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[发明专利]离子束能量控制装置-CN201910340903.7有效
发明人：张劲;陈炯;夏世伟 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束能量控制装置。其包括：入口端和出口端，所述入口端供离子束射入，所述出口端供离子束射出；若干电极对，每个电极对分别包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为棒状，所述第一电极和所述第二电极之间的空间供离子束通过；所述若干电极对中至少一电极对形成第一电极群，施加至所述第一电极群的电压使得离子束向第一方向偏转；所述若干电极对中至少一电极对形成第二电极群，施加至所述第二电极群的电压使得离子束向第二方向偏转，所述第二方向与所述第一方向反向。本发明的离子束能量控制装置在电极形状、电极布局、束流调节等方面均具有较多优点。
离子束能量控制装置

[实用新型]一种离子喷枪起弧腔石墨双孔喷口结构-CN202223581257.X有效
发明人：李朋涛;张长勇;夏世伟;李勇军;洪俊华;任飞 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子喷枪起弧腔石墨双孔喷口结构，所述离子喷枪起弧腔石墨双孔喷口结构适用于离子喷枪，所述离子喷枪包括基座部分、起弧腔以及线路连接部分；离子喷枪以离子注入机工艺腔体为基座装配在离子注入机上，用于承载了离子喷枪本体；离子喷枪有两个独立相同的弧腔，分别是上弧腔和下弧腔。本实用新型离子喷枪弧腔石墨双孔喷口结构设计成本低，维护成本低，能够使等离子体更容易的从弧腔发射出来，提高束流的均匀性，提高了晶片的质量，增强了离子喷枪消除晶片表面电荷能力，减少晶片表面电荷积累，提高晶片的良率。
一种离子喷枪起弧腔石墨喷口结构

[实用新型]一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构-CN202223579727.9有效
发明人：黄才钧;李轩;夏世伟;李勇军;张长勇;张彦彬 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构，其适用于离子注入机的离子源，所述离子注入机的离子源包括灯丝组件、阴极组件、半圆筒型起弧腔室组件、工艺气体通入组件、反射极组件；半圆筒型起弧腔室组件采用半圆筒型腔室设计，反射极组件采用悬空的反射极设计。本实用新型的用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构为半圆筒型起弧腔室，简化了离子源的组装和保养流程；本实用新型有效地延长了离子源的使用寿命，大大提高了离子注入机的产能。
一种用于离子注入离子源起弧腔室结构

[实用新型]一种离子喷枪的绝缘结构-CN202223589652.2有效
发明人：林帅;夏世伟;李勇军;黄才钧;韦继福;郑策 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子喷枪的绝缘结构，所述离子喷枪的绝缘结构适用于离子喷枪，所述离子喷枪包括基座部分、起弧腔以及线路连接部分；其中，基座部分用于承载起弧腔以及各种线路以及气管；起弧腔内有灯丝.灯丝通电被加热后就会发射电子；灯丝电源通过电源线给上下两个起弧腔内的灯丝供电，线路连接部分用于输送电压以及所用氙气。本实用新型离子喷枪的绝缘结构增加绝缘子对离子喷枪起到了支撑作用，能够解决其变形程度导致短路，使用寿命大大提高，节约维护成本。
一种离子喷枪绝缘结构

[发明专利]离子注入系统-CN202210121547.1在审
发明人：陈炯;夏世伟;张劲;王占柱;张晓峰;陆天;洪俊华 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入系统，包括：位于束流均匀性调节装置下游的束流减速偏转能量过滤装置、第一路径选择光阑和第二路径选择光阑、硅片扫描装置，其中，束流减速偏转能量过滤装置用于使得由束流均匀性调节装置传输而来的束流沿直线被传输并经过第一路径选择光阑，以及用于使得由束流均匀性调节装置传输而来的束流被偏转第一角度并经过第二路径选择光阑；硅片扫描装置用于支承硅片并使得硅片在第一注入平面和第二注入平面中移动以及用于在第一注入平面和第二注入平面之间切换。通过偏转和不偏转束流，该离子注入系统可以提供两条具有不同能量的束流传输路径，扩大了离子注入的能量区间和注入应用范围。
离子注入系统

