬底的一端；其中，所述焊盘结构沿平行于所述衬底方向的截面为口字型或回字型；和/或，所述焊盘结构组成材料的平均晶粒直径小于或等于预设直径阈值，所述预设直径阈值为500nm至600nm。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202210530598.X在审
发明人： 尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：基底；半导体器件，位于所述基底上；第一掺杂阱和第二掺杂阱，位于所述基底中；其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱的掺杂类型不同；密封环，位于所述基底上，与所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱耦接；其中，所述密封环包围所述半导体器件；焊盘，与所述密封环耦接，位于所述密封环相对远离所述基底的一端。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及制作方法、存储器、存储器系统和电子设备-CN202210561945.5在审
发明人： 尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及制作方法、存储器、存储器系统和电子设备，半导体结构包括：第一半导体结构；第一互连结构，位于所述第一半导体结构之上，且与所述第一半导体结构耦接；其中，所述第一互连结构在水平面的投影呈第一多边形；第二互连结构，位于所述第一互连结构之上，且与所述第一互连结构接触；其中，所述第二互连结构在所述水平面的投影呈第二多边形；所述第二多边形与所述第一多边形的重叠面积包括10000平方纳米至20000平方纳米；第二半导体结构，位于所述第二互连结构之上，且与所述第二互连结构耦接。
半导体结构制作方法存储器系统电子设备

[发明专利]三维存储器-CN202110820397.9有效
发明人：姚兰;薛磊;华子群;胡思平;严孟;尹朋岸;元文强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器，包括键合至彼此的外围晶圆和阵列晶圆。阵列晶圆包括：待测试结构(TS)，具有第一连接端(112‑1)和第二连接端(112‑2)；以及多个互连部，包括：第一互连部(123‑1)，将第一触点(116‑1)与第一连接端(112‑1)电连接，其中，第一触点(116‑1)连接至阵列晶圆的衬底中的第一阱区(115‑1)；第二互连部(123‑2)，连接至第二触点(116‑2)，其中，第二触点(116‑2)连接至衬底中的第二阱区(115‑2)；第三互连部(123‑3)，一端与外围晶圆(120)连接，另一端与第二连接端(112‑2)连接；以及第四互连部(123‑4)，其靠近衬底的一侧连接至第二连接端(112‑2)，并且与一侧相对的另一侧被配置为处于浮置状态。
三维存储器

[发明专利]晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件-CN202210349420.5在审
发明人：肖文静;尹朋岸;严孟;胡思平;王欢;伍术;王超;姜有东;锁志勇;张育龙;王永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件，所述方法包括：提供多个待键合晶圆，每个所述待键合晶圆的表面具有介质层，且所述介质层内具有键合凹槽；在所述键合凹槽内填充导电材料，以形成具有第一晶粒尺寸的预键合触点；对至少两个所述待键合晶圆进行键合对准，使得所述待键合晶圆上的所述预键合触点一一接触；进行退火处理，使得至少两个所述待键合晶圆键合，所述预键合触点键合为具有第二晶粒尺寸的融合键合触点。上述方法中，对小晶粒的预键合触点进行退火处理，能够降低退火处理温度、缩短退火处理时间，避免待键合晶圆在长时间高温的退火处理中失效的同时，还能够确保待键合晶圆完成键合后的键合强度。
晶圆键合方法键合晶圆存储器芯片以及半导体器件

[发明专利]一种减小晶圆翘曲的方法及晶圆键合方法-CN202011001472.0有效
发明人：伍术;肖亮;王溢欢;尹朋岸;严孟;王欢;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种减小晶圆翘曲的方法及晶圆键合方法，本发明的方法对在不同方向上存在翘曲度差异的晶圆，确定所述晶圆在不同方向上的翘曲度，并根据不同方向上的所述翘曲值，沿不同方向或者在晶圆的不同区域采用不同的退火策略对所述晶圆进行退火。例如，对晶圆沿某一个方向进行退火，或者在不同方向上设定不同的退火温度进行退火。通过上述不同的退火策略，调整晶圆不同方向上的应力，补偿晶圆不同方向上的翘曲度，使晶圆形状趋于平面化，最终满足加工及器件需求。另外，上述方法可以通过APC实现，只需要对退火策略进行调整便可实现，无需增加额外的步骤或者制程时间，可以实现量产，并且有利于降低生产成品。
一种减小晶圆翘曲方法晶圆键合

