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[发明专利]高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件-CN202311204131.7在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，该外延结构包括Si衬底以及依次层叠在Si衬底上的CN预铺层、AlN缓冲层、复合层，在生长CN预铺层的过程中，通入C3H8和NH3，具体的，通过在Si衬底上沉积AlN缓冲层之前，对Si衬底进行预处理，即同时通入C3H8和NH3，以在Si衬底上生长一层CN预铺层，降低界面的背景载流子浓度，提高AlN缓冲层表面平整度，从而提高外延层晶体质量。
电子迁移率晶体管外延结构制备方法 hemt 器件

[发明专利]一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310904852.2在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片，方法包括：获取一衬底；在所述衬底上依次生长AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层；其中，所述多量子阱层的生长方法包括：在所述应力释放层上周期性层叠生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层以形成所述多量子阱层；其中，所述GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减。本申请通过对GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减的方法制备多量子阱层，提高了晶体质量及发光效率。
一种提高亮度 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法-CN202310756263.4在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和第二半导体层；所述第二半导体层包含依次层叠在所述电子阻挡层上的三维未掺杂BN层、二维N极性InBN层和P型半导体层；所述P型半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为周期性交替层叠的第一P型GaN层和第一P型InAlGaN层，所述第二子层为第二P型GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升多量子阱区域的载流子的匹配度。
提升载流子匹配发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202311102371.6在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将全反射复合层设置在多量子阱层之前，以最大化的反射使得正向发光亮度提升，其中，全反射复合层包括周期性生长的第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层，第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率依次减小，第一反射子层为不掺杂的GaN层，第二反射子层为AlGaN层，第三反射子层为AlN层，AlGaN层中Al组分为20%~80%，具体的，由于第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率不一样，具备全反射条件，另外，由于外延生长工艺较为成熟，在LED外延片中设置全反射复合层后，可以减少在制备LED芯片时设置DBR层，以降低成本。
一种 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310883170.8在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应变调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应变调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的InAlN层、MgN纳米岛层、二维AlGaN层和InxGa(1‑x)N/GaN超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能够缓解现有技术中存在的晶体质量差，发光效率低且波长亮度均匀性偏低的问题。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种低成本LED芯片的制备方法及LED芯片-CN202310895165.9在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本LED芯片的制备方法及LED芯片，涉及半导体制作技术领域，该制备方法包括：将经过前道工序制作得到的外延片键合至一预设厚度的基板之上，使所述外延片的外延层与所述基板键合连接；其中，所述基板为透明玻璃或由其它耐高温的透明材料制成；控制激光光斑对所述外延片进行照射，对所述外延层与外延衬底之间的缓冲层进行分解，以使所述外延衬底与所述外延层分离并脱落；在所述基板的所述外延层之上制作芯片结构，得到LED芯片。本发明在制作LED芯片的过程中，剥离下来的衬底可以重复循环使用，一方面去除了芯片后道减薄研磨工序，另一方面可以使衬底循环使用，降低了衬底原材料的损失，从而降低生产成本。
一种低成本 led 芯片制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310604438.X在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，包括衬底，该发光二极管外延片还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、过渡层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型半导体层；所述P型半导体层包括预设周期交替层叠的P型GaN层和P型AlxInyGa1‑x‑yN层，所述P型GaN层设于所述电子阻挡层上；所述P型GaN层为三维生长的P型掺杂GaN层，所述P型AlxInyGa1‑x‑yN层中x的取值范围为0.4‑0.6，y的取值范围为0.01‑0.2，本发明能够解决现有技术中AlGaN材料作为P型半导体层，空穴不足，导致电子空穴复合效率降低的技术问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310988223.2在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该LED外延片包括衬底及层叠于衬底之上的外延层，外延层包括电子阻挡层以及P型掺杂GaN层；外延层还包括电容层，电容层设于电子阻挡层与P型掺杂GaN层之间，电容层为第一AlN子层、P型掺杂GaN子层与第二AlN子层相互层叠的复合层。在本发明中，通过在电子阻挡层与P型掺杂GaN层之间制作电容层，在大电流情况下，在电子朝向P层运动的过程中，可以较好的把电子锁在电容层内，提高了芯片自身储存电荷的能力，从而提高了抗静电能力，即提升了极限ESD能力。
一种 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310439083.3在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，制备方法包括：提供一图形化蓝宝石衬底；在第一预设温度、第一预设压力下，通入第一预设流量的NH3，对图形化蓝宝石衬底表面进行预处理第一预设时间，形成复合层；在第二预设温度、第二预设压力下，通入第二预设流量的TMGa，在复合层上生长第二预设时间，形成Ga层，其中，第一预设温度高于第二预设温度；在Ga层上依次生长AlGaN缓冲层、未掺杂的GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层及P型接触层，本发明能够解决现有技术中在图形化蓝宝石(PSS)衬底上生长GaN或AlGaN或AlN缓冲层，将会导致位错密度提高或翘曲严重的技术问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310968033.4在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述多量子阱层包括周期性层叠设置的量子阱层、盖帽层以及量子垒层；其中，所述量子阱层为AlScN层、盖帽层为AlSiN层、量子垒层为AlN层。本发明解决了现有技术中的LED的光提取效率低以及多量子阱中电子空穴辐射复合效率低而导致LED发光效率低的问题。
一种多量子阱层及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]一种外延片制备方法及其外延片、高电子迁移率晶体管-CN202310745389.1在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片制备方法及其外延片、高电子迁移率晶体管，所述方法包括提供一硅衬底；以氮气为载气，同时通入GeCl4和TMAl对所述硅衬底进行预处理形成Ge‑Al预铺层；依次在所述Ge‑Al预铺层上生长第一缓冲层、第二缓冲层、高阻缓冲层、沟道层、插入层、势垒层以及盖帽层。本发明解决了现有技术中在提高外延片击穿电压的时容易存在后续缓冲层表面形貌恶化、翘曲以及开裂的问题。
一种外延制备方法及其电子迁移率晶体管

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310414212.3在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述P型半导体层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的二维InN层、三维P型InAlGaN层和P‑GaN/GaN超晶格层，所述P‑GaN/GaN超晶格层包括交替层叠的P‑GaN层和GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够改善GaN基发光二极管P型GaN空穴浓度不高和空穴注入效率低的问题。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件-CN202310575008.X有效
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，通过在高电子迁移率晶体管外延结构中，使用Ga2O3层和Al掺杂的Ga2O3层周期性交替生长而成的高阻缓冲层，可以降低缓冲层漏电，提高对器件的夹断特性和耐压特性，具体的，由于Ga2O3相比传统的GaN具有更高的临界击穿场强，且与GaN晶格失配小，更容易生长出高晶体质量的外延薄膜，从而可以在提高HEMT外延层的高阻特性的同时，提高器件的击穿电压，并且得到高晶体质量的外延薄膜。
电子迁移率晶体管外延结构制备方法 hemt 器件

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310594512.4有效
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括依次层叠的N型In量子点层、InaGa(1‑a)N层和P型InbAlcGa(1‑b‑c)N/AldGa(1‑d)N超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能提升GaN基发光二极管量子局限能力，提升内部量子效率，进而提升产品发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、晶体管-CN202310599107.1在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、晶体管，高电子迁移率晶体管包括高阻缓冲层，高阻缓冲层包括Mn‑AlGaN层。本申请通过将Mn‑AlGaN层作为高阻缓冲层，提高了缓冲层电阻率，降低了缓冲层漏电，提高器件的夹断特性和耐压特性。
一种电子迁移率晶体管外延及其制备方法

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