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[发明专利]金属栅极的制备方法-CN201610828336.6在审
发明人：雷通;刘英明;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供的金属栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有第一区域和第二区域，第一区域具有第一伪栅极及第一侧墙，第二区域具有第二伪栅极及第二侧墙，半导体衬底表面覆盖层间介质层；去除第一伪栅极，形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁和底壁形成第一功函数调节层，在第一沟槽中填充第一半导体材料层；去除第二伪栅极，形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁和底壁形成第二功函数调节层，在第二沟槽中填充第二半导体材料层；去除第一半导体材料层及第二半导体材料层，在第一沟槽和第二沟槽中填充金属栅极。本发明的第一半导体材料层和第二半导体材料层填充要求不高，易于去除，能够保证栅极金属的填充效果，提高器件的性能。
金属栅极制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201610694067.9在审
发明人：刘英明;鲍宇;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有伪栅极及围绕所述伪栅极的侧墙；去除伪栅极，形成沟槽；在沟槽的侧壁及底壁形成介质层；在所述介质层上形成第一高k介质层；在所述第一高k介质层上采用含氮气源形成第二高k介质层，使得所述第二高k介质层中含有氮，所述第一高k介质层与所述第二高k介质层形成栅介质层；在所述第二高k介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成栅电极，所述栅电极填充所述沟槽。本发明中，第一高k介质层能够避免氮离子进入介质层中，延长半导体器件的寿命，且第二高k介质层中存在N的共价键，占据了第二高k介质层中氧空位，从而降低栅介质层的漏电流，提高半导体器件的性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种改善多孔薄膜材料紫外处理均匀性的装置及方法-CN201610584922.0在审
发明人：易海兰;雷通;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善多孔薄膜材料紫外处理均匀性的装置及方法，该装置包括平行放置于晶圆(6)上方的两根紫外灯管(1)，灯管(1)在灯罩(2)的带动下进行旋转，所述晶圆(6)与紫外灯管(1)之间设有总成组合型结构的透明窗口(3)，所述透明窗口(3)的中心部分为凹形透镜(4)，外圈为平板透镜(5)，利用中心部分的该凹形透镜(4)对投射光的发散作用，使中心区域内的紫外辐照度减弱，本发明可以提高晶圆上的紫外辐照均匀性，最终实现多孔低k值薄膜均匀性的提升，有利于其作为集成电路介电层的稳定性。
一种改善多孔薄膜材料紫外处理均匀装置方法

[实用新型]一种热熔器-CN201620448320.8有效
发明人： 周海锋 -专利权人：浙江铖虹机械有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B29C65/30 文献下载
摘要：本实用新型属于塑料管材的加热熔化工具，具体涉及一种热熔器，包括手柄、电器盒、散热片和加热板，所述的手柄依次连接电器盒、散热片和加热板，所述的加热板上设置有连接热熔模头的装载孔，所述的电器盒一侧设置有可插接支架的插脚，另一侧设置有凹进电器盒内的开关腔，所述的开关腔内设置有电源开关。本实用新型把电源开关设置在电器盒内的开关腔内，有利于更好地安排电器盒的内部电路设计，且隐藏式开关可以防止工作的时候出现误触情况，同时，有利于对热熔器的外形进行的进一步设计完善。
一种热熔器

[发明专利]一种深冲压抗油多层共挤型保护膜-CN201610298502.6在审
发明人：李代珍;周海锋;邓隽 -专利权人：佛山市顺元塑胶制品有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种深冲压抗油多层共挤型保护膜，其特征在于，它是由共挤的两表层和位于两表层之间的芯层构成三层薄膜并经冲压成形制成，本发明的保护膜具有机械性能优良，刚性、硬度及韧性高，耐酸碱、抗蠕变性，耐疲劳性好，芯层采用聚偏氟乙烯为主料，具有高效的抗冲击、抗油性，适用于各种玻璃、金属、塑料外壳表面的防护。
一种冲压多层共挤型保护膜

[实用新型]自动型组合式电缆传送机器人-CN201620345434.X有效
发明人：周博;周海锋;杨政;叶爱学 -专利权人：博锋智能科技（大连）有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H02G1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动型组合式电缆传送机器人，包括运动模块和控制模块，控制模块上设有按钮、航插接口、无线控制模块，控制模块与运动模块之间通过线缆相连。本实用新型将运动模块与控制模块分离，极大缩小了运动机构的体积和重量，扩大了适用范围，降低了升级和维修成本；通过伺服电机和滚珠丝杠装置实现了电缆的自动输送，减少了人工的使用；通过具有单向输送功能和自适应外径功能的机械手臂，使电缆定向输送，提高了效率；通过单机控制或多个机构联机协调工作，可以适应不同工况，按照实际需求自由搭配；采用有线或无线远程控制，统一协调多个机构，可调整机构数量、速度、运行模式等指标，并保证各个机构同步动作，提高了工作效率。
自动组合式电缆传送机器人

[实用新型]带防粘衬套的吹膜机气垫辊-CN201620086962.8有效
发明人：李代珍;莫广新;周海锋;邓隽 -专利权人：佛山市顺元塑胶制品有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B29C55/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带防粘衬套的吹膜机气垫辊，包括中空的辊体，辊体顶部外表面、薄膜经过处设有一层可拆卸的防粘衬套，防粘衬套上设有与辊体的内腔相通的气孔。本实用新型对薄膜的阻碍小，使用寿命较长，使用成本较低。
带防粘衬套吹膜机气垫

