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[发明专利]一种基于静态随机存储器的乘法电路结构-CN201910842714.X有效
发明人：蔺智挺;黎力;吴秀龙;卢文娟;彭春雨;黎轩;陈军宁 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静态随机存储器的乘法电路结构，包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列，SRAM阵列与列译码模块、字线驱动和脉冲调制模块、行译码模块相连，待处理的被乘数数据以二进制形式存入在SRAM阵列的存储单元中；待处理的乘数数据以二进制形式串行输入，和经过字线驱动和脉冲调制模块脉冲宽度调制后的WLP信号进行与运算，根据与运算结果开启字线WL，位线BLB根据开启的字线WL和所述存储单元内的数据进行放电，位线BLB电压的变化量即可表示乘法结果。上述电路结构可以有效提高运算速度，且由于不再需要在运算单元和存储器中交换数据，能够大幅减少在传输过程消耗的能量。
一种基于静态随机存储器乘法电路结构

[发明专利]一种由RRAM构成的可阻态区分且可重构的运算电路-CN202110648160.7有效
发明人：蔺智挺;叶茂希;彭春雨;吴秀龙;卢文娟;赵强;陈军宁 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种由RRAM构成的可阻态区分且可重构的运算电路，包括3个NMOS晶体管；2个PMOS晶体管；以及两个电阻式随机存储器RRAM。2个NMOS晶体管和2个PMOS晶体管构成两个传输门结构，1个NMOS晶体管控制外围信号线是否作用到RRAM；RRAM0和RRAM1的顶部电极均连接到NMOS晶体管M2，RRAM0的底部电极连接到PMOS晶体管M0和NMOS晶体管M1，RRAM1的底部电极连接到NMOS晶体管M3和PMOS晶体管M4；根据所要实现的功能将需要计算的输入逻辑值以阻态的形式写入到所述运算电路的两个RRAM中，再通过外围电路得到输出逻辑值。利用该运算电路能够在区分RRAM阻态的情况下，正确完成各种运算功能。
一种 rram 构成可阻态区分可重构运算电路

[发明专利]适用于低功耗芯片的延时电路、模块、芯片及延时方法-CN202210695673.8在审
发明人： 卢文娟;王丽萍;王志轩;彭春雨;赵强;郝礼才;戴成虎;高珊;吴秀龙;陈军宁 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03K17/28 文献下载
摘要：本发明涉及适用于低功耗芯片的延时电路、模块、芯片及延时方法。延时电路包括：缓冲器、级联的N个延时单元、N个漏电单元、N个负载电容。延时单元包括PMOS管PM1和NMOS管NM1，漏电单元包括PMOS管PM5。PM1的栅极和NM1的栅极连接并作为延时单元的输入端，PM1的源极和PM5的栅极连接，NM1的源极、负载电容的下极板和PM5的漏极连接，PM1的漏极、NM1的漏极、PM5的源极和负载电容的上极板连接作为延单元的输出端，缓冲器的输入端连接位于末级的延时单元的输出端。本发明在电压源上电或下电时，通过漏电单元自适应地及时将多余电荷泄放，从而保证正确的延时功能和延时大小。
适用于功耗芯片延时电路模块方法

[发明专利]一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构-CN202010831388.5有效
发明人：蔺智挺;张劲;赵强;吴秀龙;彭春雨;卢文娟;黎轩;陈军宁 -专利权人：安徽大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构，通过将被乘数与乘数分别存储在6T SRAM单元与WL内，被乘数的十进制数值由单元的6T SRAM WL开启时间决定，乘数数值的正负由左字线(WL Left，缩写为WLL)开启还是右字线(WL Right，缩写为WLR)开启决定。被乘数的正负由冗余列输出的参考电压决定，乘数的十进制数值分解为二进制按照高位到低位的顺序从左至右存储在同一行的相邻单元中，并通过与复用电容相结合实现高低位权值设置。上述结构能够提升运算速度和效率，并减少数据搬移过程产生的功耗。
一种存储器结合电容实现乘法 sram 电路结构

