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[发明专利]一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和电子元件-CN202111568259.2在审
发明人： 唐楚滢;陈玺光;于洪宇;汪青;卢宏浩;杜方舟;高荣宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请提供一种p‑GaN欧姆接触电极及其制备方法和电子元件，该p‑GaN欧姆接触电极包括p‑GaN材料层和电极；电极包括设置在p‑GaN材料层表面的强亲氧性金属层和设置在强亲氧性金属层上的高功函数金属层。利用强亲氧性金属的强亲氧性，在后期退火工艺过程中，还原P‑GaN表面上生成的GaO，达到原位去除表面GaO的作用，降低金属/p‑GaN间的肖特基势垒高度。同时电极金属中选择功函数高、致密性好的金属作为第二金属层，第二金属层一方面做为阻挡层，阻止强亲氧性金属的向外扩散，另一方面退火过程中第二金属层的元素扩散到p‑GaN材料层，与p‑GaN材料层直接接触，易于与p‑GaN形成欧姆接触。
一种 gan 欧姆接触电极及其制备方法电子元件

[发明专利]一种p-GaN欧姆栅长关型器件及其制备方法-CN202211237989.9在审
发明人： 唐楚滢;傅淳;汪青;于洪宇;杜方洲;卢宏浩;何佳琦;邓宸凯;李汶懋 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种p‑GaN欧姆栅长关型器件及其制备方法，该p‑GaN欧姆栅长关型器件的栅极金属包括设置在p‑GaN外延层表面的高亲氧性金属和设置在高亲氧性金属上的高功函数金属，在该p‑GaN欧姆栅长关型器件的制备方法过程中，利用高温退火过程中的元素反应，有效去除GaOx污染物，使栅极的高功函数金属与p‑GaN形成欧姆接触。在形成欧姆接触的同时，既不会造成化学溶液的残留，也不会对样品表面造成损伤，从而消除现有去除GaOx污染物工艺造成的降低器件性能和可靠性的危害。
一种 gan 欧姆栅长关型器件及其制备方法

[发明专利]一种GaN器件及其制备方法-CN202110745865.0有效
发明人：蒋洋;唐楚滢;于洪宇;汪青;汤欣怡;杜方洲 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。
一种 gan 器件及其制备方法

[发明专利]原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法-CN202210556596.8在审
发明人：杜方洲;于洪宇;汪青;蒋洋;唐楚滢;卢宏浩 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本申请提供原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件的原位SiN冒层的刻蚀方法先使用碳氟化合物等离子体对原位SiN冒层进行改性，再使用Ar等离子体轰击去除，通过两步连续循环原子层刻蚀工艺精确控制刻蚀深度，降低表面形貌刻蚀损伤，得到光滑的刻蚀表面，有效降低原位SiN冒层选区刻蚀后表面的表面态、缺陷密度、缺陷尺寸及GaN基异质结构的电学性能损失，优化器件欧姆电极制备工艺，让原位SiN冒层在GaN基异质结构器件制备领域得到更广泛的应用。
原位 sin gan 基异质结构器件及其制备方法

[发明专利]一种增强型晶体管及其制造方法-CN202210617062.1在审
发明人：卢宏浩;唐楚滢;李鸿霖;傅淳;汪青;于洪宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本申请提供了一种增强型晶体管制造方法及一种增强型晶体管，涉及半导体器件领域。增强型晶体管制造方法包括：提供外延片，所述外延片上形成有源漏电极，且所述外延片具有一栅极待沉积区域；在所述栅极待沉积区域沉积铜氧化物膜；在所述铜氧化物膜的表面沉积栅极材料形成栅极，以获得增强型晶体管。相较于现有技术，沉积铜氧化物膜的方式更易于控制，且无需再对P型金属层和外延片的外延层进行刻蚀，一定程度上可以简化制造工艺，以及避免因制造工艺难以精确控制导致的器件性能受影响的问题。在制造过程中，还可以通过确定铜氧化物膜中二价态铜离子与一价态铜离子的比例，以制造出不同阈值电压的增强型晶体管。
一种增强晶体管及其制造方法

