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[发明专利]分布式KV存储系统-CN201810332295.0有效
发明人：孙唐;沈飞;古进;谈笑 -专利权人：北京忆芯科技有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G06F12/1072 文献下载
摘要：本申请公开了分布式KV存储系统。本申请的分布式KV存储系统，包括：客户机与多个KV存储装置，客户机与KV存储装置通过网络耦合；每个KV存储装置包括：KV存储设备和计算设备；计算设备同KV存储设备相耦合，客户机与多个KV存储装置通过网络耦合。
分布式 kv 存储系统

[实用新型]一种台面型玻璃钝化实体封装二极管-CN201921484243.1有效
发明人：古进;党楠;迟鸿燕;吴王进;黄玉恒;蒋兴彪 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种台面型玻璃钝化实体封装二极管，属于二极管技术领域。该二极管包括电极A、管芯和电极B，所述电极B通过管芯与电极A连接；所述管芯为圆台状，所述电极A的直径与管芯小端的直径一致，所述电极B的直径与管芯大端的直径一致。本实用新型的管芯为圆台状，电极A的直径与管芯小端的直径一致，电极B的直径与管芯大端的直径一致，消除了现有技术中电极与管芯形成的三角形凹槽，有效保证了融凝玻璃对管芯，及管芯与电极连接处的钝化效果，使玻璃钝化层与管芯台面紧密结合，避免二极管反向工作时出现“打火”现象，提高了二极管的可靠性，具有较高的推广价值。
一种台面玻璃钝化实体封装二极管

[发明专利]大容量存储设备的地址转换方法与装置-CN201810381624.0有效
发明人：古进 -专利权人：贵阳忆芯科技有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G06F12/1036 文献下载
摘要：本申请提供大容量存储设备的地址转换方法与装置，其中，存储设备包括地址转换装置，地址转换装置包括基础存储块，基础存储块存储地址转换表的条目的至少部分，地址转换表的条目记录了逻辑地址与物理地址的映射关系。
大容量存储设备地址转换装置地址转换表地址转换存储存储设备逻辑地址条目记录物理地址映射关系块存储条目申请

[发明专利]一种芯片组件的封装方法-CN201910912298.6在审
发明人：古进;迟鸿燕;王智;丁小宏;吴王进;黄玉恒;杨春梅;蒋兴彪 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。
整流二极管芯片组件环氧树脂封装塑化纯化处理高温环境抵抗串联清洗瞬态电压抑制二极管腐蚀玻璃封装层固化成型环境冲击烧结封装层并联放入涂粉加热模具冷却取出芯片

[发明专利]一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法-CN201610584260.7有效
发明人：古进;杨俊;肖汉斌;迟鸿燕;吴王进;蔡美晨 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
一种可靠辐照玻璃钝化恢复整流二极管制造方法

[发明专利]除法器-CN201810145916.4在审
发明人：古进 -专利权人：北京忆芯科技有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G06F7/535 文献下载
摘要：本申请提供一种除法器。本申请的除法器用于计算N进制数除以N‑1的余数，被除数A_xA_x‑1A…A₁A₀是x+1位的N进制数，A_x到A₀各自是1位N进制数，A_x是被除数的最高位，A₀是被除数的最低位，A_k是与A_k‑1相邻的高位，其中1≤k≤x，N、x与k是非零自然数，包括x+1个除法单元，除法单元DIV_j的被除数输入端的低位耦合到A_j，高位耦合到除法单元DIV_j+1输出的余数E_j+1，除法单元DIV_j的输出的商作为所述除法器的商D_j，除法单元DIV_j的输出的余数E_j耦合到除法单元DIV_j‑1的被除数的高位，其中j为自然数且1≤j≤x‑1。
除法单元被除数余数除法器耦合到进制低位输出除法申请

[发明专利]一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法-CN201610584257.5有效
发明人：古进;杨俊;迟鸿燕;杨彦闻;龚昌明;杨波 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
一种可靠辐照电压抑制二极管制造方法

[发明专利]一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法-CN201610584312.0有效
发明人：古进;杨俊;杨彦闻;寿强亮;丁俊芸;杨春梅 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
一种可靠辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法

[发明专利]MHP异构多流水线处理器-CN201811144658.4在审
发明人：古进 -专利权人：古进
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本申请涉MHP(Multiple Heteroid Pipeline)异构多流水线处理器。所提供的多流水线处理器，包括第一流水线、第二流水线、取指令单元、数据访问单元与任务分发器；第一流水线与第二流水线共享取指令单元与数据访问单元，通过取指令单元获取指令，以及通过数据访问单元获取指令执行所需的数据；第一流水线通过任务分发器向第二流水线分发任务，第二流水线处理从任务分发器获取的任务。
流水线多流水线处理器数据访问单元取指令单元任务分发器获取指令异构流水线处理分发共享申请

