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[发明专利]IGBT器件及其控制方法-CN202111615574.6在审
发明人：葛景涛;钟圣荣;钟子期;周东飞;曹荣荣;张贺源 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种IGBT器件及其控制方法，器件包括：选取至少一个沟槽栅，并通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第二外部信号输入端，形成第二控制栅极；通过选取在第二控制栅极对应的沟槽栅的一侧或两侧相邻的沟槽栅，通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第一外部信号输入端，形成第一控制栅极；第一控制栅极接收第一控制信号，第二控制栅极接收第二控制信号。本发明通过选取沟槽栅，通过栅走线将选取出的沟槽栅分别连接至两个外部信号输入端，形成第一控制栅极和第二控制栅极；向第一控制栅极和第二控制栅极分别输入第一控制信号和第二控制信号，实现控制器件的导通或关断，减小了开关过程中的dv/dt和di/dt等参数，减小了电磁干扰。
igbt 器件及其控制方法

[发明专利]沟槽栅超结MOSFET及其制造方法-CN202111313685.1在审
发明人：曹荣荣;钟圣荣;钟子期;周东飞;葛景涛 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅超结MOSFET及其制造方法，其中沟槽栅超结MOSFET包括金属化漏极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型半导体掺杂漂移区、第二导电类型半导体掺杂柱区等；金属化漏极位于第一导电类型半导体掺杂衬底的背面；超结结构位于第一导电类型半导体掺杂衬底的上方；第二导电类型半导体体区位于超结结构的上方；金属化源极位于沟槽栅超结MOSFET的表面；第二导电类型半导体体区的上表面设置有第二导电类型半导体掺杂接触区。本发明避免了雪崩电流经过寄生BJT，因而寄生BJT不会开启，从而增强了超结MOSFET器件的抗UIS失效能力。
沟槽栅超结 mosfet 及其制造方法

[发明专利]Trench MOS器件及其制造方法-CN201910938219.9有效
发明人： 周东飞;孙永生;钟圣荣 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种Trench MOS器件及其制造方法，所述制造方法包括：S1.提供一衬底；S2.对衬底的一表面进行刻蚀，形成沟槽；S3.在衬底的表面和沟槽内形成第一氧化层；S4.在第一氧化层的表面进行淀积，形成淀积层；S5.对淀积层采用高温退火处理，将淀积层中的第一杂质扩散至衬底中，形成扩散层；S6.对扩散层和衬底采用杂质注入，形成杂质注入区。本发明实现在不影响body结深的情况下，减小了沟道长度，有效地减小了Trench MOS器件的导通电阻，且不会影响器件的反向特性，进而保证了器件的可靠性；也阻止body区域连成一片，有利于Trench MOS器件的开启；另外，存在不增加成本的优点。
trench mos 器件及其制造方法

[发明专利]具有N埋层的沟槽型基区电阻控制晶闸管及其制作方法-CN202011530133.1在审
发明人：曹荣荣;钟圣荣;钟子期;周东飞;葛景涛 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有N埋层的沟槽型基区电阻控制晶闸管及其制作方法，其中，该具有N埋层的沟槽型基区电阻控制晶闸管的结构组成包括：衬底；在衬底的内部设置有缓冲层、N埋层以及在衬底的上方设置有表面结构区；沟槽栅极穿过表面结构区，沟槽栅极的底部延伸至衬底的内部；其中，表面结构区包括P基区、N+阴极区以及分流区，沟槽栅极位于P基区的一侧，N埋层的一端沿着水平方向在衬底的内部延伸至P基区的下方，N埋层的存在可以抑制导通时空穴被分流区抽取，使更多空穴在N埋层下方积累，以及增大流过P基区的空穴电流，加速晶闸管的开启，提高器件开启速度，改善电压折回现象。
具有沟槽型基区电阻控制晶闸管及其制作方法