[发明专利]半导体晶圆对准装置、对准方法以及对准系统-CN202210058549.0在审
发明人：李轩;夏世伟;杰夫·贝克;杨立军;孟庆栋 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司;北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种半导体晶圆对准装置、对准方法以及对准系统，半导体晶圆对准装置包括腔室，腔室中设置有对准标记，对准方法包括：在腔室中放置晶圆，对准标记设置在晶圆边缘以外；从晶圆和对准标记的背面发射照明光，从而第一待测图像中的晶圆图像的中心和边缘的明亮对比度较高，晶圆的图像的边缘和对准标记的清晰度较高；从而第一待测图像中的晶圆的图像和对准标记的图像的形成质量好，易于精准获取晶圆中心位置与基准坐标系的基准点的第一位置偏差；晶圆的边缘设置有缺口，第一待测图像中具有清晰的缺口图像，依据清晰的缺口图像，精准的获得缺口的位置与晶圆中心位置的连线，获取缺口的位置和晶圆中心位置的连线与基准方向的夹角，提高了晶圆的检测精度。
半导体对准装置方法以及系统

[发明专利]半导体晶圆位置检测装置、检测方法以及检测系统-CN202210058893.X在审
发明人：李轩;夏世伟;杰夫·贝克;杨立军;孟庆栋 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司;北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体晶圆位置检测装置、检测方法以及检测系统，半导体晶圆位置检测装置包括腔室，腔室中设置有对准标记，检测方法包括：在腔室中放置晶圆，对准标记设置在晶圆边缘以外，照明光从正面照射在晶圆边缘和对准标记上，晶圆中心区域是暗的，边缘区域是亮的，从而晶圆的图像的边缘和对准标记的清晰度较高，从而第一待测图像中的晶圆的图像和对准标记的图像的形成质量好，易于精准获取晶圆中心位置与基准坐标系的基准点的第一位置偏差；晶圆的边缘设置有缺口，第一待测图像中具有清晰的缺口图像，依据清晰的缺口图像，精准的获得缺口的位置与晶圆中心位置的连线，获取缺口的位置和晶圆中心位置的连线与基准方向的夹角，提高了晶圆的检测精度。
半导体位置检测装置方法以及系统

[实用新型]一种适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具-CN202223584627.5有效
发明人：翟军明;夏世伟;张长勇;李山龙;孙玉中;陈兴龙 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G09B25/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具，其为适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具，其包括透明材质治具和晶圆定位治具，晶圆定位治具用于定位晶圆，透明材质治具用于夹持晶圆；透明晶圆治具与晶圆的形状相同，其为正圆形状的平板型，在中心位置设置有中心孔。本实用新型可以大幅提高操作人员在示教不同位置时的示教精度，还可以节省示教时间。
一种适合半导体设备内部机械手臂位置

[实用新型]一种用于等离子枪的气路结构-CN202223581857.6有效
发明人：李朋涛;张长勇;夏世伟;洪俊华;关天琪;王占柱 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于等离子枪的气路结构，所述用于等离子枪的气路结构适用于离子喷枪，所述离子喷枪包括基座部分、起弧腔以及线路连接部分，离子喷枪安装在离子注入腔体上；氙气经由第一气管将气体传输，经过手动调节阀门将气体传输至第二气管，在经过减压阀门连接压力表，使氙气调节到合适压力值；经过储气缓冲罐在经过内部气管使氙气到达气体质量流量控制器，最终到达与等离子枪连接的第三气管，再由第三气管将氙气输入进等离子枪。本实用新型用于等离子枪的气路结构有效的解决了钢瓶供气不稳定的问题，等离子枪发射电流稳定，电子中和彻底，大大提升器件良率。
一种用于等离子结构