[发明专利]半导体器件及其制造方法、存储系统-CN202210345348.9在审
发明人：王欢;尹朋岸;严孟;伍术;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制造方法、存储系统，所述制造方法包括：提供待键合的晶圆；所述晶圆的表面覆盖有键合层，所述键合层的表面为所述晶圆的待键合面；所述待键合面具有第一接触孔；所述第一接触孔贯穿所述键合层，所述第一接触孔的下端与导电结构连接，所述导电结构连接至所述晶圆内的阱区；在所述第一接触孔中填充非金属材料；对所述第一接触孔内的非金属材料进行掺杂，形成待键合的接触结构。
半导体器件及其制造方法存储系统

[发明专利]修正晶圆键合对准偏差的方法、晶圆键合方法及其系统-CN201911037131.6有效
发明人： 尹朋岸;王家文;王涛;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种修正晶圆键合对准偏差的方法及系统，该系统包括：用于测量晶圆的实际厚度的晶圆厚度检测模块、用于存储晶圆的预设厚度及待键合的两片晶圆之间的最远预设距离的存储模块、用于获取晶圆的实际厚度、预设厚度及最远预设距离，并根据这三组参量获得两片晶圆之间的对准偏差值的数据处理模块、驱动移动部件运动的驱动模块及用于承载并固定待键合的晶圆的移动部件。采用本系统可以在键合两片晶圆前，根据晶圆的实际厚度调节两片晶圆之间的实际间距，使该值与两片晶圆之间的预设间距保持一致，两片晶圆键合后，晶圆发生形变量与预期值一致，从而保持两片晶圆之间良好的电性连接性，提高产品良率。
修正晶圆键合对准偏差方法及其系统

[发明专利]三维存储器-CN202110720629.3有效
发明人：姚兰;薛磊;华子群;胡思平;尹朋岸;严孟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开的一方面提供了一种三维存储器，三维存储器包括键合至彼此的外围晶圆和阵列晶圆。外围晶圆包括用于阵列晶圆的外围电路。阵列晶圆包括：待测试结构，包括第一测试端和第二测试端；第一测试互连结构和第二测试互连结构，分别连接至第一测试端和第二测试端；第一管脚连接结构和第二管脚连接结构，分别经由第一测试互连结构和第二测试互连结构连接至待测试结构的第一测试端和第二测试端。
三维存储器

[发明专利]晶圆的调整方法、调整装置、键合控制方法和控制装置-CN202010988133.X有效
发明人： 尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆的调整方法、调整装置、键合控制方法和控制装置。该晶圆的调整方法，包括：获取晶圆的多个结构区域的形变量；根据形变量确定调整平台的各个调整区域的真空吸附值，调整平台用于放置晶圆；控制各调整区域以对应的真空吸附值吸附对应的结构区域，以降低至少部分的结构区域的形变量。该方法利用不同真空值降低晶圆的至少部分结构区域的形变量，实现了对晶圆的至少部分发生形变量的区域的调整，保证了调整后的晶圆基本平整，缓解了因晶圆局部区域的形变量较大对后续其他工艺造成的不利影响。
调整方法装置控制

[发明专利]一种晶圆结构、制造方法和三维存储器-CN202111296139.1在审
发明人： 尹朋岸;胡思平;姚兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆结构、制造方法和三维存储器，该晶圆结构包括：衬底，位于衬底上的膜层，位于膜层中或上的反光图案，位于膜层上的氧化层中的界面键合标记，氧化层位于反光图案远离衬底的一侧，反光图案与界面键合标记在衬底所在平面的正投影重叠。反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度的差值的绝对值大于或等于临界阈值。由于设置的反光图案的图案密度和界面键合标记的图案密度差异较大，从而反光图案和界面键合标记经键合机台光源照射反射的光量也差异较大，在镜头下界面键合标记的明暗对比度较高，可以准确识别界面键合标记，从而提高了晶圆键合对准的准确度。
一种结构制造方法三维存储器

[发明专利]三维存储结构-CN202111046537.8在审
发明人： 尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储结构。该三维存储结构包括：衬底，包括第一功能区；第一导电结构，设置于所述衬底上并与所述第一功能区电连接，用于实现所述三维存储结构的使用功能；第一垂直互连通道，电连接地设置于所述第一导电结构上；第二垂直互连通道，与所述第一垂直互连通道在电化学反应中具有相同的电位。
三维存储结构

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