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[发明专利]液体测微器-CN201880052291.5有效
发明人： 吉川和博;浅野真己雄;桥本一十三;都筑拓也;笹尾起美仁 -专利权人：先进电气工业株式会社
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01B13/02 文献下载
摘要：本发明的液体测微器的特征在于，包括：液体流路(30)，从液体供给单元(10)将液体供给至排出喷嘴(20)；流量传感器(40)，设置在液体流路(30)；控制阀(50)，设置在液体供给单元(10)与流量传感器(40)之间的液体流路(30)；控制部(60)，以由流量传感器(40)所测量的流量为设定值的方式控制控制阀(50)；压力传感器(70)，测量从排出喷嘴(20)喷出的液体的压力；运算部(80)，根据由控制部将流量保持为设定值的状态下的压力传感器(70)所测量的压力来运算工件(A)的尺寸。
液体测微器

[发明专利]SOI基板的蚀刻方法以及SOI基板上的背面照射型光电转换模块及其制作方法-CN201180054435.9无效
发明人：大见忠弘;大桥朋贡;吉川和博;吉田达朗;内村彻平;添田一喜;须川成利 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明课题在于提供SOI基板的蚀刻方法，该方法是能够高速且平整地湿式蚀刻Si基板的蚀刻方法。氢氟酸-硝酸一般写作HF（a）HNO3（b）H2O（c）（其中，a、b和c的单位为wt%，a+b+c=100）。本发明人等发现，通过适当地选择组成，使用高浓度氢氟酸-硝酸的SiO2层的蚀刻速率明显比Si基板的蚀刻速率低，对Si基板进行蚀刻直至SiO2层露出。通过如此操作，可以高速地蚀刻Si基板，并且相比以往可显著地提高蚀刻后的表面的平整性。即使高浓度氢氟酸-硝酸的组成稍微蚀刻了SiO2层，由于Si基板的蚀刻快速完成，所以实质上SiO2层的蚀刻也基本不进行，具有平整表面的SiO2层露出。
soi 蚀刻方法以及基板上背面照射光电转换模块及其制作方法

[发明专利]湿式处理装置以及湿式处理方法-CN201080029796.3无效
发明人：大见忠弘;后藤哲也;松冈孝明;根本刚直;村川顺之;吉川和博 -专利权人：国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种湿式处理装置，其将被处理基板保持在工作台上，并使上述工作台旋转从而进行湿式处理。上述被处理基板通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且使用向该被处理基板的背面排放惰性气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转。在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台中还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入惰性气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。
处理装置以及方法

[发明专利]流体部件-CN03816182.6无效
发明人：松桥亮;末次和广;宫川英行;北利夫;曾我部恭太;吉川和博;森本明弘;佐藤准治 -专利权人：株式会社富士金
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供一种流体部件，该流体部件中的多个构成部件(2、3、4、5、6)中的、具有露出到流体部件外面的露出面的规定金属制部件(例如螺栓)(5)，由合金制成，该合金包含有C：0.001～0.01％、Si：≤5％、Mn：≤2％、P：≤0.03％、S：≤100ppm、O：≤50ppm、Cr：18～25％、Ni：15～25％、Mo：4.5～7.0％、Cu：0.5～3.0％、N：0.1～0.3％，其余部分实际上是Fe和其它不可避免的杂质。
流体部件

[发明专利]流体控制器-CN03816180.X无效
发明人：松桥亮;末次和广;宫川英行;北利夫;曾我部恭太;吉川和博;森本明弘;佐藤准冶;大道邦彦;前田弘胜 -专利权人：株式会社富士金
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： F16K1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种流体控制器，该流体控制器包括金属制阀体(2)和金属制滑动部件(3)。该金属制阀体(2)具有流体流入通路(2a)、流体流出通路(2b)、和连通两通路的连通路(2c)。金属制滑动部件(3)通过使其在包含连通路(2c)的纵通路(11)内在纵方向移动，其前端部将连通路(2c)截断或开通。滑动部件(3)的至少前端部(3a)由合金制成，该合金包含有：按照重量％，C：0.001～0.01％、Si：≤5％、Mn：≤2％、P：≤0.03％、S：≤100ppm、O：≤50ppm、Cr：18～25％、Ni：15～25％、Mo：4.5～7.0％、Cu：0.5～3.0％、N：0.1～0.3％，其余部分实际上是Fe和其它不可避免的杂质。
流体控制器

[发明专利]流体部件-CN03816181.8无效
发明人：松桥亮;末次和广;宫川英行;北利夫;曾我部恭太;吉川和博;森本明弘;佐藤准治;大道邦彦;赤本久敏;木村佳树 -专利权人：株式会社富士金
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供一种流体部件，流体部件是配管和流体控制装置中使用的阀、接头等，构成流体部件的预定金属制部件，由合金制成，该合金包含有：按照重量％，C：0.001～0.01％、Si：≤5％、Mn：≤2％、P：≤0.03％、S：≤100ppm、O：≤50ppm、Cr：18～25％、Ni：15～25％、Mo：4.5～7.0％、Cu：0.5～3.0％、N：0.1～0.3％，其余部分是Fe和其它不可避免的杂质，并且为了基本确保耐缝隙腐蚀性，从用重量百分比表示各合金成分复合添加的CRI=〔Cr〕＋4×〔Mo〕＋30×〔N〕式求出的CRI(耐缝隙腐蚀性指标)值设定在40≤CRI≤55的范围内。
流体部件

