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[发明专利]晶体管以及半导体装置-CN202180077756.4在审
发明人：伊藤优希;国武宽司;种村和幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06G7/16 文献下载
摘要：提供一种具有大S值的晶体管或利用晶体管的亚阈值区域中的工作进行计算的半导体装置。该晶体管包括具有沟道形成区域的氧化物半导体层、具有隔着绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的区域的栅电极以及具有隔着铁电层与氧化物半导体层重叠的区域的第一导电层。尤其是，铁电层包含晶体，并且晶体具有呈现铁电性的结晶结构。
晶体管以及半导体装置

[发明专利]铁电器件、半导体装置-CN202180071444.2在审
发明人：山崎舜平;中山智则;高桥正弘;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：提供一种包括具有良好的铁电性的金属氮化物膜(130)的铁电器件(100)。铁电器件包括第一导电体(110)、第一导电体上的金属氮化物膜、金属氮化物膜上的第二导电体(120)、第二导电体上的第一绝缘体(155)以及第一绝缘体上的第二绝缘体(152)。第一绝缘体具有接触于金属氮化物膜的侧面、第二导电体的侧面及顶面的每一个的区域，金属氮化物膜具有铁电性，金属氮化物膜包含第一元素、第二元素及氮，第一元素为选自第13族元素中的一个以上的元素，第二元素为选自除第一元素之外的第13族元素和第2族元素至第6族元素中的一个以上的元素，第一导电体和第二导电体都包含氮，第一绝缘体包含铝及氧，并且，第二绝缘体包含硅及氮。
器件半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180067590.8在审
发明人：山崎舜平;池田隆之;大贯达也;国武宽司;神保安弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种存储容量大的存储装置。提供一种可靠性高的存储装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的第一导电层、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的结构体、第一绝缘层及第二绝缘层。结构体包括功能层、半导体层、第三绝缘层及第二导电层。在第一导电层与结构体的交叉部，以第二导电层为中心的方式呈同心圆依次配置第三绝缘层、半导体层及功能层。此外，第一绝缘层及第二绝缘层在第二方向上层叠。功能层及第一导电层配置在第一绝缘层与第二绝缘层之间。第二导电层、第三绝缘层及半导体层具有位于设置在第一绝缘层的第一开口的内侧的部分以及位于设置在第二绝缘层的第二开口的内侧的部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202180069527.8在审
发明人：山崎舜平;池田隆之;国武宽司;大贯达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在具有新颖结构的包括具有铁电电容器的存储单元的半导体装置中，包括第一晶体管(500A)、第二晶体管(500B)、第一电容(600A)、第二电容(600B)以及布线(401)。第一晶体管与第一电容电连接。第二晶体管与第二电容电连接。布线位于第一晶体管及第二晶体管的下方并与第一晶体管或第二晶体管电连接。第一电容及第二电容都包括铁电层(630)。第一电容、第二电容配置在同一平面上。第一电容和第二电容也可以具有彼此重叠的区域。优选第一晶体管和第二晶体管都在沟道中包含氧化物半导体。铁电层优选包含选自铪、锆和III‑V族元素中的一个或多个。
半导体装置电子设备

[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及其制造方法-CN202180054530.2在审
发明人：山崎舜平;神保安弘;国武宽司;惠木勇司;高桥正弘;河内峻太郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种具有优异铁电性的材料。金属氧化物膜包括第一层以及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧彼此键合，第二氧与锆键合。
金属氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]铁电体器件及半导体装置-CN202180064527.9在审
发明人：山崎舜平;神保安弘;国武宽司;大嶋和晃;太田将志;古谷一马;青木健 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。
铁电体器件半导体装置

[发明专利]等效电路模型、程序、记录媒体及模拟装置-CN202180063322.9在审
发明人： 国武宽司;马场晴之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供一种用来执行包含反铁电性元件的电路的模拟的程序。该程序为设定有反铁电性元件的等效电路模型的程序。等效电路模型的第一端子与第二端子之间具备铁电性元件、线性电阻器、第一晶体管及第二晶体管。第一端子与铁电性元件的一对电极中的一方及线性电阻器的第一端子连接，铁电性元件的一对电极中的另一方与第一晶体管的源电极和漏电极中的一个连接，第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极、第二晶体管的源电极和漏电极中的一个以及线性电阻器的第二端子连接，第二端子与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个以及第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个连接。
等效电路模型程序记录媒体模拟装置

