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[发明专利]一种力学性能可调节的有机水凝胶及其制备方法和应用-CN202011096885.1有效
发明人：何云斌;程欢;易铭;徐雅欣;卢寅梅;常钢;黎明锴;柯鹏;杨连遇吉 -专利权人：湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C08F220/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种力学性能可调节的有机水凝胶及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：将单体、交联剂以及交联促进剂加入至复合溶剂中，震荡溶解后得到第一溶液；将引发剂加入至复合溶剂中，震荡溶解后得到第二溶液；将第二溶液加入至第一溶液中，固化成型后即得有机水凝胶；其中，所述单体包括丙烯酰胺、丙烯酸、N‑异丙基丙烯酰胺中的一种；所述复合溶剂为醇和水混合而成，所述醇包括乙二醇、丙三醇、己六醇、聚乙二醇和聚乙烯醇中的至少一种。本发明通过采用醇和水组成的混合物作为复合溶剂，调节醇和水的质量比以及醇、水和丙烯酰胺的质量比，进而可对获得的有机水凝胶进行力学性能调整。
一种力学性能调节有机凝胶及其制备方法应用

[发明专利]Cu-SnO2-CN202111449351.7有效
发明人：何云斌;黎明锴;刘凤新;卢寅梅;陈剑;尹向阳;郭启利;李永昌;刘伟;邓云 -专利权人：湖北大学;广州金升阳科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu‑SnO2单晶薄膜及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。本发明提供的Cu‑SnO2单晶薄膜的制备方法包括：制备Cu‑SnO2陶瓷靶材；提供一衬底，利用Cu‑SnO2陶瓷靶材在所述衬底表面制备Cu‑SnO2薄膜层；在氧气的气氛下，对Cu‑SnO2薄膜退火，最后对退火后的Cu‑SnO2薄膜进行O2等离子体处理。将本发明的Cu‑SnO2单晶薄膜作为半导体层制备肖特基二极管，可实现金属电极和二氧化锡单晶薄膜的肖特基接触，所设计的环形电极可通过调节两种金属电极的间距调节漏电流的大小，从而调节二极管的反向耐压值。本发明制备的Cu‑SnO2肖特基二极管具有高的肖特基势垒高度、良好整流特性和高的反向击穿电压。
cu sno base sub

[发明专利]一种宽光谱高吸收率光吸收层及其制备方法和应用-CN202310213231.X在审
发明人：何云斌;王紫慧;陈剑;董艳慧;毛佳兴;程盈盈;卢寅梅;黎明锴 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽光谱高吸收率光吸收层及其制备方法和应用。本发明的半导体量子点光吸收层、铁电纳米粒子层和铜铟镓硒光吸收层耦合形成光吸收层，在增强光生载流子分离和传输的同时，实现宽光谱吸收，以提高对太阳光的吸收与利用；改变半导体量子点光吸收层的尺寸可对其光学带隙进行调控，从而将半导体量子点光吸收层的吸光范围调节至近红外区域；铁电纳米粒子层在外加电场作用下内部电偶极子会发生定向排列，撤去电场后，铁电材料内部仍然会存在一个退极化电场，该退极化电场可增强光生激子分离。本发明的光吸收层可以实现对不同波长的太阳能进行互补吸收，同时可以增大器件内部的总电场，促进光生载流子的分离和传输，从而实现电池光电转换效率的提升。
一种光谱吸收率光吸收及其制备方法应用

[发明专利]一种氮元素掺杂p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用-CN202210878667.6有效
发明人：何云斌;师道田;卢寅梅;黎明锴;陈陆枫;陈剑;彭清琪;朱弘毅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮元素掺杂p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。本发明的制备方法，通过物理气相沉积法在真空腔体内烧蚀、溅射或蒸发GaN靶材，得到GaN团簇，再利用O2氧化GaN团簇得到N掺杂的Ga2O3薄膜；通过调剂氧化氧压，即优化控制N在Ga2O3中的含量及对O的取代量，获得P型导电的N掺杂Ga2O3薄膜。该方法通过氧化氮化镓小团簇而得到氮掺杂的氧化镓，有效提高了氮元素在氧化镓薄膜中的溶解度，氮元素取代氧元素产生空穴，从而实现了p型导电氧化镓薄膜；本发明制备的氧化镓薄膜空穴载流子浓度高、电阻率低，且薄膜晶体质量高、所需的设备和制备工艺简单，生产成本低，将促进氧化镓在超宽禁带半导体器件领域的应用。
一种元素掺杂氧化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]抗冻锁水性能可调节的有机水凝胶及其制备方法和应用-CN202011096082.6有效
发明人：何云斌;程欢;黎明锴;卢寅梅;常钢;李派;徐雅欣;李降龙;柯鹏;杨连遇吉 -专利权人：湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C08J3/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗冻锁水性能可调节的有机水凝胶及其制备方法和应用；该有机水凝胶的制备方法，包括以下步骤：将单体、交联剂以及交联促进剂加入至复合溶剂中，震荡后得到第一溶液；将引发剂、离子导体加入至复合溶剂中，震荡后得到第二溶液；将第二溶液加入至第一溶液中，固化后即得有机水凝胶；单体包括丙烯酰胺、丙烯酸、N‑异丙基丙烯酰胺中的一种；复合溶剂为醇和水混合而成；离子导体包括氯化铵、氯化锂、氯化钠、氟化铵、氟化钠中的一种。本发明的有机水凝胶的制备方法，通过加入引发剂和离子导体，3s即可固化成型，实现对有机水凝胶抗冻和锁水能力的调控，其在远低于水的冰点温度下仍不结冰，具有卓越的耐受低温的能力。
抗冻锁水性调节有机凝胶及其制备方法应用