[实用新型]橡胶型保护膜吹膜机的气垫辊-CN201620086935.0有效
发明人：李代珍;莫广新;周海锋;邓隽 -专利权人：佛山市顺元塑胶制品有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： B32B15/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种橡胶型保护膜吹膜机的气垫辊，包括中空的辊体，辊体为高强度不锈钢管，其管体表面设有防粘包胶层，防粘包胶层的顶部外表面、保护膜经过处设有轴向的凹槽，凹槽内设有与辊体的内腔相通的气孔。本实用新型对经过的保护膜的阻碍作用小，特别适用于生产高粘橡胶型保护膜。
橡胶保护膜吹膜机气垫

[实用新型]一种改良型盖毯-CN201620030980.4有效
发明人：钱文文;周海锋 -专利权人：钱文文;周海锋
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： A47G9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改良型盖毯，包括盖毯本体，及设置在盖毯本体上的领口部，及设置在盖毯本体上的长拉链，及设置在盖毯本体上的两个便于手臂穿过的开口部，及设置在盖毯本体上的开口槽，所述长拉链两侧分别固定在开口槽的侧壁上，所述领口部设置在盖毯本体上部，所述两个开口部设置在领口部下部部位的盖毯本体上，所述两个开口部上均设有短拉链，所述领口部内设有一根收口带子，所述收口带子两端均延伸出领口部，所述领口部与盖毯本体上部的配合处设有缝合部。其结构简单，使用、安装方便，操作简单，实用性强，成本低，制作简便，外形美观，保暖效果好，适用范围广，使用寿命长，具有安全可靠的作用。
一种改良型盖毯

[发明专利]一种去除虚拟栅极介质层的方法-CN201610141518.6在审
发明人：鲍宇;周晓强;周军;钟斌;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除虚拟栅极介质层的方法和制备金属栅极的方法，用第一等离子体去除位于半导体衬底表面的虚拟栅极介质层，露出半导体衬底，然后用第二等离子体去除半导体衬底表面的含氟化合物，虚拟栅极介质层的材料中含有Si和O，第一等离子体含有F，第二等离子体含有H₂，然后在位于侧墙包围范围内的半导体衬底的表面依次形成栅极介质层和金属栅极。本发明在使用含氟的等离子体去除虚拟栅极介质层后，用包含H₂的等离子体与半导体器件表面的含氟化合物反应，生成气态物质HF，该气态物质离开半导体器件，从而将氟元素带离半导体器件，因此也减少了半导体衬底上氟元素的含量，避免了氟元素对后续半导体器件中反型层以及整个栅极漏电流的影响。
一种去除虚拟栅极介质方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法-CN201410654436.2在审
发明人：谭俊;周海锋;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在所述锗硅外延的反应过程中，在锗硅薄膜生长的一定厚度范围内，先适当降低锗浓度，再逐步提高所述锗浓度，形成一线性浓度梯度，直至超过平均锗浓度，最后保持所述锗浓度恒定而完成生长。与传统技术相比，本发明减少了在嵌入式锗硅外延的生长过程中由于锗浓度的直接变化导致晶格失配而诱发的锗硅薄膜的位错缺陷，提高了锗硅的应力，改善了PMOS晶体管的电性。
嵌入式外延缺陷改善方法

[发明专利]电力系统运行备用安全裕度在线评估方法-CN201510874414.1在审
发明人：徐泰山;汪际锋;唐卓尧;鲍颜红;黄河;苏寅生;郑亮;刘韶峰;任先成;周海锋 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司;中国南方电网有限责任公司;南京南瑞集团公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力系统运行备用安全裕度在线评估方法，属于电力系统运行与控制技术领域。本发明提出了通过考虑保护和安自装置动作的时域仿真得到故障后系统稳定运行状态，基于该状态的直流潮流方程计算出运行备用对输电设备和输电通道的有功灵敏度，通过求解考虑运行备用可控区间、输电设备过载限额和输电通道安全稳定限额约束，以运行备用最大为目标的优化函数，得到实际可用于控制稳态频率的运行备用容量最大值，结合功率频率静态特性系数，计算出稳态频率的最大可控量，实现了考虑故障的运行备用安全裕度在线评估。
电力系统运行备用安全在线评估方法

[实用新型]轮速传感器线束固定支架-CN201521084550.2有效
发明人：晋旋;周瑾;周海锋;李伟朝;余亮浩;臧雪飞;何明雪;赵晓辉 -专利权人：郑州日产汽车有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种轮速传感器线束固定支架，它包括注塑成型的L型塑料支架本体，在所述L型塑料支架本体的底面一侧开设有长圆孔，另一侧开设有圆孔；在L型塑料支架本体的立面顶部开设有线束固定卡槽，所述线束固定卡槽上部为倒梯形，下部为圆形。本实用新型优点在于结构简单、装配方便不易变形，效果好。一体成型能够大大减少生产的成本，且在装配时不易变形，确保了装配的便利性，同时满足低成本及零件的耐久性能。
传感器固定支架

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410617386.0在审
发明人： 周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底，形成第一凹槽；氧化所述第一凹槽暴露出的半导体衬底表面，形成氧化层；去除所述氧化层，形成第二凹槽，所述第二凹槽的体积大于所述第一凹槽的体积。本发明半导体器件的形成方法，可以显著提升半导体器件的性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法-CN201410561824.6在审
发明人： 周海锋;谭俊;高剑琴 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在该锗硅外延的反应过程中，减少衬底所在的晶圆片在高温环境中由于连续的不同反应步骤相互切换而额外需要的升降温度、流量以及压力调整以达到稳定的状态所花费的时间，减少反应气体对该衬底上待外延的沟槽侧壁的刻蚀消耗。本发明能够减少嵌入式锗硅外延生长过程中因侧壁损伤而引发的位错缺陷，提高了锗硅的应力，也提高了载流子的迁移率，改善了PMOS晶体管的电性。
嵌入式外延缺陷改善方法