[发明专利]一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途-CN202110795264.0在审
发明人： 唐楚滢;杜方洲;于洪宇;汪青;王祥;卢宏浩;武占侠 -专利权人：南方科技大学;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的氧化镍层、铂层和金层，其中，所述氧化镍层为P型结构，所述铂层位于所述P型氧化镍层和金层的中间，所述氧化镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，用于p型氮化镓基器件的源极和漏极，通过引入P型NiO层，过渡金属和半导体界面的肖特基势垒高度，使更多的载流子在金属和半导体间流动，同时通过超高真空热处理，解决了Ga2O3污染层导致的肖特基势垒高度升高问题，降低了器件源漏极欧姆接触电阻，提高了p型氮化镓基晶体管的性能，使得p型氮化镓基器件能够在CMOS电路发挥更大的作用，从劣势变为优势。
一种氮化器件电极及其制备方法用途

[发明专利]P型氮化镓基器件、其欧姆接触系统、及其电极制备方法-CN202110795701.9在审
发明人：卢宏浩;唐楚滢;汪青;于洪宇;王祥;潘晓冬;杜方洲 -专利权人：南方科技大学;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种P型氮化镓基器件、其欧姆接触系统、及其电极制备方法。该欧姆接触系统包括：P型氮化镓层以及位于所述P型氮化镓层一侧的电极，电极包括势垒层以及吸氢合金层；其中，势垒层的功函数大于预设功函数阈值，吸氢合金层的吸氢能力大于P型氮化镓中镁的吸氢能力。本发明实施例提供的P型氮化镓基器件的电极制备技术方案，用于P型氮化镓基器件的源极和漏极，既可以降低欧姆接触的势垒高度，同时还能减薄势垒厚度，并且还解决了接触系统的外扩散、退化等问题，提高了接触的稳定性，降低欧姆接触电阻率，提高了P型氮化镓基器件的性能。
氮化器件欧姆接触系统及其电极制备方法

[发明专利]一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途-CN202110796382.3在审
发明人： 唐楚滢;杜方洲;于洪宇;汪青;王祥;卢宏浩;洪海敏 -专利权人：南方科技大学;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的镍层、铂层和金层，其中，所述铂层位于所述镍层和金层的中间，所述镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，解决了金属电极材料扩散带来的肖特基势垒高度增加而导致的欧姆接触电阻增大的问题，同时将半导体界面的GaO薄层，转变为NiO半导体层，提高了金属/p‑type GaN界面处的Ga空位，进一步降低源漏极欧姆接触电阻，最终改善了p型氮化镓基器件源极和漏极欧姆接触电阻高的问题，提高了p型氮化镓晶体管的性能，使得p型氮化镓基器件能够在CMOS电路中发挥更大的作用。
一种氮化器件电极及其制备方法用途

[实用新型]一种紫外光探测器-CN201922227682.0有效
发明人：于洪宇;张一;唐楚滢;汪青 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种紫外光探测器，包括衬底，衬底具有空腔；压电层，压电层位于衬底的一侧，并覆盖空腔；位于压电层第一面上的顶电极、以及位于压电层第二面上的底电极，第一面和第二面相对，第二面为靠近衬底的一面，顶电极为叉指电极；实现对紫外光基于兰姆波谐振器的高灵敏度和低功耗探测。
一种紫外光探测器

[发明专利]一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法-CN201811479373.6有效
发明人： 唐楚滢;蔡耀;周杰;邹杨;孙成亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H04R1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度的压电麦克风及制作方法，压电麦克风包括具有空腔的基底和位于基底上的压电堆叠结构，基底上的空腔为真空的振动空腔，压电堆叠结构依次包括底部电极，压电薄膜和顶部电极，基底包括基底底层，基底中间层和基底顶层，首先在基底底层上刻蚀出空腔，然后沉积基底中间层，之后在真空环境下基底中间层上键合基底顶层形成振动空腔，然后在基底顶层上刻蚀环形凹槽，在环形凹槽内沉积牺牲层，然后在基底顶层上依次沉积底部电极，压电薄膜和顶部电极，在顶部电极上开设腐蚀孔，将牺牲层腐蚀掉，完成压电麦克风及制作。本发明能够保证空腔内部的真空状态，不存在空气抵抗，大大提高了压电薄膜的应变应力，输出更强的电信号。
一种灵敏度压电麦克风制作方法