[发明专利]超级势垒整流器的制备方法以及超级势垒整流器-CN202010649710.2在审
发明人：钟子期;钟圣荣;周东飞;刘欢;孟宪博;董志意 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级势垒整流器的制备方法以及超级势垒整流器，所述制备方法包括：在衬底上形成外延层；在所述外延层上热生长场氧化层；在所述场氧化层上刻蚀有源区；在所述有源区中注入离子并推结形成P阱；在所述有源区中刻蚀沟槽，所述沟槽贯穿所述P阱；在所述沟槽的侧壁以及底部热生长栅氧层；在所述沟槽内淀积多晶硅；在所述有源区中的所述沟槽两侧形成P型体区；在所述P型体区表面以及所述多晶硅表面制作金属电极。本发明技术方案解决了高压超势垒整流器易发生穿通击穿的难题，为量产高压超势垒整流器提供了一个切实可行的方案。
超级整流器制备方法以及

[发明专利]IGBT的制造方法和IGBT-CN202010345911.3在审
发明人：钟圣荣;钟子期;周东飞;孙永生;董志意;刘欢;孟宪博 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了IGBT的制造方法和IGBT，其中IGBT的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底中制作形成沟槽；在半导体衬底中制作形成载流子存储区，载流子存储区自沟槽的侧壁向衬底单元的内部延伸预设距离；对沟槽的底部进行刻蚀以使沟槽达到预设深度；在加深的沟槽中制作形成沟槽栅。本发明通过优化IGBT正向导通时载流子的分布，降低导通压降Vce(on)以降低器件的导通损耗。
igbt 制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN202010346503.X在审
发明人：钟圣荣;钟子期;周东飞;孙永生;董志意;刘欢;孟宪博 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中制造方法包括以下步骤：对若干衬底单元进行刻蚀以形成若干沟槽，若干沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽用于形成第一绝缘栅双极晶体管的沟槽栅，第一绝缘栅双极晶体管为在第一衬底单元制造形成的绝缘栅双极晶体管，第二沟槽用于形成第二绝缘栅双极晶体管的沟槽栅，第二绝缘栅双极晶体管为在第二衬底单元制造形成的绝缘栅双极晶体管；第一沟槽的延伸方向与第二沟槽的延伸方向正交；制造形成沟槽栅。本发明有利于释放水平和垂直两个方向的应力，降低深槽刻蚀后带来的圆片翘曲的问题。
绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]自钳位IGBT器件及其制造方法-CN201911281948.8有效
发明人：孙永生;钟圣荣;周东飞 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种自钳位IGBT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在IGBT芯片上制作第一打线窗口；在第一芯片上制作第二打线窗口和第三打线窗口；将所述第一芯片叠放在所述IGBT芯片表面；将所述第一打线窗口和所述第二打线窗口进行打线连接，并将所述第三打线窗口和所述IGBT芯片的栅极进行打线连接。本发明在不需要调整IGBT芯片及晶体管(如二极管)的设计规则及工艺的条件下，大大地降低了制造工艺难度，降低了器件的设计要求，提高了IGBT芯片和晶体管芯片结构设计及加工自由度，且在实现自钳位保护功能的同时也保证了IGBT有源区面积不损失；另外，制造流程具有一定的通用性，另外也简化了制造流程。
igbt 器件及其制造方法

[发明专利]整流器及其制造方法-CN201310456990.5有效
发明人：钟圣荣;王根毅;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种整流器及其制造方法，该整流器包括元胞区域和保护环区域，元胞区域包括多个整流二极管，整流二极管包括衬底、位于衬底上的外延层、位于外延层上的P型区、贯穿P型区的沟槽、设于沟槽内的沟道多晶硅、位于沟槽的槽壁与沟道多晶硅之间的氧化层、位于P型区内且位于沟槽两侧的N+区、位于P型区、N+区和沟道多晶硅上的正面金属层以及位于衬底背面的背面金属层。该整流器采用沟道型MOS结构，消除了寄生JFET电阻，可以进一步降低整流器的正向导通压降。同时降低了芯片的面积，降低了器件的成本。该整流器制造方法采用了保护环光刻板、沟槽光刻板、源区光刻板和金属光刻板共四块光刻板，具有工艺简单、制造成本低的优点。
整流器及其制造方法