[实用新型]一种静电吸盘-CN202223559553.X有效
发明人： 夏世伟;王占柱;李轩;王吉祥;杨立军 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种静电吸盘，可用于半导体制造领域。该静电吸盘的圆盘状吸附区被分割成若干个面积相等的扇环区，位于特定位置上的多个扇环区按照特定顺序依次连通作为一极，使得每一极在各个区域均匀布置，每个区域可以保持相等的吸附力，从而在作业过程中具有更高的可靠性。
一种静电吸盘

[发明专利]一种用于等离子枪的气路结构-CN202211736624.0在审
发明人：李朋涛;张长勇;夏世伟;洪俊华;关天琪;王占柱 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于等离子枪的气路结构，所述用于等离子枪的气路结构适用于离子喷枪，于等离子枪的气路结构包括缓冲储气罐，缓冲储气罐的管径为直径2英寸；气路的所有管线固定在氙气主回路固定面盘上；连结气瓶和主路气管的管路形状为猪尾巴型。本发明用于等离子枪的气路结构在气盘的供气管路气体质量流量控制器进气口添加储气装置，有效的解决了钢瓶供气不稳定的问题，等离子枪发射电流稳定，电子中和彻底，大大提升器件良率。
一种用于等离子结构

[发明专利]一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构及其工作方法-CN202211738220.5在审
发明人：黄才钧;李轩;夏世伟;李勇军;张长勇;张彦彬 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构及其工作方法，其适用于离子注入机的离子源，所述离子注入机的离子源包括灯丝组件、阴极组件、半圆筒型起弧腔室组件、工艺气体通入组件、反射极组件；半圆筒型起弧腔室组件采用半圆筒型腔室设计，反射极组件采用悬空的反射极设计。本发明的用于离子注入机的离子源的起弧腔室结构为半圆筒型起弧腔室，简化了离子源的组装和保养流程；本发明采用优化的灯丝和阴极组件，有效地延长了离子源的使用寿命，大大提高了离子注入机的产能。发明通过全新的研发设计，降低了离子源的能耗，提高了离子萃取的效率和束流的强度，进而提高了工艺产品的良率。
一种用于离子注入离子源起弧腔室结构及其工作方法

[发明专利]一种对离子注入机源腔内部进行防护的装置-CN202211737979.1在审
发明人：曹文科;李新;夏世伟;王均超;孙世豪 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/16 文献下载
摘要：本发明提供一种对离子注入机源腔内部进行防护的装置，其适用于离子注入机源腔，其在离子源腔内部增加内衬，阻隔离子源对腔室的热辐射，进而降低离子源腔壁温度，同时增加内衬有效的阻止了离子源对腔室的轰击损害。所述的对离子注入机源腔内部进行防护的装置中，内衬采用铝材。内衬采用分解板的形式设置在离子源腔内壁上。使用本发明的防护装置，只用在设备定期保养时对内衬进行更换即可得到洁净的腔室环境，减少PM难度，节省PM时间。
一种离子注入机源腔内部进行防护装置

[实用新型]一种晶圆传送装置-CN202223541703.4有效
发明人： 夏世伟;李轩;王占柱;张单丰;杨立军;王宇琳;杰夫.贝克;陈克禄;洪俊华 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆传送装置，在半导体制造领域中用于传送待处理的晶圆以及离子注入后的晶圆。该晶圆传送装置包括大气传送模块、真空装载锁模块、真空传送模块、真空冷却模块和真空升温模块，其中真空升温模块在每片晶圆完成离子注入后立即进行真空下的升温，避免了杂质凝结在晶圆表面形成缺陷的问题。
一种传送装置

[实用新型]一种静电吸盘-CN202223560735.9有效
发明人： 夏世伟;王占柱;李轩;王吉祥;杨立军 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种静电吸盘，可用于半导体制造领域。该静电吸盘的圆盘状吸附区在周向上分割为多个面积相同的扇形区域，且在径向上分割为同样多个面积不相同的环形区域，由此整个吸附区被分割成若干个扇环区，位于特定位置上的多个扇环区按照特定顺序依次连通作为一极，使得每一极在各个区域都有分布。由于每一极在各个区域上所产生的圆周方向的力矩相接近甚至相等，因此能够有效地解决因旋转电场所带来的晶圆跟转问题。
一种静电吸盘

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