[发明专利]一种体声波谐振器的制备方法-CN201911166647.0在审
发明人：于洪宇;王亮;张一;汪青;唐楚滢 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种体声波谐振器的制备方法，该方法包括：提供压电衬底，在压电衬底上进行离子注入形成具有缺陷层连接的第一衬底和第二衬底；在第一衬底上形成金属电极，并图形化金属电极形成底部电极；将具有底部电极的压电衬底一表面键合到带有预置空腔的支撑衬底上，底部电极均位于空腔内；剥离压电衬底的第二衬底；减薄第一衬底至所需厚度；于远离底部电极的第一衬底一面上形成顶部电极。克服了常规工艺中在形成底部空腔过程中对谐振器结构产生不良影响的问题和常规工艺中金属与支撑衬底键合困难的问题，降低工艺容错度，减少工艺步骤和工艺成本，保证器件工作特性。
一种声波谐振器制备方法

[发明专利]高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法-CN201810685353.8有效
发明人：蔡耀;唐楚滢;周杰;邹杨;胡博豪;孙成亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。
基底压电堆叠结构镂空槽顶层高灵敏度压电薄膜中间层制备压电传感器规律分布挠曲变形灵敏度形变释放孔背腔相通贯通输出

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201910111345.7在审
发明人：于洪宇;唐楚滢;王亮;何明浩 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。该薄膜体声波谐振器包括：支撑层、谐振器本体和支撑体；薄膜体声波谐振器包括器件区和围绕器件区的非器件区，谐振器本体位于器件区内的支撑层上；非器件区内的支撑层包括多个条状的弯折结构，弯折结构向背离谐振器本体的一侧弯折；非器件区包括第一子区域和围绕第一子区域的第二子区域，支撑体设置于第二子区域内的所述支撑层背离谐振器本体的一侧；其中，弯折结构的延伸方向与支撑层的径向方向之间的夹角不为零，且位于谐振器本体同一侧的弯折结构相互之间无交叠。本实施例提供的薄膜体声波谐振器，可以得到厚度更小、残余应力更低的支撑层，进而提高谐振频率。
支撑层薄膜体声波谐振器谐振器本体弯折结构器件区子区域支撑体制备背离残余应力谐振频率交叠弯折延伸

[发明专利]便携式血液分离仪-CN201811557071.6在审
发明人： 唐楚滢;蔡耀;周杰;邹杨;孙成亮;国世上 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B04B5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种便携式血液分离仪，包括驱动部件和离心箱体及分离管道。压电马达做驱动部件，离心箱体内的旋转沟槽设计为圆柱体或者圆台，对应的分离管道呈圆形宽管道，方便血液成分在离心之后的沉积分布。离心宽管道的终端设计有几个由阀门控制的独立的分离管道，便于精确分离。本发明最终解决了现行血细胞分离机体积庞大，运行时间长，噪声大，效率低等问题，有利于医疗仪器和医疗器械领域的发展，具有较高的应用价值。
分离管道驱动部件血液分离血细胞分离机医疗器械领域阀门控制效率低等旋转沟槽压电马达医疗仪器终端设计圆台沉积噪声血液应用

[发明专利]一种可调谐的薄膜体声波谐振器-CN201810725684.X在审
发明人：邹杨;周杰;蔡耀;唐楚滢;胡博豪;高超;孙成亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括衬底、空腔、底电极层、调谐层和压电震荡堆；压电震荡堆包括中间电极层、压电层和上电极层；直流偏压施加于中间电极层和底电极层上。该薄膜体声波谐振器直流偏压加在所述底电极和中间电极上，调谐层具有压电特性，且和底电极层均采用环状。这样在较小的直流偏压下，FBAR可以产生较大的偏置位移，从而产生较大的特征频率的改变。因此，可以在低压下实现FBAR谐振频率的较大调节，能极大的扩展FBAR的应用范围。
薄膜体声波谐振器底电极层直流偏压中间电极层调谐层可调谐压电震荡微电子技术特征频率谐振频率压电特性中间电极底电极电极层压电层衬底空腔偏置施加应用

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