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[实用新型]一种可选分频的集成钟振控制器及包括其的晶振装置-CN202321252661.4有效
发明人：马岩;张薇;朱恒宇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：本公开提供一种可选分频的集成钟振控制器及包括其的晶振装置，涉及微电子技术领域。该集成钟振控制器包括：起振模块和输出端口，以及在起振模块与输出端口之间设置的：分频模块组，包括串联的多个分频模块；开关阵列，包括与多个分频模块一一对应的多个分频开关；开关控制器，与开关阵列电连接，能够通过控制开关阵列选择分频模块组中处于工作状态下的分频模块的数量。本公开提供的一种可选分频的集成钟振控制器不仅降低了制造成本，并且一个产品即可实现多分频振荡频率的选择输出，增加了产品应用的灵活性。
一种可选分频集成控制器包括装置

[实用新型]一种可选振荡频段的集成皮尔斯振荡器及晶振装置-CN202321339000.5有效
发明人：马岩;张薇;朱恒宇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：本公开提供一种可选振荡频段的集成皮尔斯振荡器及晶振装置，涉及微电子技术领域。振荡器包括多个反馈电阻，多个反相器，多个输入起振电容，多个输出起振电容；分别与多个反馈电阻、多个反相器、多个输入起振电容以及多个输出起振电容连接的、包含多个开关阵列的开关阵列组；开关控制器，与开关阵列组中的各开关阵列电连接，能够控制开关闭合或断开；译码器，与开关控制器电连接，能够使多个反馈电阻、多个反相器和多个输入起振电容以及多个输出起振电容中被选中的器件处于工作状态。本公开提供的一种可选振荡频段的集成皮尔斯振荡器不仅降低了制造成本，并且一个产品即可实现多个振荡频段的选择输出，增加了产品应用的灵活性。
一种可选振荡频段集成皮尔斯振荡器装置

[实用新型]一种可在线选择晶片的晶振测试板-CN202321187565.6有效
发明人：马岩;邢康伟;张薇;朱恒宇 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种可在线选择晶片的晶振测试板，具体包括振荡频率不同的多个晶片、开关装置和芯片接口；其中，芯片接口用于安装待测芯片；开关装置包括与多个晶片一一对应的多个开关，芯片接口经由多个开关分别与多个晶片电连接；基于开关装置的设置，当芯片接口安装待测芯片时，待测芯片能够可选择地电连接多个晶片中的一个，并且，多个晶片中任一晶片与待测芯片的电路距离均相等。本公开将多个晶片焊接在一块测试板上，通过拨码开关选择晶片，利用布局降低环境误差，保证测试的一致性和测试结果的可靠性。进一步的，一个拨码开关对应一个晶片，减少更换晶片所需的操作时间，操作简便，提高测试效率，进而提高研发速度。
一种在线选择晶片测试

[实用新型]一种可选相位及驱动级输出的集成双路驱动器-CN202321175802.7有效
发明人：马岩;朱恒宇;张薇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本公开提供一种可选相位及驱动级输出的集成双路驱动器。具体包括输入级、并行的两个驱动支路、多个开关阵列、开关控制器和译码器；驱动支路均包括串联的中间级、驱动级组和输出级；开关阵列包括第一开关阵列设置于输入级与中间级与之间，第二开关阵列和第三开关阵列分别设置在两个驱动支路中的驱动级组和输出级之间；开关控制器连接多个开关阵列和译码器，能够基于译码器的输出信号，通过控制第一开关阵列改变两个驱动支路的输出相位，通过控制第二开关阵列、第三开关阵列改变驱动级组中工作的驱动级数量。能够使驱动器在多种输出相位、驱动力之间灵活地切换。可以将不同相位、不同驱动级输出的双路驱动器一次性制造，满足不同应用条件下的需求。
一种可选相位驱动输出集成驱动器