[发明专利]MHP异构多流水线处理器的任务分发方法-CN201811144473.3在审
发明人：古进 -专利权人：古进
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本申请涉MHP(Multiple Heteroid Pipeline)异构多流水线处理器的任务分发方法。所提供的用于多流水线处理器的任务分发方法，包括：在第一流水线执行指令以调用任务分发编程接口，以指示在可用的流水线上处理第一任务；响应于任务分发接口指示第一任务分发失败，在所述第一流水线上处理第一任务。
任务分发多流水线处理器异构流水线流水线执行编程接口接口指示可用调用指令响应失败申请

[实用新型]一种新型表贴玻璃钝化封装器件-CN201821289737.X有效
发明人：杨俊;古进;石文坤;杨彦闻;蔡美晨 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型表贴玻璃钝化封装器件，包括管芯、管壳、电极片、电极引片；所述管芯通过管壳封装，管芯的两端通过焊片与电极片焊接，所述管芯为若干PN结串联叠加烧结形成，电极片的一端与电极引片连接。本实用新型采用玻璃钝化封装，具有较高的可靠性，能在‑65℃～175℃温度范围内均能稳定工作，同时器件具有L型、J型两种封装结构，具有易安装、工作温度范围宽、抗机械冲击能力强、可靠性高的特点。
管芯玻璃钝化封装电极片本实用新型电极引片表贴管壳抗机械冲击串联叠加封装结构烧结能力强易安装焊片封装焊接

[发明专利]一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法-CN201810909448.3在审
发明人：杨俊;古进;石文坤;迟鸿燕;吴王进 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供的一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。采用携带源扩散和涂源扩散交替扩散的方式，大大提升了芯片的表面浓度，降低了合金型电压调整二极管的正向压降，该工艺对于深结台面型半导体器件的制造具有较高的使用推广价值。
源扩散扩散二极管电压调整正向压降携带合金型涂源台面型半导体器件衬底材料硅片清洗扩散工艺欧姆接触制造芯片

[发明专利]公式化虚拟地址转换-CN201811176174.8在审
发明人：古进 -专利权人：古进
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：提供了公式化虚拟地址转换方法与装置。所提供的地址转换方法，包括：获取虚拟地址的指定部分；响应于虚拟地址的指定部分具有指定值，替换虚拟地址的所述指定部分以得到物理地址。
虚拟地址虚拟地址转换公式化地址转换物理地址替换响应

[实用新型]余数计算电路、除法单元及除法器-CN201820254329.4有效
发明人：古进 -专利权人：北京忆芯科技有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G06F7/535 文献下载
摘要：本实用新型提供一种余数计算电路、除法单元及除法器。本实用新型的除法器用于计算N进制数除以N‑1的余数，被除数A_xA_x‑1A…A₁A₀是x+1位的N进制数，A_x到A₀各自是1位N进制数，A_x是被除数的最高位，A₀是被除数的最低位，A_k是与A_k‑1相邻的高位，其中1≤k≤x，N、x与k是非零自然数，包括x+1个除法单元，除法单元DIV_j的被除数输入端的低位耦合到A_j，高位耦合到除法单元DIV_j+1输出的余数E_j+1，除法单元DIV_j的输出的商作为所述除法器的商D_j，除法单元DIV_j的输出的余数E_j耦合到除法单元DIV_j‑1的被除数的高位，其中j为自然数且1≤j≤x‑1。
除法单元被除数余数除法器耦合到进制本实用新型余数计算低位输出电路除法

[实用新型]一种半导体器件的多功能腐蚀装置-CN201721816880.5有效
发明人：袁鹏;古进;郭荣;简青青;寿强亮 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件的多功能腐蚀装置，包括提手、篮架、酸洗盘、支架；所述支架安装在支架内，所述支架安装在篮架内，所述提手安装在篮架的上端，所述酸洗盘在支架内上下水平布置有若干排。本实用新型将酸、碱腐蚀工艺在一个腐蚀盘内进行，大大简化了酸碱腐蚀过程中产品的流转，其设计满足了酸腐蚀工艺中喷淋清洗工艺的需求，同时满足了碱腐蚀过程中提挂式的腐蚀清洗要求，该腐蚀盘同时满足两种生产工艺。同时腐蚀盘的设计与后续涂覆的设备兼容，大大简化了后续产品的流转方式，该发明提高了生产效率，具有较高的市场推广价值。
篮架支架腐蚀半导体器件本实用新型腐蚀装置支架安装碱腐蚀酸洗盘流转后续产品喷淋清洗设备兼容生产效率市场推广水平布置酸碱腐蚀提手安装上端酸腐蚀提挂式提手涂覆生产工艺清洗