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[发明专利]AlGaN/GaNHEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法-CN201811265433.4有效
发明人：王蕊;雷建明 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法，其步骤包括：通过动态阻抗提取电路提取器件中的动态导通阻抗；拟合提取的动态导通阻抗曲线，提取拟合的曲线斜率；分别计算器件在开关电路中的导通损耗和开关损耗，并换算成器件工作时由损耗产生的温升；建立激活能与动态导通阻抗Rdson的关系模型；最后得到器件降级的平均激活能。本发明首次把AlGaN/GaNHEMT器件的动态导通阻抗与器件降级的平均激活能联系起来，而HEMT器件的动态导通阻抗可以通过搭建的电路来提取。该方法用来提取HEMT器件降级的平均激活能简单快捷，设备简易，还可以用来指导后续开关电路的设计来减少器件缺陷的影响。
algan ganhemt 器件降级平均激活新型提取方法

[发明专利]基于h-BN的V型隧穿结LED外延结构及其制备方法-CN202011482167.8有效
发明人：潘巍巍;谢自力;黄愉;王勇;陈敦军 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于h‑BN的V型隧穿结LED外延结构，其特征在于：自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、h‑BN层、n型AlGaN层、AlGaN量子阱层，其中在AlGaN量子阱层形成V型坑，p型h‑BN层核InGaN/graded‑AlGaN隧穿结依次生长在V型坑侧壁及AlGaN量子阱层的水平部分上，重掺n型AlGaN填充V型坑内并在外延结构表面形成一层重掺n型AlGaN层。并公开了其制备方法。本发明在基于h‑BN模板上实现隧穿结LED外延结构制备，可转移至柔性以及硅衬底实现外延生长，且V型坑侧壁隧穿结的电流增强作用，可以降低器件因转移而产生的器件性能损耗。本发明应用领域广泛。
基于 bn 型隧穿结 led 外延结构及其制备方法

[实用新型]无需胶粘的紫外LED封装支架及紫外LED封装器件-CN202121609459.3有效
发明人：任昌烈;谢自力;卞文静 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无需胶粘的紫外LED封装支架，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的导电线路、金属围坝，其特征在于：所述金属围坝由四个面组成，所述陶瓷基板固定在金属围坝的底部，金属围坝的四个面中，每一面顶部均设有台阶以及高出台阶的围栏，四个面的台阶位于同一平面，两个相对面的围栏高于另两个相对面的围栏。还公开了应用该支架制备的紫外LED封装器件。本实用新型通过对紫外LED封装支架改进，无需粘结胶即可将玻璃盖板与紫外LED封装支架结合且稳定耐用，提高了玻璃盖板与紫外LED封装支架的结合力和密封性；彻底解决了长期困扰紫外LED封装玻璃盖板容易脱落的问题，提高了紫外LED封装结构的可靠性同时提升了紫外LED封装器生产效率。
无需胶粘紫外 led 封装支架器件

[实用新型]降蓝光高显色全光谱LED光源-CN202122089676.0有效
发明人：任昌烈;卞文静;谢自力 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种降蓝光高显色全光谱LED光源，包括基板、第一LED蓝光芯片、第二LED蓝光芯片和第一层荧光胶及第二层荧光胶，所述第一LED蓝光芯片的波长为480±2nm，第二LED蓝光芯片的波长为445±2nm，且第二LED蓝光芯片的光功率为第一LED蓝光芯片光功率的2倍，两层荧光胶先后涂覆至上述两种LED蓝光芯片，可得光源一般显色指数Ra大于98，且特殊显色指数R1～R15均大于90的全光谱光源。该方法得到的光源显色指数高，且符合高显色指数全光谱要求，光谱饱满均匀，有效降低蓝光峰值，不含紫外线，更安全，易于批量化生产。彻底解决LED封装行业高显色指数全光谱光源存在的光谱不全，紫外泄露风险，蓝光过量，特殊显色指数低、难批量化的痛点。
降蓝光高显色光谱 led 光源

[发明专利]无需胶粘的紫外LED封装支架及紫外LED封装器件-CN202110802055.4在审
发明人：任昌烈;谢自力;卞文静 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种无需胶粘的紫外LED封装支架，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的导电线路、金属围坝，其特征在于：所述金属围坝由四个面组成，所述陶瓷基板固定在金属围坝的底部，金属围坝的四个面中，每一面顶部均设有台阶以及高出台阶的围栏，四个面的台阶位于同一平面，两个相对面的围栏高于另两个相对面的围栏。还公开了应用该支架制备的紫外LED封装器件。本发明通过对紫外LED封装支架改进，无需粘结胶即可将玻璃盖板与紫外LED封装支架结合且稳定耐用，提高了玻璃盖板与紫外LED封装支架的结合力和密封性；彻底解决了长期困扰紫外LED封装玻璃盖板容易脱落的问题，提高了紫外LED封装结构的可靠性同时提升了紫外LED封装器生产效率。
无需胶粘紫外 led 封装支架器件