[发明专利]半导体整流器件及其制作方法-CN201410828687.8有效
发明人：钟圣荣;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体整流器件，在正向偏置时，电子电流从上电极(阳极)靠近沟槽结构表面的导电沟道向第一导电类型衬底流动，电子移动几乎不存在任何势垒，加上沟槽结构表面的电子增强效应，使得器件正向压降大大降低。反向偏置时，利用PN结(第二导电类型掺杂区和沟槽结构之间)的横向耗尽，形成空间电荷区，阻挡载流子的移动，使得器件反向漏电较小，反向电压增大。各沟槽结构的存在，也增加了器件耗散能量的结面积大小，使得器件具备高反向击穿电压以及高雪崩耐量。还公开该半导体整流器件的制作方法，该方法与沟槽MOS工艺兼容，整个工艺采用4张光刻板，简化工艺流程，降低制造成本。
半导体整流器件及其制作方法

[发明专利]活性材料及其制备方法、锂离子电池-CN201811356228.9在审
发明人：杨龙奎;王金全;邢红霞;周东飞;马书良 -专利权人：北方奥钛纳米技术有限公司;银隆新能源股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种活性材料及其制备方锂离子电池，制备方法包括：制备三元前驱体；将所述三元前驱体、锂源、锆源、镧源混合，进行一次材料烧结，得到三元一次材料；将所述三元一次材料与铝源混合，进行二次材料烧结，得到三元二次材料。本申请提供的制备方法，将三元前驱体先进行Zr、La一次掺杂，然后将Al作为包覆剂进行包覆，如此得到的活性材料，如此得到的活性材料既提高了材料本身内部晶体框架的稳定性，在包覆后又提高了材料的外部稳定性，因此能够获得较好的循环性能、较高的容量保持率及更好的热稳定性。
制备活性材料三元前驱体锂离子电池二次材料烧结包覆容量保持率晶体框架热稳定性循环性能一次掺杂包覆剂铝源锂源锆源镧源申请外部

[发明专利]场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法-CN201410827073.8有效
发明人：钟圣荣;王根毅;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法，包括：提供P型衬底；分两次向所述P型衬底内注入N型杂质，包括一次砷离子注入和一次磷离子注入，所述磷离子注入的注入能量大于所述砷离子注入的注入能量；进行热推阱，形成N型场截止层；在所述场截止层的第一表面外延形成N型漂移区；形成所述场截止绝缘栅双极晶体管的正面结构；对所述P型衬底进行背面减薄处理；对所述场截止绝缘栅双极晶体管进行背面金属化处理。本发明采用一次低能量的砷注入和一次高能量的磷注入，利用两次注入时砷离子和磷离子扩散速率的差异，能够优化场截止层的N型杂质浓度分布。
截止绝缘双极晶体管制备方法

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201310306819.6有效
发明人：钟圣荣;邓小社;王根毅;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括原胞区和位于所述原胞区外侧的终端保护区；形成于所述半导体衬底的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度高；形成于所述原胞区内的第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元，其中，所述绝缘栅型晶体管单元导通时，其形成有第一导电类型的沟道。与现有技术相比，其不仅可以提高该绝缘栅双极晶体管的耐压可靠性，而且还可以降低该绝缘栅双极晶体管的正向导通压降。
一种绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201310306115.9有效
发明人：邓小社;钟圣荣;周东飞;王根毅 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极型晶体管制造方法在制造IGBT时先在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区，然后再形成IGBT正面结构和背面结构。通过在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区来减小高温漏电流。因此，该绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。
绝缘栅双极型晶体管载流子漏电流增强区制造衬底背面结构正面结构减小

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN201310380034.3有效
发明人：钟圣荣;周东飞;邓小社;王根毅 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT的制备方法，包括提供衬底，在衬底的正面形成场氧层，并形成终端保护环；用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层，以光刻胶为掩蔽膜向衬底内注入N型离子；在场氧层被刻蚀掉的衬底上淀积并形成多晶硅栅，在多晶硅栅上形成保护层；对N型离子的注入区域进行推结后形成载流子增强区；用P阱光刻版光刻并向载流子增强区内注入P型离子，推结后形成P型体区；借助多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子，推结后形成N型重掺杂区；在多晶硅栅两侧形成侧墙，再向N型重掺杂区内注入P型离子，推结后形成P型重掺杂区；去除保护层后进行多晶硅栅注入掺杂。本发明通过形成载流子增强区降低了器件的导通压降。
一种绝缘栅双极型晶体管制备方法

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