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[发明专利]一种IGBT模块的封装结构及加工工艺-CN201810320648.5有效
发明人：鲍婕;王哲;刘琦;占林松;宁仁霞;何聚;许媛 -专利权人：黄山学院
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠性IGBT模块的封装结构及加工工艺，其结构包括上表面图形化生长二维层状六方氮化硼的直接敷铜基板、IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、底板、焊料层、键合引线、母线、塑料外壳以及二维层状六方氮化硼填充增强灌封硅胶。其中采用化学气相沉积法在直接敷铜基板上表面图形化生长二维层状六方氮化硼薄膜，通过发挥其优异的面内热传导性能，将大功率IGBT模块的局部热点热量迅速横向传开，进而通过直接敷铜基板向外传导，降低模块最高温度，同时采用二维层状六方氮化硼增强硅胶进行灌封，改善传统硅胶的热传导性能，有效提高模块的可靠性。
一种 igbt 模块封装结构加工工艺

[发明专利]一种判别电平自适应的高精度输入信号接收电路-CN202210041449.7有效
发明人：许媛;何宁业;申福伟;宁仁霞;汪礼;陈珍海;鲍婕 -专利权人：黄山学院
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种判别电平自适应的高精度输入信号接收电路，包括：偏置和滤波模块连接输入信号，输入信号经过滤波连接比较器模块第一信号输入端，偏置和滤波模块还向比较器模块提供两个偏置电压；比较器模块的输出信号连接输出整形模块的输入端；输出整形模块的数据输出端为整体电路输出，输出整形模块还向判别电平自适应产生模块输出3路控制信号；判别电平自适应产生模块根据控制信号产生判别电平到比较器模块第二信号输入端，判别电平自适应产生模块还向偏置和滤波模块提供两个偏置电压。本发明通过输出信号反馈产生波动的判别电平，可以有效提高电路进行电平判别的抗干扰噪声容限；同时比较器模块采用动态偏置，瞬间电流增大，加快响应速度。
一种判别电平自适应高精度输入信号接收电路

[发明专利]低延时高速输出驱动电路-CN202310477715.5在审
发明人：申福伟;许媛;铁瑞芳;何宁业;陈珍海;宁仁霞 -专利权人：黄山学院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种低延时高速输出驱动电路，该电路包括：k个尺寸逐级放大的高侧反相器链、k个尺寸逐级放大的低侧反相器链、高侧驱动PMOS管、低侧驱动NMOS管、电平移位电路、高侧浮动电源产生电路以及低侧电源产生电路。本发明所述高速输出驱动电路采用高速电平移位电路、高侧浮动和低侧降压电源产生电路，通过减小内部电路高低电平信号幅度的方式实现速度提升。本发明对于不同的电源电压，其内部大尺寸输出驱动LDMOS管的栅压控制信号摆幅均为固定值，不受输出驱动电源电压的变化影响。
延时高速输出驱动电路

[发明专利]具备高频干扰抑制能力的电平移位电路-CN202310384944.2在审
发明人：何宁业;铁瑞芳;申福伟;许媛;宁仁霞;陈珍海 -专利权人：黄山学院
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H02M1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备高频干扰抑制能力的电平移位电路，其结构包括依次连接的输入接收电路模块、电平移位电路模块以及整形滤波电路模块。本发明为增强对高频干扰的抑制，在输入接收电路模块采用了控制信号调制，采用控制信号对电平移位电路模块输入信号有效状态进行控制，在控制信号无效时避免外部干扰输入信号的输入；电平移位电路模块采用了延迟反馈技术，限制高频干扰进一步输出；整形滤波电路模块则进一步采用了RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，最终实现高频干扰的滤除。
具备高频干扰抑制能力电平移位电路

[发明专利]低寄生电感高可靠级联增强型GaN HEMT器件-CN201910790251.7有效
发明人：陈珍海;许媛;闫大为;占林松;鲍婕;宁仁霞;黄伟;吕海江 -专利权人：黄山学院
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，具体为低寄生电感高可靠级联增强型GaN HEMT器件，包括：封装外壳、绝缘胶、导电焊料、高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板、第一绑定线、第二绑定线和第三绑定线。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，增加了电压调整电路，保证高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。
寄生电感可靠级联增强 gan hemt 器件

[发明专利]一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热结构及加工工艺-CN201910191204.0有效
发明人：许媛;张燕飞;鲍婕;宁仁霞;陈珍海;周斌;张俊武 -专利权人：黄山谷捷股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散热层，将芯片的局部热量迅速横向铺开，实现局部热点快速降温。本发明制作简单，灵活性高，可有效缓解水冷散热器散热不均匀，从而提升器件可靠性及使用寿命。
一种功率密度 igbt 模块双面水冷散热结构加工工艺

[发明专利]适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路-CN202010314887.7有效
发明人：陈珍海;吴勇;何宁业;汪礼;许媛;宁仁霞;王东;鲍婕;吕海江 -专利权人：黄山学院;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。
适用于 gan 器件延时驱动电路

[发明专利]用于高压栅驱动芯片的高精度带隙基准电压产生电路-CN202110349641.8有效
发明人：何宁业;汪礼;侯丽;许媛;陈珍海;宁仁霞;鲍婕;吕海江 -专利权人：黄山学院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高精度带隙基准电压产生电路结构，包括带有补偿网络的带隙基准电压产生电路。为了避免运放失调对基准电路的精度产生影响，本发明所提供的高精度带隙基准电压产生电路，一方面没有采用运放结构，而将与电源无关的偏置电路与晶体管结合，用以产生基准电压；另一方面，利用高阶曲率补偿技术，解决了一阶补偿所固有的温度曲率问题，有效提高了带隙基准的温度稳定性。
用于高压驱动芯片高精度基准电压产生电路