[实用新型]非对称晶圆清洗花篮-CN202023007005.7有效
发明人：王勇;谢自力;黄愉;潘巍巍;陈敦军 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称晶圆清洗花篮，包括清洗花篮主体，所述清洗花篮主体上设多个晶圆限位槽，所述晶圆限位槽的尺寸与晶圆的尺寸匹配，便于晶圆插入晶圆限位槽中，所述清洗花篮主体设有晶圆限位槽的面与清洗花篮主体的底面呈一定夹角，清洗花篮主体设有晶圆限位槽的面为倾斜结构，所述晶圆限位槽底部为V形且不封闭。本发明提供的非对称晶圆清洗花篮，表面设置成倾斜状，液体在花篮表面无法停留，不会形成残留的液滴，提高安全性能。
对称清洗花篮

[发明专利]表面等离激元增强型InGaN/GaN多量子阱光电极及其制备方法-CN201911133039.X有效
发明人：谢自力;桑艺萌;刘斌 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面等离激元增强型InGaN/GaN多量子阱光电极，在基片中刻蚀形成贯穿p‑GaN层，深至多量子阱有源层的纳米柱结构，所述纳米柱之间在多量子阱有源层的位置填充有等离金属。并公开了其在作为太阳能光电化学电池的工作电极中的应用，制得的太阳能光电化学电池以及其制备方法。本发明采用自组装Ni掩模自上而下的刻蚀方法调控等离金属与多量子阱之间的距离，使之能产生近场耦合，在表面等离激元效应产生的电磁场与p‑n区高掺杂浓度形成的内建电场的共同作用下，多量子阱有源区表面的电子空穴对产生和输运的效率有效提高。该方法适用于InGaN类带隙可调并与太阳光谱匹配的光电极材料。
表面离激元增强 ingan gan 多量子阱光电极及其制备方法

[实用新型]均匀进气氧化气体匀化罩-CN202020797067.3有效
发明人：王勇;谢自力;黄愉;潘巍巍;彭伟 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。此装置能将被N2(载气)带入的水气平缓、稳定均匀的接触晶圆表面，避免进气口或者出气口水气乱流或者高温造成的氧化腔体内气流不稳而造成的湿法氧化不均匀、不稳定。本实用新型提供的使进气平缓、稳定、均匀的进气匀化罩，氧化时将样品放置于匀化罩内，气体不再是从单一方向流过样品，而是从外罩的开孔进入，保证流过样品的气体来自各个不同方向孔径，且能使水汽平缓降落在晶圆表面，从而达到样品匀速稳定氧化的目的。
均匀氧化气体匀化罩

[发明专利]一种带栅源桥的GaN基P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法-CN202010766289.3在审
发明人：黄愉;谢自力;王勇;潘巍巍;陈敦军 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种带栅源桥的GaN基P‑GaN增强型HEMT器件结构及其制作方法，生长完GaN cap层后取出外延片利用薄膜沉积设备生长SiO2或SiN薄膜，再利用湿法腐蚀制作出所需的SiO2或SiN图形，接着进行二次外延生长，生长完整结构。刻蚀P‑GaN帽层时，剩下栅电极和连接栅源之间的P‑GaN，通过芯片制作后和SiO2或SiN介质层图形一起成为一个栅源桥。该发明较传统结构可以得到更高的阈值电压且由于栅源桥下介质膜的存在，在提高阈值电压的同时不会造成输出电流的下降。
一种带栅源桥 gan 增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]均匀进气氧化气体匀化罩-CN202010409814.6在审
发明人：王勇;谢自力;黄愉;潘巍巍;彭伟 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。此装置能将被N2(载气)带入的水气平缓、稳定均匀的接触晶圆表面，避免进气口或者出气口水气乱流或者高温造成的氧化腔体内气流不稳而造成的湿法氧化不均匀、不稳定。本发明提供的使进气平缓、稳定、均匀的进气匀化罩，氧化时将样品放置于匀化罩内，气体不再是从单一方向流过样品，而是从外罩的开孔进入，保证流过样品的气体来自各个不同方向孔径，且能使水汽平缓降落在晶圆表面，从而达到样品匀速稳定氧化的目的。
均匀氧化气体匀化罩

[实用新型]一种全光谱LED光源-CN202020024295.7有效
发明人：任昌烈;谢自力;方建初;陈敦军;卞文静;胡尹;邓青山 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： F21V19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全光谱LED光源，由两种或两种以上不同光谱的灯珠给予不同电流后排布而成，使得综合发光为全光谱。本实用新型提供的全光谱LED，只需要两种或两种以上的LED灯珠按一定规律排布而成，结构简单，成本低。
一种光谱 led 光源

[发明专利]一种全光谱LED光源-CN202010013371.9在审
发明人：任昌烈;谢自力;方建初;陈敦军;卞文静;胡尹;邓青山 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： F21V19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全光谱LED光源，由两种或两种以上不同光谱的灯珠给予不同电流后排布而成，使得综合发光为全光谱。本发明提供的全光谱LED，只需要两种或两种以上的LED灯珠按一定规律排布而成，结构简单，成本低。
一种光谱 led 光源

[发明专利]利用MBE再生长p-GaN的单栅结构GaN-JFET器件的方法-CN201911000871.2在审
发明人：郭慧;陈敦军;谢自力 -专利权人： 南京集芯光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用MBE再生长p‑GaN的单栅结构GaN‑JFET器件的方法，在GaN外延片上刻蚀重掺n
再生长单栅结构刻蚀结型场效应管离子注入法材料损伤横向沟道平面结构器件结构传统的源漏区栅区离子保留

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