专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种胶轮车车厢遮盖装置-CN202321257741.9有效
  • 吴振兴;吴小刚;王立卫 - 陕西彬长小庄矿业有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-10-20 - B60P7/04
  • 本实用新型公开了一种胶轮车车厢遮盖装置,涉及胶轮车相关领域,包括车厢、遮盖机构和收卷机构,所述车厢前端固定连接有遮盖机构和车厢左端固定连接有收卷机构,设置遮盖机构,通过拉绳带动篷布的移动进行放置物料,然后通过弹簧的复原带动篷布移动进行遮盖,避免人员上下车厢时出现的不安全因素的发生,对物料运输过程中防尘降尘工作起到了很好的帮助,设置收卷机构,通过收卷辊对拉绳进行收卷,然后通过棘轮和棘爪的卡合进行固定,防止拉绳长度过长,工作人员在进行物料搬运时,可能受拉绳影响绊倒,存在不安全因素。
  • 一种胶轮车车遮盖装置
  • [发明专利]一种基于一体化平面耗尽型结终端的功率器件制备方法-CN202310943308.9在审
  • 吴振兴 - 北京贝茵凯微电子有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-09-29 - H01L21/331
  • 本发明公开了基于一体化平面耗尽型结终端的功率器件制备方法,包括:在N‑型区熔单晶硅衬底淀积一层光刻胶,曝光光刻胶形成终端结注入窗口并注入B离子;将曝光后的N‑型区熔单晶硅衬底进行第一预设温度退火,进行一次推结;通过氧化工艺在N‑型区熔单晶硅衬底的表面形成一层氧化层保护终端结区域,并对P‑型终端环进行二次推结;在N‑型区熔单晶硅衬底表面刻蚀得到有源区注入窗口;基于有源区注入窗口,对芯片表面进行处理,得到有源区、栅极区及终端区。通过采用宽区域氧化隔离和超轻掺杂一体化P‑型终端结类型结构,实现了栅极结构与终端结构的有效集成,利用轻掺杂的P‑型终端和N‑型衬底电荷平衡原理提高了芯片耐压性能。
  • 一种基于一体化平面耗尽终端功率器件制备方法
  • [发明专利]一种船舶壁面附着物多功能清洗装置-CN202310792922.X在审
  • 胡超祥;谷云庆;裘前峰;丁洪新;吴登昊;牟介刚;吴振兴 - 中国计量大学
  • 2023-06-30 - 2023-09-08 - B63B59/08
  • 本发明公开了一种船舶壁面附着物多功能清洗装置。本发明可根据不同附着物类型的清理需要选择合适的清理模块,其中铲刀清理装置针对藤壶等硬壳类附着物加以铲除,对于壁面不同附着物区域的实际情况,可调铲刀角度和高度以便提高铲除效率,同时,铲除过程中喷淋单元可实现附着物与壁面接触处润湿软化,便于铲刀清理,减小壁面损伤;毛刷清刷装置针对藻类软附着生物加以清刷,刷子高度可调以适应与弯曲壁面的接触,机体运动过程中两侧刷子垂直于行走方向来回清扫增大了清洁面积,魔术贴可以方便更换刷子;切割装置针对一些难以铲除的贝类附着物或藤蔓类附着物进行切割,切割片转动过程中可以调节伸出长度,方便调整附着物的切割深度,提高切割效果。
  • 一种船舶附着物多功能清洗装置
  • [实用新型]一种便携式钢筋材料检测装置-CN202320624426.9有效
  • 许建伟;陈朝魁;吴振兴 - 福建省天成建设工程质量检测有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-09-08 - G01N3/08
  • 本实用新型涉及钢筋质量检测技术领域,且公开了一种便携式钢筋材料检测装置,包括底座,所述底座底部四角均固定连接有支撑脚,所述底座顶部固定连接有支撑台,所述支撑台前侧表面固定连接有压力表,所述支撑台顶部中间设置有固定机构。该便携式钢筋材料检测装置,通过设置的固定机构,通过螺栓驱动三角卡盘向靠近钢筋的一侧移动,并对钢筋进行夹持固定,避免在对钢筋进行测试时,钢筋出现偏移松动的现象,同时能够适应不同直径尺寸的钢筋,扩大了此装置的使用范围,通过设置的检测机构,通过顶板向下移动,并对钢筋施加压力,此时顶板对钢筋施加的压力数值会在压力表的表面进行呈现,从而实现对钢筋质量的检测目的。
  • 一种便携式钢筋材料检测装置
  • [发明专利]一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法-CN202310574185.6在审
  • 吴振兴 - 北京贝茵凯微电子有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-08-29 - H01L27/06