[发明专利]低寄生电感高可靠级联增强型GaN全桥功率模块-CN201910790227.3有效
发明人：陈珍海;许媛;顾晓峰;占林松;鲍婕;宁仁霞;黄伟;吕海江 -专利权人：黄山学院
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，具体为低寄生电感高可靠级联增强型GaN全桥功率模块，包括第一级联增强型GaN HEMT器件351、第二级联增强型GaN HEMT器件352、第三级联增强型GaN HEMT器件353、第四级联增强型GaN HEMT器件354和一个全桥栅驱动电路350。本发明所提供的模块中任一级联增强型GaN HEMT器件都通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，还增加了电压调整电路，保证其内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态,进一步提高其可靠性。
寄生电感可靠级联增强 gan 功率模块

[发明专利]大电流级联增强型GaN全桥功率模块封装结构及封装方法-CN201910789618.3有效
发明人：许媛;陈珍海;赵琳娜;占林松;鲍婕;宁仁霞;黄伟;吕海江 -专利权人：黄山学院
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种大电流级联增强型GaN全桥功率模块的集成封装结构及封装方法，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其封装外壳内还包括：第一级联增强型GaN HEMT器件、第二级联增强型GaN HEMT器件、第三级联增强型GaN HEMT器件、第四级联增强型GaN HEMT器件、全桥栅驱动电路。本发明所提供的模块中任一级联增强型GaN HEMT器件都通过多个GaN HEMT器件并联实现大电流；另外，增加了电压调整电路，保证其内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态；最后采用集成封装结构，实现体积最小化。
电流级联增强 gan 功率模块封装结构方法

[发明专利]智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路-CN202110346390.8有效
发明人：陈珍海;王民安;何宁业;宁仁霞;许媛;项建辉;郑科峰;汪礼;鲍婕;吕海江 -专利权人：黄山学院;黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路。该电路首先采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路

[发明专利]一种双调谐的极化不敏感的电磁诱导透明单元结构-CN202010812068.5有效
发明人： 宁仁霞;何宁业;陈珍海;黄伟 -专利权人：黄山学院
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双调谐的极化不敏感的多波段的电磁诱导透明单元结构，该结构包括基底层，介质层和顶层，所述基底层和介质层为正方形形状，所述顶层为石墨烯方环形状嵌套二氧化钒方块，并在二氧化钒方块上刻蚀十字形刻蚀部，暴露出底部的介质层。本发明具有多波段极化不敏感的电磁诱导透明现象，且电磁诱导透明窗口能够被电压和温度分别调谐，具有双调谐的电磁诱导透明特性。
一种调谐极化敏感电磁诱导透明单元结构

[发明专利]高压半桥栅驱动电路-CN202010315906.8有效
发明人：陈珍海;王民安;宁仁霞;何宁业;许媛;项建辉;郑科峰;汪礼;鲍婕;吕海江;郑春鸣;王志亮 -专利权人：黄山学院;黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于电力电子系统中功率器件栅驱动所需要的高压半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区信号产生电路、低压产生电路、低侧信号延时电路、低侧高效率输出驱动电路、低延时高压电平移位电路和高侧高效率输出驱动电路。本发明所提供高压半桥栅驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，从而提高整体驱动电路速度；可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；可以广泛应用于各类高功率密度电力电子系统中，特别是频率要求更高的宽禁带功率器件的栅驱动应用。
高压半桥栅驱动电路

[发明专利]一种CPW馈电的5G通信宽带MIMO终端天线-CN202110483527.4在审
发明人：周云艳;胡娟;鲍婕;宁仁霞;赵年顺;卢莎 -专利权人：黄山学院
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种CPW馈电的5G通信宽带MIMO终端天线，其工作频段为3300MHz‑5300MHz，带宽大，覆盖了我国现行分配的第五代移动通信的n78和n79两个频段。天线是适用于5G终端设备的MIMO天线，包括介质基板、八个天线单元以及寄生隔离单元。介质基板采用终端设备的后盖板，不受边框限制，天线主体及其金属地以共面波导CPW的形式印制在后盖板的表面，天线主体包括微带馈电线与S型辐射贴片，微带馈电线与辐射贴片不直接接触，通过小缝隙进行耦合馈电，金属地采用缺陷结构，两侧面积不同。为了提高八个天线单元的隔离度，天线单元两两镜像，同时在相邻金属地上增加寄生隔离单元。
一种 cpw 馈电通信宽带 mimo 终端天线

[发明专利]高功率密度GaN电容串接式交错并联PFC电源模块-CN201910740392.8有效
发明人：陈珍海;孙剑;占林松;顾晓峰;许媛;鲍婕;宁仁霞;黄伟 -专利权人：黄山学院
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率密度GaN电容串接式交错并联PFC电源模块，包括EMI滤波电路、全桥整流电路、LC滤波电路、储能电容、第一电感、第二电感、PFC控制器、第一栅驱动电路、第二栅驱动电路、第一GaN功率开关管、第二GaN功率开关管、第一限流电阻、第二限流电阻、第一二极管、第二二极管、输出电容C1、输出状态检测电路和反馈电路。本发明一方面采用电容串接式交错并联可以实现超高降压比特性和增大电源模块功率；另外通过采用GaN功率器件，提高电源模块的开关频率，从而实现更高的功率密度。可以广泛应用于各类大功率交直流充换电系统。
功率密度 gan 电容串接式交错并联 pfc 电源模块

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