“奥拉夫·温尼克”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]流量传感器-CN201410328019.9有效
发明人：弗里斯科·耶德玛;卡斯珀·范德阿奥斯特;斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔;金·范乐;奥拉夫·温尼克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G01F1/56 文献下载
摘要：用于测量含离子流体的流量的流量传感器可以使用机械或电学技术来实现。机械流量传感器具有移动部件，并因此在一定时间之后变得不可靠并制造成本高。霍尔效应型流量传感器典型地需要可翻转磁场来补偿电化学效应。包括这种传感器的流量计使用电磁体。描述了一种流量传感器(100)，该流量传感器使用电容性传感器(10)和处理器(12)，根据电容和磁场变化来确定流率。这样的流量传感器可以使用CMOS技术来实现。流量传感器可以在永磁体产生的磁场中操作并且可靠地测量流量。
流量传感器

[发明专利]具有偏移抵消并且使用绝缘体上技术实现的的差分横向磁场传感器系统-CN201510387644.5有效
发明人：维克多·齐伦;奥拉夫·温尼克;克劳斯·莱曼 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供了一种差分磁场传感器系统(10)，其中实现了对在彼此相邻布置的磁场传感器中的差分半导体结构的偏移抵消。所述系统(10)包括第一、第二和第三磁场传感器(100，200，300)，其中每个磁场传感器都布置为实质相同，并包括优选性的绝缘体上硅(SOI)表面层部分(102)，提供作为在优选性的SOI晶片上的表面部分；以及表面(104)。在表面(104)上布置有：中央发射极结构(110，210，310)，形成为与基本垂直于所述表面(104，204，304)的对称平面(106，206，306)基本镜面对称；第一和第二集电极结构(116，216，316；118，218，318)，其中每个都布置为远离发射极结构(110，210，310)，并布置在对称平面(106，206，306)的相对侧上，以便基本上成为彼此的镜像。
磁场传感器发射极结构对称平面偏移抵消优选性绝缘体半导体结构传感器系统集电极结构绝缘体上硅横向磁场技术实现镜面对称相邻布置表面层垂直

[发明专利]电场间隙器件与制造方法-CN201410276234.9有效
发明人：迈克尔·安东尼·阿曼德·因赞特;克劳斯·莱曼;奥拉夫·温尼克 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种形成电场间隙器件的方法，例如横向场致发射ESD保护结构，其中在介电层之间形成有阴极层。形成有阳极沟道，并衬有牺牲介电层。在阳极沟道内形成有导电的阳极柱，随后阳极柱附近的牺牲介电层被蚀刻掉。刻蚀留下了阴极层的悬空部分，其定义了至相邻的阳极柱之间的横向间隙。这一部分具有由阴极层的角部定义的尖的端部表面，由于横向间隙与牺牲介电层的厚度相应，因而可以被精准地定义。
电场间隙器件制造方法

[发明专利]腔体内电子发射器件的电极涂层-CN201510199715.9有效
发明人：克劳斯·莱曼;奥拉夫·温尼克;迈克尔·安托万·阿曼德·因赞德 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：用于形成静电放电装置的场致发射二极管的方法的实施例包括形成第一电极、牺牲层和第二电极。所述牺牲层隔开所述第一电极和第二电极。所述方法还包括通过去除所述牺牲层，在所述第一电极和第二电极之间形成腔体。所述腔体隔开所述第一电极和第二电极。所述方法还包括在形成所述第一电极和第二电极之后，通过至少一个进入孔在至少所述第一电极和第二电极之一上沉积电子发射材料。所述进入孔远离所述第一电极和第二电极上的电子发射位置。
体内电子发射器件电极涂层

[发明专利]MEMS电容式压力传感器-CN201310070529.6有效
发明人：威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;马丁·古森思;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;奥拉夫·温尼克 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：压力传感器通过利用电容式读出方法测量MEMS薄膜的挠曲来测量压力。存在两种方式实施本发明。一种方式涉及集成皮拉尼传感器的使用，另一种方式涉及集成谐振器的使用，所述谐振器用作参考压力传感器，用于测量内部腔体压力。
mems 电容压力传感器