  • 本发明公开了一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法,用于栅极电压控制型功率器件,栅极集成电阻包括:设置于栅极PAD和栅极汇流条之间的若干个电阻单元;电阻单元的一端与栅极PAD连接,其另一端通过电阻引出极与栅极汇流条连接或悬空;至少一个电阻引出极与栅极汇流条连接;若干个电阻引出极之间电气隔离,可通过外置导线连接。通过在封装端采用阻值可调的栅极集成电阻的功率器件,在栅极和栅极汇流条之间形成了一个可调可变的内置集成电阻网络,具有电阻调节便利、无需重新进行芯片设计开发、适用频率范围宽、均流效果好等优点。
  • 一种功率器件栅极集成电阻及其制备方法
  • [发明专利]一种沟槽型功率半导体芯片制备方法及芯片-CN202310413597.1在审
  • 吴振兴 - 北京贝茵凯微电子有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-28 - H01L29/423
  • 一种沟槽型功率半导体芯片的制备方法和沟槽型功率半导体芯片。该方法通过将金属层直接与多晶硅连接,除去了表面POLY层,使得芯片表面不产生层与层之间的台阶交叠爬坡,微填充问题彻底解决,可靠性大幅提高;沟槽型功率半导体芯片表面4层结构简化到3层结构,同时改变了多晶硅栅极的形成与互联方式,将原有技术多晶硅沟槽‑‑‑多晶硅总线‑‑‑栅极金属的三级互联的形式,变成多晶硅沟槽‑‑‑栅极金属二级互联的形式,去除了表面多晶硅汇流条,工艺大大简化,使得芯片利用效率大幅提高。
  • 一种沟槽功率半导体芯片制备方法
  • [发明专利]一种IGBT芯片制备方法和IGBT芯片-CN202310467252.4有效
  • 吴振兴 - 北京贝茵凯微电子有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-07-21 - H01L21/331
  • 一种IGBT芯片的制备方法和IGBT芯片。该制备方法包括:硅基衬底制备;在硅基衬底上形成P型终端区和有源区,使有源区与终端区氧化隔离;在有源区中形成多晶硅沟槽‑栅极/源极金属直接连接的栅极/源极;进行至少一次钝化操作;对硅基衬底的背面进行研磨减薄,然后依次形成N型FS层和P+层以及集电极。该IGBT芯片为该方法制得。本发明通过将金属层直接与多晶硅连接,去除了表面多晶硅汇流条,减少了芯片表面大面积的多晶硅栅极总线的排布,使得芯片表面不产生层与层之间的台阶交叠爬坡,微填充问题彻底解决,可靠性和芯片利用效率大幅提高。
  • 一种igbt芯片制备方法
  • [实用新型]一种配电柜安全隔离装置-CN202320463457.0有效
  • 董红涛;张升军;吴振兴 - 陕西彬长小庄矿业有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-07-18 - H02B1/14
  • 本实用新型涉及配电柜技术领域,尤其涉及一种配电柜安全隔离装置。本实用新型提供一种能够对配电柜电线进行隔离,对操作人员进行保护,提高安全性的配电柜安全隔离装置。一种配电柜安全隔离装置,包括有固定挡板、转动件、支撑杆和滑动挡板等,固定挡板前部转动式连接有多个转动件,固定挡板前部左右两侧均滑动式连接有支撑杆,转动件均与相邻的支撑杆转动式连接,固定挡板左右两部均滑动式连接有滑动挡板。本实用新型通过移动支撑杆与配电柜进行连接,接着移动滑动挡板对配电柜的宽度进行适配,从而达到了能够对配电柜电线进行隔离,对操作人员进行保护,提高安全性的作用。
  • 一种配电柜安全隔离装置
  • [发明专利]一种功率器件原胞结构、功率器件及其制备方法-CN202310576995.5在审
  • 吴振兴 - 北京贝茵凯微电子有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-07-14 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种功率器件原胞结构、功率器件及其制备方法,其中功率器件原胞结构包括:若干个栅极沟槽及栅极沟槽分别对应的栅极;栅极沟槽包括:并列设置且互相独立的若干个第一沟槽和若干个第二沟槽;第一沟槽与栅极汇流条连接,第二沟槽两端浮空设置;栅极包括:与第一沟槽相对应的第一栅极、与第二沟槽相对应的第二栅极。通过采用假栅极结构将原胞区的Trench间互相独立开来,使Trench的栅极氧化层产生浮空效果,不计入在Cge内,也不计入在Cies内,进一步大幅降低输入电容,此外,还可以通过调节假栅极的数量来调节输入电容和反馈电容。
  • 一种功率器件结构及其制备方法

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