[发明专利]管接头-CN03816179.6无效
发明人：松桥亮;末次和广;宫川英行;北利夫;曾我部恭太;吉川和博;森本明弘;佐藤准治;大道邦彦;下村嘉德;中浜隆泰 -专利权人：株式会社富士金
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明的管接头(30)包括从后端侧插入管(32)的管状主体(31)、嵌合在从主体(31)后端侧伸出的管(32)的周围的前环(33)及后环(34)、将前环(33)及后环(34)紧固而将管(32)固定在主体(31)上的盖形螺母(35)。后环(34)由合金制成，该合金包含有：按照重量％，C：0.001～0.01％、Si：≤5％、Mn：≤2％、P：≤0.03％、S：≤100ppm、O：≤50ppm、Cr：18～25％、Ni：15～25％、Mo：4.5～7.0％、Cu：0.5～3.0％、N：0.1～0.3％，其余部分实际上是Fe和其它不可避免的杂质。
管接头

[发明专利]流体控制装置-CN02828788.6有效
发明人：星丈治;冈部庸之;五岛宪一;小林英雄;长屋晓典;山路道雄;吉川和博;川野祐司 -专利权人： CKD株式会社;株式会社富士金
申请日： 2002-04-23 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： F24H1/10 文献下载
摘要：一种流体控制装置，其中，在线(A)(B)的两侧配置有带式加热器(11)，而且在该线(A)(B)内在相邻的流体控制器间的多处设有容纳用于保持带式加热器的夹子(13)的间隙，带式加热器(11)由从其两侧夹紧的夹子(13)保持在线(A)(B)上，带有加热器的线(A)(B)安装在可装卸地安装于基座部件(1)上的线支承部件(10)上。在线支承部件(10)上设有沿长度方向延伸的加热器插入孔(14)，在该孔(14)中插入护套加热器(12)。
流体控制装置

[发明专利]压力式流量控制装置的孔板堵塞检测方法及其检测装置-CN99801434.6有效
发明人：大见忠弘;饭田精一;加贺爪哲;广濑润;西野功二;池田信一;山路道雄;土肥亮介;吉川和博;小艾睦典;宇野富雄;出田英二;广濑隆 -专利权人：株式会社富士金;大见忠弘;东京毅力科创株式会社
申请日： 1999-08-09 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：对于使用孔板的流量控制装置，可不必拆解配管而通过检测上游压力判断孔板是否堵塞，可使流量控制装置的寿命延长、安全性得到提高。具体地说就是，在上游压力P1保持为下游压力P2的约2倍以上、以QC＝KP1(K：常数)进行下游流量QC的计算、利用该计算流量QC与设定流量QS二者的差信号QY对控制阀CV的开闭进行控制的流量控制装置FCS中，其堵塞检测装置由：储存有孔板2无堵塞的条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL而测定的上游压力P1的基准压力衰减数据Y(t)的存储装置M，在孔板2的实际条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL以对上游压力P1的压力衰减数据P(t)进行测定的压力检测器14，对压力衰减数据P(t)与基准压力衰减数据Y(t)二者进行对比运算的中央运算处理装置CPU，以及当压力衰减数据P(t)偏离基准压力衰减数据Y(t)达到既定程度以上时报知堵塞的报警电路46等构成。
压力流量控制装置堵塞检测方法及其

[发明专利]具备压力式流量控制装置的气体供给设备-CN99800859.1有效
发明人：大见忠弘;加贺爪哲;池田信一;西野功二;吉川和博;出田英二;土肥亮介;宇野富雄;山路道雄 -专利权人：株式会社富士金;大见忠弘;东京毅力科创株式会社
申请日： 1999-05-27 - 公布日： 2000-11-01 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：使半导体制造装置等所使用的具备压力式流量控制装置的气体供给设备更小型化而降低制造成本,同时改善过度流量特性,防止气体供给开始时的气体的过调节现象的发生,提高流量控制精度与设备可靠性,由此,减少半导体制品质量的不均一,同时提高半导体制品的制造效率。具体地讲,是在将节流孔的上游侧压力保持成为节流孔的下游侧压力的约2倍以上的状态下,一边进行气体的流量控制,一边通过节流孔对应阀向加工过程供给气体,在上述具备压力式流量控制装置的气体供给设备上,气体供给设备的构成包括从气体供给源接受气体的控制阀,设置在控制阀下游侧的节流孔对应阀,设置于前述控制阀与节流孔对应阀之间的压力检测器,设置于节流孔对应阀的阀动机构部下游侧的节流孔,在根据前述压力检测器的检测压力P1将流量作为Qc=KP1(式中K为常数)进行运算、同时将流量指令信号Qs与运算流量Qc的差作为控制信号Qy向控制阀的驱动部输出的运算控制装置。
具备压力流量控制装置气体供给设备

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