[发明专利]铁电-半导体量子点耦合增强型太阳能电池及其制备方法-CN202111425494.4有效
发明人：何云斌;陈剑;黎明锴;卢寅梅;李派;王紫慧;毛佳兴;董艳慧 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电‑半导体量子点耦合增强型太阳能电池及其制备方法。本发明的铁电极化增强的太阳能电池，通过在n型窗口层和p型光吸收层之间插入铁电层，铁电层的材料为BaTiO3、Pb(Zr,Ti)O3、(K,Na)NbO3、BiFeO3、Bi0.98Ca0.02Fe0.95Mn0.05O3中的任一种，铁电层的材料具有自发极化的特性，在外部极化电压的作用下，铁电材料内部电偶极子会发生定向排列，撤去极化电压后，铁电材料内部会仍然存在一个铁电退极化电场，将铁电层中铁电退极化电场引入太阳能电池内部，利用p‑n结内建电场和铁电退极化电场共同分离光生载流子从而实现电池光电转换效率的提升。
半导体量子耦合增强太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓基深紫外透明导电薄膜及其制备方法和应用-CN202210225282.X有效
发明人：何云斌;张忠辉;卢寅梅;黎明锴;刘琦;陈兴驰;陈剑 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓基深紫外透明导电薄膜及其制备方法和应用。该导电薄膜的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；提供F、Sn共掺(SnxGa1‑x)2(O1‑yFy)3靶材；在衬底表面制备得到氧化镓基深紫外透明导电薄膜；其中，0.001≤x≤0.038，0.209≤y≤0.310。本发明通过将F、Sn同时掺入Ga2O3，在保持Ga2O3超宽带隙的同时，提高了其导电性能；制备得到的导电薄膜对深紫外以及可见光有很高的透过性，可应用在深紫外透明导电领域；本发明制备得到的氧化镓基深紫外透明导电薄膜，具有单斜结构和(100)择优取向，同时具有很好的热稳定性，紫外可见光平均透过率超过90％，且导电性良好。
一种氧化深紫透明导电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种超宽禁带p型SnO2-CN202010795687.8有效
发明人：何云斌;黎明锴;付旺;叶盼;肖兴林;魏浩然;尹魏玲;卢寅梅;常钢 -专利权人：湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于光电子薄膜材料技术领域，具体涉及一种超宽禁带p型透明导电SnO2薄膜的制备方法。本征SnO2为n型导电，高质量的稳定p型SnO2薄膜至今缺乏。且SnO2的光学带隙仅为3.6eV，难以满足制作高速、高频、大功率电子器件的要求。本发明以SnO2、ZrO2和ZnO粉末为原料，在c面蓝宝石衬底上沉积获得了超宽禁带p型透明导电SnO2薄膜。其在可见光区透过率高达90％以上，光学带隙相较于纯SnO2明显拓宽至4.5eV，导电类型为p型，空穴载流子浓度达1015cm‑3。本方法原材料廉价易得，制备工艺简单，能源消耗低，具有良好的规模化工业生产前景。将在包括平板显示器、太阳能电池和光电探测器等相关器件的制造和改良上得到广泛应用。
一种超宽禁带 sno base sub

[发明专利]铁电-半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法-CN202111423937.6有效
发明人：何云斌;杨高琛;陈剑;卢寅梅;黎明锴;王紫慧;毛佳兴;程盈盈 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电‑半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法，该探测器包括：衬底；Ga2O3薄膜层；HfxZr1‑xO2薄膜层；顶电极。本发明的探测器，HfxZr1‑xO2是一种铁电材料，具有非常宽的光学带隙和高的介电常数，HfxZr1‑xO2和Ga2O3之间形成异质结，通过异质结界面的内建电场来分离光生载流子；同时HfxZr1‑xO2铁电层的自发极化作用，使其内部存在一个自发极化电场，自发极化电场与Ga2O3/HfxZr1‑xO2异质结内建电场的耦合作用共同促进光生载流子分离，从而实现器件性能的提升；此外，HfxZr1‑xO2层对背景载流子具有很好的阻挡作用，可以大幅降低器件的暗电流。
半导体异质结型日盲紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种VO2-CN202010851070.3有效
发明人：何云斌;王歆茹;李派;陆浩;黎明锴;李昊;陈剑;卢寅梅;常钢 -专利权人：湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了合金半导体薄膜及制备方法和应用，该合金半导体薄膜的化学式为HfxWyV1‑x‑yO2，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，本发明的合金半导体薄膜，利用HfO2的带隙(5.5eV)大于VO2的带隙(2.6eV)，使用Hf4+离子部分取代V4+离子，来提高VO2的光学带隙有效地提升薄膜的可见光透过率。同时，W离子为+6价，在VO2中掺入W6+离子相当于引入了载流子，载流子引入越多，越容易驱动电子相变的发生，因此降低了相变温度，选择Hf4+离子和W6+离子部分取代V4+离子制备了HfxWyV1‑x‑yO2合金体系从而实现了VO2的高可见光透过率和对其相变温度的调节。
一种 vo base sub