[发明专利]一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块-CN202210564062.X在审
发明人：戴成虎;刘海涛;彭春雨;赵强;卢文娟;郝礼才;刘立;蔺智挺;吴秀龙;黎轩;高珊 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于8T‑SRAM单元的电路结构、芯片和模块。8T‑SRAM单元包括：NMOS晶体管N1～6；PMOS晶体管P1～2。P1、P2和N1、N2交叉耦合，对存储节点Q、QB的数据进行锁存，P1的源极与P2源极电连接到VDD，开启存储节点Q、QB节点对电源通路，N1的源极与N2的源极连接到VSS，开启存储节点Q、QB节点对地通路。存储节点Q与QB通过晶体管N4、N3分别与位线BL和BLB相连，晶体管N3、N4由字线WL控制，字线LCM、RCM通过晶体管N5、N6分别与位线SLB和SL相连，晶体管N5、N6分别由存储节点Q与QB控制。本发明能实现在存储器内部完成比较操作，提高搜索效率。
一种基于 sram 单元电路结构芯片模块

[发明专利]NRHC-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片和模块-CN202210660197.6在审
发明人：赵强;董汉文;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明涉及NRHC‑14T抗辐照SRAM存储单元、芯片和模块。NRHC‑14T抗辐照SRAM存储单元包括PMOS晶体管P1～P8和NMOS晶体管N1～N6。晶体管P1和P2交叉耦合，P1、P2、P3与P4作为上拉管，P5和P6作为下拉管，它们的状态分别由存储节点Q和QN控制，两个主存储节点Q与QN通过N5与N6分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S0与S1通过P7与P8分别与位线BL和BLB相连，N5与N6由字线WL控制，P7与P8由字线WLB控制。本发明能够提高单元电路的抗SEU的能力，可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅度提高单元的速度，并且降低了单元的功耗。
nrhc 14 辐照 sram 存储单元芯片模块

[发明专利]具有欠驱动的伸缩翻转梯及其翻转轨迹优化方法-CN202210706615.0在审
发明人：曾达幸;李文超;曾嘉豪;吴皖龙;卢文娟;侯雨雷;刘利刚 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B60R3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有欠驱动的伸缩翻转梯及其翻转轨迹优化方法，其包括机架组件、传动组件、外端盖、驱动组件和折叠梯组件。机架组件包括车体和收纳箱体，传动滑槽的固定端和收纳箱体内部的第一安装端固连，传动滑块的第一安装端和传动滑槽的矩形滑槽连接，传动滑块的第二安装端和第三安装端分别设有曲线滑槽和直线滑槽；折叠梯组件由多个相互交叉铰接的连杆与踏板组成。本发明采用简单易控的欠驱动方式，通过驱动组件、传动组件和折叠梯组件的协调配合实现自动折叠及向上翻转展开功能，可通过定制传动组件的滑槽轨迹以适应距离车辆不同宽度的站台，消除了现有蹬车梯向下展开与站台干涉的影响，其结构紧凑，操作方便，可广泛应用于各种交通工具。
具有驱动伸缩翻转及其轨迹优化方法

[实用新型]含N-甲基吡咯烷酮污水处理装置-CN202221239030.4有效
发明人：宋彦磊;肖长松;卢文娟;马树凤 -专利权人：滨州裕能化工有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：含N‑甲基吡咯烷酮污水处理装置，属于化工设备技术领域，包括絮凝沉淀池，絮凝沉淀池包括连通的混合池和沉淀池，混合池的上部为圆筒状，下部为圆锥状，混合池的上部与下部拼接，混合池的上端设置有投料口和布药器，沉淀池套设在混合池外，混合池的上部开设有与沉淀池连通的转移口，沉淀池的上部为筒状，与混合池的上部同心设置，沉淀池的下部为圆锥状，沉淀池内设置有沉淀器，沉淀池的上部设置有溢流口。本实用新型构思新颖，设计巧妙，能够有效的清除污水中的难溶物，清理效果好。
甲基吡咯烷酮污水处理装置

