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[发明专利]一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法-CN202110663157.2有效
发明人：宋坤;王英民;孙有民;王小荷;曹磊;陈宝忠;刘存生 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。
一种辐射加固 ldmos 晶体管制备方法

[发明专利]一种光吸收能力强的光敏二极管及制备方法-CN202111243682.5有效
发明人：王成熙;王英民;赵杰;王勇;陈斌;孙有民;王清波;温富刚 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。
一种光吸收能力强光敏二极管制备方法

[发明专利]一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法-CN202110217575.9有效
发明人：王清波;薛东风;薛智民;孙有民;赵杰 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火或快速退火工艺完成稳压二极管P型区杂质激活，避免高温热过程导致的杂质浓度再分布，降低稳压二极管P型区杂质浓度在PN结附近的变化量。
一种具有稳定击穿电压稳压二极管制备方法

[发明专利]一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法-CN202011376406.1有效
发明人：王晨杰;王英民;刘存生;薛智民;孙有民;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。
一种粒子高压 mos 场效应晶体管辐射加固结构制备方法

[发明专利]一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法-CN202110218621.7有效
发明人： 孙有民;王清波;赵杰;卓青青;温富刚;王成熙 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理，是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NPN晶体管具有更高的厄利电压。该方法分别对采用本发明提出的新工艺方法形成的高厄立电压NPN晶体管，在相同放大倍数条件下，新工艺方法形成的NPN晶体管的厄利电压高于传统结构NPN晶体管。
一种基于离子注入高厄利电压 npn 晶体管制备方法

[发明专利]一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法-CN201911114902.7有效
发明人：王清波;薛东风;赵杰;薛智民;孙有民;杜欣荣;卓青青 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位层的自建电场。该自建电场抑制总剂量辐射在二氧化硅绝缘层中产生的正电荷向硅‑二氧化硅界面运动，从而减小辐射诱生正电荷到达硅‑二氧化硅界面并形成新的界面态的数量，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。
一种基于自建电场辐射加固双极晶体管结构制备方法

[发明专利]一种星用抗辐射沟槽型MOS管的加固结构和制备方法-CN202011380487.2有效
发明人：王晨杰;王英民;刘存生;薛智民;孙有民;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。
一种星用抗辐射沟槽 mos 加固结构制备方法

[发明专利]一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法-CN202110218622.1有效
发明人： 孙有民;王清波;赵杰;卓青青;温富刚;王成熙 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P型杂质(硼杂质)双扩散，提高横向PNP晶体管基区在集电区一侧的N型杂质浓度梯度，而在发射区一侧N型杂质浓度不受影响。
一种基于集电区双扩散高厄利电压横向 pnp 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法-CN202110336608.1有效
发明人：陈晓宇;赵杰;孙有民;薛智民 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法，通过N型离子注入，在P型衬底上形成BNW区；在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区；在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离；在BNW区上形成闭环的深磷区，深磷区与DNW区连通，深磷区位于两个场区隔离之间；在BNW区上形成基区，基区位于深磷区内部；在基区的上端面形成闭环的多晶隔离；在基区上形成发射区，在BNW区上形成闭环的集电区，发射区位于多晶隔离内，集电区位于两个场区隔离之间，且集电区与深磷区交叠；在基区上形成闭环的基区接触区，基区接触区位于多晶隔离外部。本发明形成的NPN导通电阻小、放大倍数高，工艺流程简单。
一种通电放大倍数 npn 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法-CN201911114882.3有效
发明人：赵杰;薛东风;薛智民;孙有民;王清波;卓青青;杜欣荣 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横向扩散区表面形成一个环形的P+掺杂区，提高P型掺杂横向扩散区表面P型杂质浓度，避免因总剂量辐射导致双极型晶体管的P型掺杂区表面耗尽和反型，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。
一种保护环掺杂辐射晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO2-CN201911121337.7有效
发明人：陈晓宇;赵桂茹;葛洪磊;孙有民;薛智民 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO2复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO2栅氧层、形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层并形成SiO2氮氧硅层，最后完成之后相应的工艺流程；缺陷线在HTO层和SiO2层中随机分布，通过错位排列无法扩展到整个复合栅氧层，避免从HTO层上表面到SiO2层下表面形成的漏电通路问题，提高了栅氧的可靠性，在SiO2和HTO生长后增加了含氮气氛的退火工艺，减少了氧化层中的缺陷和陷阱，进一步提高栅氧的可靠性，并能减少辐射后器件的阈值漂移量从而提高抗总剂量辐射能力。
一种提高可靠性辐射特性 hto sio base sub