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202180062785.3在审
发明人：山崎舜平;木村肇;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一FTJ元件及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子、第二FTJ元件的输入端子及第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管的第一端子与第三晶体管的第二端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件和第二FTJ元件中分别引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输入端子与第二FTJ元件的输出端子之间供应极化不变的程度的电压，对第二晶体管的栅极供应电位，从第二晶体管的第一端子获取对应于数据的电流或电压。
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体装置以及电子设备-CN202180061509.5在审
发明人：山崎舜平;木村肇;国武宽司;惠木勇司;井坂史人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子及第二FTJ元件的输入端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件及第二FTJ元件的每一个中引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输出端子与第二FTJ元件的输入端子之间供应极化不变的程度的电压。此时，使第一晶体管成为开启状态，由此流过第一FTJ元件的电流与流过第二FTJ元件的电流之差分电流流过第一晶体管。通过使用读出电路等取得该差分电流，可以读出写入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。
半导体装置以及电子设备

[发明专利]金属氧化物的沉积方法及存储装置的制造方法-CN202180052295.5在审
发明人：山崎舜平;惠木勇司;神保安弘;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供一种金属氧化物的沉积方法。本发明包括如下步骤：将第一前驱体引入到第一腔室中的第一工序；将第二前驱体引入到第一腔室中的第二工序；将第三前驱体引入到第一腔室中的第三工序；在第一工序后、第二工序后以及第三工序后都将等离子体状态的氧化剂引入到第一腔室中的第四工序；以及进行微波处理的第五工序。以进行第一至第四工序的每一个一次以上为一个循环，在多次反复一个循环之后在第二腔室中进行第五工序。第一至第三前驱体是种类互不相同的前驱体，微波处理使用氧气体及氩气体进行，金属氧化物具有结晶区域，结晶区域的c轴大致平行于金属氧化物的被形成面的法线向量或金属氧化物的表面的法线向量。
金属氧化物沉积方法存储装置制造

[发明专利]半导体装置的驱动方法-CN202180047447.2在审
发明人：山崎舜平;木村肇;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括设置有电容、第一晶体管以及第二晶体管的单元，电容包括第一电极、第二电极及铁电层，铁电层设置在第一电极与第二电极之间，通过施加第一饱和极化电压或其极性与第一饱和极化电压不同的第二饱和极化电压发生极化转换，第一电极、第一晶体管的源极和漏极中的一个及第二晶体管的栅极彼此电连接。在第一期间，对铁电层施加第一饱和极化电压。在第二期间，对铁电层施加第一饱和极化电压与第二饱和极化电压之间的值的电压作为数据电压。
半导体装置驱动方法

[发明专利]半导体装置-CN202180047722.0在审
发明人： 国武宽司;伊藤优希;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。一种包括第一半导体的氧化物半导体、第二半导体的硅及在第一方向上连续的多个存储单元的半导体装置，一个存储单元包括写入用晶体管及读出用晶体管。第一半导体及第二半导体在第一方向上延伸，第一半导体的一部分被用作写入用晶体管的沟道形成区域，第二半导体的一部分被用作读出用晶体管的沟道形成区域。第二半导体具有与包含第一金属元素的第一层接触的区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202180013072.8在审
发明人：大嶋和晃;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种能够进行高速的数据传送且电路面积减小了的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有彼此相对的两个面的层、半导体芯片以及外部端子。半导体芯片设置在层的一个面一侧，外部端子设置在层的另一个面一侧的至少不与半导体芯片重叠的区域中。半导体芯片包括含有第一晶体管的第一电路，层包括含有第二晶体管的第二电路。第一电路与第二电路电连接，第二电路与外部端子电连接。并且，第二晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。此外，第二电路也可以为CML电路。此外，层的一个面的上方及半导体芯片的侧面也可以设置有绝缘体。
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体装置、半导体装置的驱动方法及电子设备-CN202180009503.3在审
发明人：乡户宏充;国武宽司;津田一树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。在Z方向上延伸且包含导电体和氧化物半导体的存储器串与在Y方向上延伸的多个布线CG交叉。导电体沿着存储器串的中心轴配置，氧化物半导体在导电体的外侧被配置为同心状。导电体与氧化物半导体电连接。存储器串与布线CG的交叉部被用作晶体管。此外，交叉部被用作存储单元。
半导体装置驱动方法电子设备

[发明专利]半导体装置-CN202080090207.6在审
发明人：大贯达也;上妻宗广;青木健;松嵜隆德;冈本佑树;太田将志;长塚修平;国武宽司;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括加速器。加速器包括第一存储电路、第二存储电路及运算电路。第一存储电路包括第一晶体管。第二存储电路包括第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管都包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。运算电路包括第三晶体管。第三晶体管包括在沟道形成区域中含有硅的半导体层。第一晶体管及第二晶体管设置在不同的层中。包括第一晶体管的层设置在包括第三晶体管的层上。包括第二晶体管的层设置在包括第一晶体管的层上。第一存储电路具有与第二存储电路不同的数据保持特性。
半导体装置

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