[实用新型]一种纤维束过滤器-CN202220775575.0有效
发明人：宋彦磊;吴兴龙;卢文娟;马树凤 -专利权人：滨州裕能化工有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01D24/34 文献下载
摘要：一种纤维束过滤器，属于化工设备技术领域，包括壳体，壳体内设置有活动板和固定板，固定板水平设置在壳体内的下部，活动板水平设置在壳体内的上部，活动板与固定板之间设置有纤维束填料，纤维束填料的两端分别固定在活动板和固定板上，纤维束填料竖直设置且呈环状布置，壳体的上方设置有电机，电机连接有竖直连接到壳体内的驱动轴，电机通过驱动轴带动活动板水平转动。本实用新型构思新颖，设计巧妙，通过活动板相对于固定板的转动，使得纤维束缠绕在滤水腔外，实现对纤维束填料纤维单元的堆积密度的调节，操作简单，过滤精度高，自动化程度高，反冲洗效果好。
一种纤维过滤器

[实用新型]魔方锁-CN202121361618.2有效
发明人： 卢文娟;樊大宝;李文超;董世豪;赵西宏;周梓荣;曾达幸 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： E05B37/20 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种魔方锁，其包括转芯、锁芯、锁体、锁销、锁柱、弹簧和链锁。转芯放置在锁芯内部，在锁芯的八个移动块的外表面上均设置有与锁柱配合的凹槽；锁芯放置在锁体内部，并且锁芯表面开有四个可供锁柱移动的通孔；锁体内表面与之相对应也开有四个孔；锁柱通过弹簧连接锁体并与锁芯表面接触；锁销的第一端通过弹簧与锁体连接，锁销的第二端能与链锁接触将锁链卡住；锁销侧面凹槽与锁芯接触实现锁销的直线移动。本实用新型结构简单，使用方便，无需随身携带钥匙，相比于电子锁和密码锁，为全机械结构，不需要电源，可以适应各种恶劣场所；体积小，是一种新颖、安全、便捷实用的机械类魔方锁。
魔方

[发明专利]一种基于UVM的卷积神经网络验证系统-CN202210542908.X在审
发明人：蔺智挺;陈琳;吴秀龙;彭春雨;赵强;卢文娟 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于UVM的卷积神经网络验证系统，包括待测设计DUT使用基于待测卷积神经网络的硬件加速器；针对待测设计的接口模块，包含所有需要用到的待测设计接口信号的定义，用于待测设计与其他模块之间的数据通信；测试用例模块，用于创建不同的验证环境以及产生不同的测试激励；所述测试用例模块中例化的每个测试用例都继承自base_test类，根据所验功能点的不同配置相应的验证环境，以及配置不同的序列来产生符合协议规范的事务，以此形成不同的测试用例。上述系统只需少量修改就可以对不同结构层的卷积神经网络模型的硬件加速器验证平台进行重用，从而缩短了验证周期，提高了验证效率。
一种基于 uvm 卷积神经网络验证系统

