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[发明专利]一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法-CN202310896576.X有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
一种 ausn 电极背面 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]一种RTA退火炉校温方法-CN201811345657.6有效
发明人：白继锋;赵敏博;陈杏;王向武;张银桥;汪洋 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种RTA退火炉校温方法，该方法利用衬底制作成校温陪片，利用金属和衬底在特定温度下才能形成良好欧姆接触的特性来定义退火的临界温度，在临界温度基础上可以得到安全的目标工艺温度，该方法还可以监控腔体在临界温度的温场分布。本发明一种RTA退火炉校温方法具有便捷、经济、可靠的优点，不需要专门购买昂贵的校温用TCWafer装置，同时解决了传统TC Wafer装置对背面有金属材料的样品无法有效反馈温场分布的弊端。
一种 rta 退火炉方法

[发明专利]一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法-CN201710725701.5有效
发明人：张银桥;潘彬 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、DBR1、中电池、第二隧穿结、DBR2、顶电池和N型接触层。本发明还公开了上述抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法。本发明中电池采用InxGa1‑xAs材料，禁带宽度1.1～1.4eV，顶电池采用GayIn1‑yP材料，禁带宽度为1.6～1.9eV，采用DBR1和DBR2的形式释放应力和过滤位错，有效解决外延片的翘曲状况和改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池的成品率及性能；另一方面，由于采用DBR1和DBR2的过渡形式，可以提高电池对太阳光的吸收，提高抗辐照性能。
一种具有辐照结构高效级联砷化镓太阳电池及其制造方法

[发明专利]具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法-CN202310579390.1有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
具有氧化结构极性圆孔发光 led 芯片及其制作方法

[发明专利]带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片及其制备方法-CN202310825779.X在审
发明人：陈宝 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片及其制备方法。该带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层和GaP窗口层，在GaAs衬底的下面制作N‑电极；所述GaP窗口层上设置有ITO薄膜层，ITO薄膜层上设置有P‑电极，在ITO薄膜层P‑电极覆盖区域外通过蚀刻形成若干个均匀分布、向下凹、具有非常规曲面的微透镜，光在ITO薄膜层的非常规曲面表面发生折射现象，实现对不同方向的光源进行光路调节，提升LED芯片产品的亮度和出光光效。
透镜阵列结构 ito 薄膜 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法-CN202310186432.5有效
发明人：宁如光;潘彬;林晓珊;杨祺;方毅;佟嘉欣;周能;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法，该电池芯片包括：Ge衬底；于Ge衬底上外延生长外延层，外延层由下至上为底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、第一DBR层、中电池、中顶隧穿结、顶电池、第二DBR层、欧姆接触层；外延层上面依次为减反射膜、上电极；Ge衬底下面为下电极；上电极包括栅线和主电极；除栅线和主电极正下方的欧姆接触层和第二DBR层保留着外，其余减反射膜下方的欧姆接触层和第二DBR层被腐蚀掉。本发明通过在顶电池和欧姆接触层之间引入DBR结构，将外延层反射的部分太阳光再反射回去给中电池吸收，提高中电池的光生电流的同时，还能提升抗辐照性能。
一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法

[发明专利]一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池及制造方法-CN201710725099.5有效
发明人：张银桥;潘彬 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、顶电池和窗口层。本发明公开了该具有新型窗口层的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法。本发明采用具有粗化结构的ITO材料作为砷化镓太阳电池顶电池的窗口层。由于ITO的禁带宽度大于AlInP，可以降低窗口层对入射太阳光的吸收；同时对ITO材料进行粗化，可以有效提高太阳光的入射，并且由于ITO具有良好的导电性，可以去除传统的导电栅线，避免金属栅线带来的遮光问题，提高顶电池的电流密度，提高整个太阳电池的转换效率。综上，通过采用具有粗化结构的ITO材料作为砷化镓太阳电池顶电池的窗口层，可以增强太阳光的入射，减少太阳电池表面的遮挡，进而获得高效的太阳电池。
一种具有新型窗口高效级联砷化镓太阳电池制造方法

