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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202310411526.8在审
发明人：李镇宇;安东浩;具东建 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：公开了一种存储器件，包括：在衬底上的栅堆叠，包括沿竖直方向交替堆叠的绝缘层和栅电极，并沿竖直方向限定通孔；以及在通孔中的柱结构，柱结构包括：多个沟道部分，在通孔中面向栅电极并具有环形水平截面；多个导电层，在通孔中面向绝缘层，具有环形水平截面并具有相对于沟道部分的内壁朝向通孔的中心突出的内壁；以及可变电阻材料层，在通孔中沟道部分的内壁和导电层的内壁上，并且可变电阻材料层的第一部分沿竖直方向与导电层重叠。
存储器件及其制造方法

[发明专利]硫属化物材料、开关器件、和存储器件-CN202310376723.0在审
发明人：成河俊;康永宰;具本原;朴用永;安东浩;梁基延;梁祐荣;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
硫属化物材料开关器件存储

[发明专利]用于预防或治疗金黄色葡萄球菌感染性疾病的新型组合物-CN202180061780.9在审
发明人：李福律;安东浩 -专利权人：科列普斯生物医药科技有限公司;釜山大学校产学协力团
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A61K38/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于预防或治疗金黄色葡萄球菌感染性疾病的组合物以及一种用于预防或治疗由金黄色葡萄球菌感染引起的血栓性疾病的组合物。根据本发明，即使用抗原的最小组合，通过使用针对金黄色葡萄球菌毒素的抗体的交叉反应性可以彻底抑制金黄色葡萄球菌毒素的细胞溶解。本发明还可以作为一种有效的治疗组合物，通过诱导调理吞噬作用和有效地控制受感染的受试者的血液凝固，来全面消除或缓解由感染引起的综合病理状况，而不是逐个地改善由金黄色葡萄球菌感染引起的个体症状。
用于预防治疗金黄色葡萄球菌感染性疾病新型组合

[发明专利]非易失性存储器件-CN201710654882.7有效
发明人：吴哲;朴正熙;安东浩;李镇宇;申喜珠;李兹傧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
非易失性存储器

[发明专利]形成具有阈值开关器件的半导体器件的方法-CN201710657323.1有效
发明人：梁民圭;朴盛健;成东俊;安东浩;李政武;崔雪;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。
形成具有阈值开关器件半导体器件方法

[发明专利]基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件-CN202210773794.X在审
发明人：梁基延;权世甲;成河俊;安东浩;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件。所述基于硫属化物的材料包括：硫属化物材料和掺杂剂。所述硫属化物材料包括Ge、Sb和Se。所述掺杂剂包括选自In、Al、Sr和Si的至少一种金属或准金属元素、所述金属或准金属元素的氧化物、或者所述金属或准金属元素的氮化物。
基于硫属化物材料以及包括开关元件存储器件

[发明专利]开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件-CN202210367881.5在审
发明人：崔旻雨;具本原;朴用永;成河俊;安东浩;梁基延;梁祐荣;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
开关器件制造方法以及包括存储

[发明专利]电阻式存储器装置-CN202210423496.8在审
发明人：金充满;具本原;安东浩;梁基延;吴哲;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
电阻存储器装置

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201710631798.3有效
发明人：崔雪;堀井秀树;安东浩;朴盛健;成东俊;梁民圭;李政武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
可变电阻存储器件

[发明专利]半导体装置-CN202110935795.5在审
发明人：梁基延;安东浩;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种包括多个半导体单元器件的半导体装置。每个半导体单元器件可以布置于在垂直于衬底的方向上彼此分开的第一绝缘层和第二绝缘层之间。每个半导体单元器件可以包括在平行于衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层。相变材料层可以具有类超晶格结构。相变材料层可以沿着由第一绝缘层、第二绝缘层和选择器件层形成的凹陷部分布置。
半导体装置

[发明专利]包括可变电阻材料层的存储器件-CN201810257802.9有效
发明人： 安东浩;吴哲;朴淳五;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U···(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
包括可变电阻材料存储器件

[发明专利]硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置-CN202110775864.0在审
发明人：梁基延;具本原;权世甲;金充满;朴用永;安东浩;俞承根;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201710089322.1有效
发明人：吴哲;朴淳五;朴正熙;安东浩;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件包括：选择图案；中间电极，接触选择图案的第一表面；可变电阻图案，相对于选择图案在中间电极的相反侧；以及第一电极，接触选择图案的第二表面并包括n型半导体材料，选择图案的第二表面与其第一表面相反。
可变电阻存储器件

[发明专利]包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置-CN202111268571.X在审
发明人：梁祐荣;具本原;金充满;朴洸珉;成河俊;安东浩;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
包括元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]包括数据存储材料图案和选择器材料图案的半导体装置-CN202110918866.0在审
发明人：李䈘傧;吴哲;金充满;朴洸珉;安东浩;俞承根;李镇宇;崔昭娟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。
包括数据存储材料图案选择器半导体装置

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