[发明专利]ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法-CN202010947161.7有效
发明人：何云斌;汪洋;黎明锴;尹魏玲;卢寅梅;李磊;常钢;李派;张清风;尹向阳;郭启利;李永昌 -专利权人：湖北大学;广州金升阳科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供了一种ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器，包括：衬底；第一n‑ZnO薄膜层，位于衬底表面；第二n‑ZnO薄膜层，位于第一n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧，第二n‑ZnO薄膜层在第一n‑ZnO薄膜层表面的正投影不完全覆盖第一n‑ZnO薄膜层；氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层，位于第二n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧；第一金属电极层，位于氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层远离衬底一侧；第二金属电极层，位于第一n‑ZnO薄膜层且位于第二n‑ZnO薄膜层以外的部分表面。本发明的光电探测器，具有低的暗电流与功耗、快的响应速度，可以在零偏压下工作。
zno 同质驱动紫外光光电探测器及其制备方法

[发明专利]p型透明导电SnO2-CN202010934605.3有效
发明人：何云斌;黎明锴;付旺;叶盼;刘博涵;肖兴林;魏浩然;尹魏玲;卢寅梅;常钢 -专利权人：湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用，p型透明导电SnO2半导体薄膜的制备方法，包括：制备Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材；提供一衬底，利用Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材，在衬底表面制备得到Mg掺杂的SnO2薄膜；在氧气氛围下于600～800℃下对Mg掺杂的SnO2薄膜进行退火，即得p型透明导电SnO2半导体薄膜。本发明的p型透明导电SnO2半导体薄膜的制备方法，利用Mg2+进入替位和间隙位所需能量不同的特点，通过在适宜温度及富氧条件下进行退火处理将间隙Mg2+迁移到替位进一步提高载流子浓度，获得高质量p型透明导电SnO2超宽禁带半导体薄膜。
透明导电 sno base sub

[发明专利]氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用-CN202010947157.0有效
发明人：何云斌;汪洋;黎明锴;李磊;卢寅梅;尹魏玲;李派;常钢;陈俊年;尹向阳;郭启利;李永昌 -专利权人：湖北大学;广州金升阳科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用，该制备方法，包括：制备BeZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向真空腔体中通入一氧化氮气体，利用BeZnOS陶瓷靶材，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法在衬底上进行氮掺杂的BeZnOS薄膜的生长；将得到的氮掺杂的BeZnOS薄膜于温度为400～750℃下退火，即得氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜。本发明的制备方法，在ZnO中掺入Be和S形成BeZnOS合金可以连续调节其能带结构和电子结构同时又能保持ZnO的六方结构，更稳定的Be‑N键和更高的价带顶可以降低No的能级，提高No的稳定性。
掺杂透明导电 beznos 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]SnO2-CN202011103330.5有效
发明人：何云斌;黎明锴;刘伯涵;付旺;叶盼;肖兴林;魏浩然;尹魏玲;卢寅梅;常钢 -专利权人：湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种SnO2基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该光电探测器，包括：衬底；n‑NbSnO2薄膜层，位于衬底表面；Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层，位于n‑NbSnO2薄膜层远离衬底一侧，Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层在n‑NbSnO2薄膜层表面的正投影不完全覆盖n‑NbSnO2薄膜层；第一金属电极层，位于Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层远离衬底一侧的表面；第二金属电极层，位于n‑NbSnO2薄膜层远离衬底一侧且未被Mg掺杂p型导电MgSnO2薄膜层覆盖。本发明的光电探测器具有高的重复性、稳定性，极低的暗电流、极低的功耗以及极快的响应速度，可以在零偏压下自驱动工作。
sno base sub

[发明专利]一种MSM型α-Ga2-CN202010099290.5有效
发明人：何云斌;黄攀;黎明锴;卢寅梅;刘琦;李迎香;张清风;陈俊年 -专利权人：湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种MSM型α‑Ga2O3基日盲紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括a面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极，其中：所述有源层为(110)取向的α‑Ga2O3薄膜。本发明利用α‑Ga2O3与蓝宝石具有相同的晶型及较低的晶格失配率，在a面蓝宝石上生长结晶质量较好的(110)取向的α‑Ga2O3薄膜，该薄膜具有高电子迁移率使器件增益大，所以器件的光暗电流比大，响应度高。另外，本发明制得的MSM结构的日盲紫外光探测器结构和制作工艺简单，且本发明制得的探测器对245nm波长的深紫外光具有良好的探测能力，且暗电流小、光暗电流比大和响应度高，性能稳定。
一种 msm ga base sub

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