[发明专利]一种具有本体反接二极管AlGaInP LED及其制备方法-CN202211464825.X在审
发明人：李俊承;王克来;管关城;郑万乐;熊珊;陈宝;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体为一种具有本体反接二极管AlGaInP LED及其制备方法，该LED包括本体LED和微型二极管，本体LED包括蓝宝石基板、GaP层、LED发光台面、LED P电极、LED N电极、钝化层、P焊盘电极和N焊盘电极；微型二极管包括二极管台面、二极管P电极、二极管N电极；微型二极管在本体LED一侧，并与LED发光台面相独立；钝化层在焊盘电极制作前覆盖整个器件表面；二极管P电极通过N焊盘电极与LED N电极相连接；二极管N电极通过P焊盘电极与LED P电极相连接。本发明通过改变芯片版图设计，在LED器件旁边制作微型二极管结构，并与LED本体反向连接，在LED遭受反向电压或电流冲击的时候，实现对LED本体的保护，提高抗反向静电击穿能力和可靠性。
一种具有本体反接二极管 algainp led 及其制备方法

[发明专利]一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法-CN202210590382.2在审
发明人：王苏杰;杨祺;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法，包括以下具体步骤：生长LED外延材料；SiO2掩膜与GaP腐蚀；GaP窗口层表面处理；ITO薄膜沉积；P电极制备；N电极制备；切割，得到所需芯片。本发明制备方法通过使用氩气等离子体轰击处理减薄后的GaP材料表面，可有效降低该表面薄层的P型掺杂浓度，同时将表层刻蚀为粗糙界面，增大该位置的接触电阻，提高电流的横向扩展能力，提升出光效率。
一种 gap 表面处理 ito 结构 led 制备方法

[发明专利]一种具有渐变结构的正极性LED及其制备方法-CN202210362487.2有效
发明人：杨祺;王苏杰;熊欢;林晓珊;董耀尽;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有渐变结构的正极性LED及其制备方法，LED的外延结构从下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型DBR反射层、N型AlInP限制层、N型AlGaInP Space层、有源层、P型AlGaInP Space层、P型AlInP限制层、P型GaP窗口层、P型GaP欧姆接触层；在P型AlInP限制层和P型GaP窗口层之间插入一组P型(AlxGa1‑x)yIn1‑yP应变层；其中，x的范围为0x1，y的范围为0y1。本发明通过插入渐变结构替代P型AlGaInP过渡层，可替代界面层，提高出光效率。
一种具有渐变结构极性 led 及其制备方法

[发明专利]一种高亮度正极性黄绿光LED外延片及其制备方法-CN202210545996.9在审
发明人：王苏杰;董耀尽;杨祺;林晓珊;熊欢;宁如光;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种高亮度正极性黄绿光LED外延片及其制备方法，该LED外延片从GaAs衬底开始由下往上依次生长GaAs缓冲层、DBR、N型限制层、N面空间层、多量子阱有源层、P面空间层、P型限制层、过渡层、窗口层、微粗化接触层；在DBR和N型限制层之间插入超晶格反射层；过渡层包括第一过渡层和第二过渡层；在P型限制层和第一过渡层之间依次插入第一准备层、第二准备层和第三准备层。本发明制备的高亮度正极性黄绿光LED外延片通过引入超晶格反射层、渐变式过渡区、微粗化接触层，能有效降低外延材料的全反射损耗，提升出光效率，可用于制备高亮度黄绿光LED器件。
一种亮度极性黄绿 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202210249010.3有效
发明人：徐培强;李俊承;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池技术领域，具体涉及一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法，该电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、第一隧穿结、DBR、中电池、第二隧穿结、顶电池和盖帽层；第一隧穿结和第二隧穿结结构相同，均采用渐变隧穿结结构N++Alx1Gay1InP/P++Alx2Gay2As，其中x1、y1的范围为0‑0.51，x2的范围为0‑0.5，y2的范围为0.5‑1。本发明太阳电池采用渐变隧穿结结构，可提升隧穿结的隧穿能力，降低隧穿结两侧的压降，减少隧穿结的吸光能力，提升中电池的电流密度，还可改善隧穿结界面的晶体质量，提高太阳电池产品的稳定性。
一种带有渐变隧穿结砷化镓太阳电池及其制作方法

[发明专利]一种新型砷化镓太阳电池及制作方法-CN202210254513.X有效
发明人：徐培强;李俊承;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型砷化镓太阳电池及制作方法，属于太阳电池技术领域。所述一种新型砷化镓太阳电池衬底层、于所述衬底层依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、第一DBR层、中电池、第二隧穿结、第二DBR层、顶电池和盖帽层；通过在中电池和顶电池中分别在靠近窗口层一侧采用含Al的组分渐变有源区，可改善因不同材料之间折射率的不同而引起的反射情况，提高太阳光的吸收几率，增加太阳电池对太阳光的吸收，提高太阳电池的光电转换效率和抗辐照性能。
一种新型砷化镓太阳电池制作方法

[发明专利]一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202111243885.4有效
发明人：徐培强;李俊承;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。
一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

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