[实用新型]一种密封永磁体式的管道电磁阻尼吸振器-CN202220450441.1有效
发明人：陈旭东;卫大为;赵博;董雷;王丹;张恒;胡启龙;张卫军;韩传高;马晓珑;吴志军;卢文娟;白云 -专利权人：西安热工研究院有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： F16F15/03 文献下载
摘要：本实用新型提供一种密封永磁体式的管道电磁阻尼吸振器，包括圆柱壳体，圆柱壳体顶部为外壳上端盖，底部为外壳下端盖，所述圆柱壳体轴心位置设置有中轴杆，中轴杆穿过外壳上端盖和外壳下端盖，外壳上端盖与固定圈通过上弹簧连接，外壳下端盖与固定圈通过下弹簧相连，固定圈上设置有永磁体，永磁体套在中轴杆上，圆柱壳体外缠绕线圈，线圈通过线槽和外壳上端盖、外壳下端盖上小孔外接分支电路以提高能耗和散热，所述中轴杆与管道连接带动永磁体上下振动，永磁体与线圈相对运动。本实用新型可对不同类型管道吸振控制，并且可以同时对多阶振动模态进行吸振控制。
一种密封永磁体式管道电磁阻尼吸振器

[发明专利]基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法-CN202210625161.4在审
发明人：戴成虎;余克锋;高珊;彭春雨;赵强;卢文娟;郝礼才;黎轩;刘立;蔺智挺;吴秀龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明涉及基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法。基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构包括N×N个SRAM存储单元，呈阵列分布，位于同一列的SRAM存储单元，所有的晶体管T5的源极与位线BL电连接，所有的晶体管T6的源极与位线BLB电连接；位于同一行的SRAM存储单元，所有的SRAM存储单元的第一行8T‑SRAM单元和第二行8T‑SRAM单元共用一个重置晶体管；所有的SRAM存储单元的第三行7T‑SRAM单元共用一个复写辅助单元。本发明能够正确完成数字域多位同或运算，相对于模拟域的计算，数字域计算具有更高的准确度，并且不需要较为复杂的A/D电路，减少电路的面积问题和电路的复杂性。
基于 sram 阵列运算电路结构方法

[实用新型]一种用于农业养殖的鱼塘定量投喂装置-CN202221135368.5有效
发明人：王锦旭;张琳;范芳芳;卢文娟;林湘琪;黎洁颖;何海茹;杨诗婷;吴玩卿;周锦煌 -专利权人：韩山师范学院;潮州市星峰文化传媒有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： A01K61/80 文献下载
摘要：本实用新型涉及渔业养殖设备技术领域，尤其涉及一种用于农业养殖的鱼塘定量投喂装置。其技术方案包括料箱、投料管和底座，所述料箱下表面安装有支腿，所述支腿内侧安装有横板，所述料箱上表面一侧安装有进料斗，所述料箱下表面安装有出料阀，所述出料阀下表面安装有软管，所述底座上表面位于料箱下方位置处安装有投料管，且软管末端和投料管上表面连接，所述投料管内部安装有绞龙，所述投料管下表面安装有出料管，所底座上表面轴心位置处安装有液压缸，所述液压缸输出端安装有称重板，所述底座上表面一侧安装有控制箱。本实用新型便于将鱼饲料定量投加到鱼塘内部，从而降低工作人员劳动强度以及提高鱼饲料的投喂效率。
一种用于农业养殖鱼塘定量投喂装置

[发明专利]一种位线泄漏电流、灵敏放大器及存储器的控制电路-CN202210412408.4在审
发明人：彭春雨;郑好;卢文娟;高珊;郝礼才;赵强;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 -专利权人：安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开了一种位线泄漏电流、灵敏放大器及存储器的控制电路，包括由8T SRAM存储单元构成的存储阵列和具有对称结构的四输入灵敏放大器，存储阵列的两对传输管分别与主位线对和副位线对连接；一列存储单元中连接同一侧存储节点的一根主位线和一根副位线分别与所述四输入灵敏放大器两侧的一个输入端连接，其中：所述四输入灵敏放大器中已与副位线连接的一侧的输入端与另一根主位线连接，已与主位线连接的一侧的输入端与另一根副位线连接。该电路结构在不增加更多控制信号的情况下，能够实时地检测并补偿位线泄漏电流；在位线泄漏电流很大的情况下，依然能够读出正确的数据，有很稳定的性能。
一种泄漏电流灵敏放大器存储器控制电路