[发明专利]一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺-CN201911121310.8有效
发明人：陈晓宇;曹磊;赵杰;孙有民 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺，在硅衬底上形成有源区，之后在NMOS的有源区上形成P阱，在PMOS的有源区上形成N阱，然后形成场氧化层和进行阈值注入，形成栅氧层和多晶栅，接下来按照0.13～0.8μm硅栅CMOS工艺和大于0.8μm且小于3μm硅栅CMOS工艺得到钝化刻蚀的硅衬底，完成现有标准厚度顶层金属CMOS工艺，最后通过增加一次金属淀积、光刻和刻蚀工艺，再配合合金操作得到焊盘处金属厚度加厚的电路，将焊盘金属厚度进行了增加；可以充分缓冲键合过程中存在的应力，对任意金属层数的产品均适用，适用范围广，既提高了设计的灵活性，对电路版图的排布没有任何限制，又减小了芯片面积。
一种焊盘下器件顶层金属 cmos 工艺

[发明专利]一种高厄利电压的双极器件及其制作方法-CN201811052415.8有效
发明人：任永宁;陈宝忠;孙有民;王清波;刘如征;葛洪磊;马朝柱;刘依思 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了一种高厄利电压的双极器件及其制作方法，所述双极器件包括3个金属连线和衬底；衬底上方依次设置N埋层、第一外延层、第二外延层和SiO2层；3个金属连线分别穿过SiO2层上设置的引出孔后，分别连接集电区的引出区、发射区和P型基区；集电区的引出区和P型基区位于第二外延层内部，发射区位于P型基区内部；双极器件两侧边均设置P型隔离区。所述方法主要改进在于包括对衬底进行第一次外延工艺，形成第一外延层；在第一外延层上进行第二次外延工艺，形成第二外延层；通过双外延层的设计，能够有效增大厄利电压，降低厄利效应，提高集成电路的精度；同时，寄生的PMOS管阈值电压增高，电路的金属布线更加方便，工作电压范围扩大。
一种高厄利电压器件及其制作方法

[发明专利]一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺-CN201911052935.3有效
发明人：陈晓宇;曹磊;宋坤;赵杰;孙有民;薛智民 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏注入后，将N+源漏注入缩进NMOS的有源区和P+源漏注入缩进PMOS的有源区后，保证了N场条注入不影响轻掺杂区和N+源/漏区形成的反向偏置PN结，在场区边缘处开启阈值提高和反向偏置PN结的综合作用下，场区边缘从N+漏区到N+源区的漏电通道被阻断，之后淀积SAB层和完成后续工艺，可用于抗辐射加固数字电路和模拟电路的设计，可直接采用工艺线提供的模型进行精确仿真。
一种带硅化物加固剂量辐射 cmos 器件工艺

[发明专利]一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法-CN202110217571.0在审
发明人：赵杰;王英民;孙有民;王成熙;王清波 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法，该结构在N型外延层中设置环状的P型增压环、N型引出区和N型区表面接触区，本发明为充分降低N型引出区串联电阻，设计环形结构的N型引出区，通过扩散工艺形成高浓度的N型深磷层，该工艺形成的肖特基二极管由于从N型表面接触区到N+埋层之间增加了高浓度的深磷层，即N型引出区，能有效降低二者之间的外延层串联电阻，增大接触面积，从而获得更低的导通电阻。
一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法

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