[发明专利]电场间隙器件及其制造方法-CN201410290791.6有效
发明人：迈克尔·因赞特;奥拉夫·温尼克;克劳斯·莱曼 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种电场间隙器件及其制造方法。在一组沟道的侧壁周围对衬底材料进行氧化。屏蔽结构意味着在顶部比底部存在更多的氧化物生长，结果是沟道之间的未氧化衬底材料区域形成了在顶部具有尖顶尖端的锥形形状。这些尖顶衬底区域然后用于形成阴极。
电场间隙器件及其制造方法

[发明专利]压力传感器-CN201310369763.9有效
发明人：威廉·贝什林;皮特·斯蒂内肯;奥拉夫·温尼克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：发明涉及一种压力传感器。根据讨论的一个或多个实施例，集成电路设备包括悬置于腔体上的隔膜，隔膜和腔体限定了腔室。隔膜中具有多个开口，开口传递气体进出腔室。当激励隔膜时，腔室的体积改变以产生与腔室外部的压力不同的腔室内部的压力。传感器检测隔膜响应于体积变化的基于频率的特性，并且提供对腔室外部的气体压力的指示。
压力传感器

[发明专利]MEMS电容性压力传感器、操作方法和制造方法-CN201210135456.X有效
发明人：威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;克劳斯·莱曼;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;奥拉夫·温尼克;雷奥特·沃尔特杰尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS压力传感器，其中电极布置中至少之一包括内电极和绕内电极设置的外电极。该传感器设置在集成电路上。可以单独测量并且可以差分地测量与内电极和外电极相关联的电容。该布置使得能够实现各种不同读出方案，并且还实现了针对器件之间变化或器件特性随时间改变的改进补偿。
mems 电容压力传感器操作方法制造方法

[发明专利]包含核与壳的粒子及其应用-CN200880111735.4无效
发明人：古川有纪子;奥拉夫·温尼克;罗伯图斯·A·M·沃尔特斯;耐恩克·维尔哈德 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C09C1/36 文献下载
摘要：本发明涉及包含核与壳的粒子，制备所述粒子的方法，所述粒子的各种用途以及包含所述粒子的各种产品。依据本发明所述的粒子可被用作光催化剂，抗菌剂，清洁剂，防雾剂以及分解剂。此外，这种粒子还可应用于太阳能电池。
包含粒子及其应用

[发明专利]失配衬底上的单晶生长-CN200880023660.4有效
发明人： 奥拉夫·温尼克;拉尔斯·芒努斯·博里斯特伦;维贾亚拉格哈万·马达卡西拉 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-07-07 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种将一种材料类型(如，III-V半导体)的单晶层形成到不同材料类型(如，硅)的衬底上的工艺。提供第一材料类型的衬底。将催化剂材料的至少一个不连续区域沉积到衬底上，所述不连续区域限定了衬底的晶种区域。将第二材料类型(如，III-V半导体)作为单晶纳米线在衬底与催化剂材料之间生长到衬底上，所述第二材料类型的纳米线从所述衬底开始向上延伸，其横向尺寸不超过晶种区域。在生长纳米线之后，改变生长条件以便使第二材料类型从单晶纳米线开始以平行于衬底表面的方向横向地外延生长。
失配衬底生长

[发明专利]纳米线磁性随机存取存储器-CN200680036236.4有效
发明人： 奥拉夫·温尼克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：非易失性磁性随机存储器的集成阵列，每个存储器都具有固定磁化方向的第一磁性层(10)；具有可变磁化方向的自由磁性层(20)；将第一磁性层与自由磁性层相分离的分隔层(30)，以及器件选择开关(40)，所述层和至少一部分开关形成为诸如纳米线之类的柱状结构。优选地，所述开关和柱状纳米线结构整体形成。通过将柱状结构中的开关合并进磁性中，器件可以做的更小以能够实现更大的集成。这可以应用于使用外部场或只使用在柱状结构中产生的场的磁性器件。写入电流可以沿柱状结构正向或反向耦合，以根据电流的方向改变自由磁性层的磁化方向。
纳米磁性随机存取存储器

1
共 11 条