[实用新型]一种可选输出的集成钟振控制器-CN202320888822.2有效
发明人：马岩;张薇;朱恒宇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种可选输出的集成钟振控制器，包括起振模块与输出端口，以及在起振模块与输出端口之间设置的：多个输出模块，多个输出模块包括CMOS输出模块，LVPECL输出模块以及LVDS输出模块中的至少两种；开关阵列，包括与多个输出模块一一对应并串联的多个开关，用于选择各输出模块中的一个作为钟振控制器的输出方式。译码器，与开关阵列连接，能够通过控制开关阵列，使多个输出模块中的一个处于工作状态。上述方案利用译码器的编码优势选择钟振控制器的输出，使得钟振控制器在制造时，可以一次性完成三种不同输出方式的集成，提高了钟振控制器应用的灵活性。同时，降低了制造成本和应用成本。
一种可选输出集成控制器

[发明专利]基于长短期记忆神经网络的模拟电路故障诊断方法-CN202310225493.8在审
发明人：马岩;朱恒宇;张薇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F18/2433 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于长短期记忆神经网络的模拟电路故障诊断方法，涉及模拟电路诊断方法的技术领域。该方法包括：获取原始数据，原始数据至少包括模拟电路故障状态时的输出电压信号数据；对原始数据进行小波变换；建立模型，根据小波变换后的原始数据建立故障诊断模型，模型的建立基于长短期记忆神经网络；故障诊断，获得来自待测电路的测试数据，将测试数据输入故障诊断模型，通过故障诊断模型对待测电路的故障类型进行分类以得到至少一种诊断结果。该方法旨在提供一种数据处理能力强，诊断准确率高的模拟电路故障诊断方法。
基于短期记忆神经网络模拟电路故障诊断方法

[发明专利]基于门控递归单元自编码神经网络的模拟电路检测方法-CN202310194370.2在审
发明人：马岩;朱恒宇;张薇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F18/2433 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于门控递归单元自编码神经网络的模拟电路检测方法，涉及模拟电路检测的技术领域。该方法包括：获取原始数据，原始数据为模拟电路在相同采样条件下的多组输出电压信号数据；对原始数据进行小波变换；建立模型，根据小波变换后的原始数据，基于门控递归单元自编码神经网络建立异常检测模型，并设定检测阈值；异常检测，获得来自待测电路的测试数据，通过异常检测模型对测试数据进行重构；基于重构误差与检测阈值获得异常检测结果。上述方法实现了对模拟电路中的异常数据的快速和准确检测。
基于门控递归单元编码神经网络模拟电路检测方法

[发明专利]高能粒子径迹探测装置及系统、以及探测方法-CN202310000949.0在审
发明人：陈萧静;张薇;刘刚 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01T5/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种高能粒子径迹探测装置及系统、以及探测方法。该高能粒子径迹探测装置，包括：层叠设置的多个探测层，每个所述探测层包括绑定基板和与所述绑定基板绑定的至少一个存储器芯片，其中，各所述探测层中的所述存储器芯片数量和尺寸相同，并且每个所述存储器芯片包括多个存储单元，每个所述探测层中，对应位置的存储器芯片的存储单元在所述绑定基板上的正投影重叠。该实施例的高能粒子径迹探测装置通过层叠设置的多个探测层且每个探测层中包括至少一个存储器芯片从而利用存储器芯片对高能粒子灵敏的特性，当高能粒子入射各层探测层时即能够探测高能粒子的径迹。该高能粒子径迹探测装置探测精度和效率高，具有广阔的前景。
高能粒子径迹探测装置系统以及方法

[实用新型]一种双路可重触发单稳态触发器版图结构-CN202223076333.1有效
发明人：李麒;张薇;朱恒宇 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03K3/0232 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双路可重触发单稳态触发器版图结构，包括第一至第三版图区，第一版图区环绕第二/第三版图区；第二/第三版图区均包括第一至第四子版图区；第一子版图区接收经由第一版图区输入的触发信号，加工处理形成控制信号；第二子版图区接收施密特触发器回路模块的信号和控制信号，向外部输出；第三和第四子版图区共同构成施密特触发器回路模块的版图结构，第四子版图区包括电容与电阻；第三子版图区接收控制信号并进行处理后，输出至外部RC结构以控制外部RC结构充放电，结束后将信号返回至第四子版图区进行延时整形处理，再控制施密特触发器回路模块工作，输出至输出模块。上述版图结构可以提高芯片的可靠性，并实现芯片小型化。
一种双路可重触发稳态触发器版图结构

[实用新型]一种电平转换器版图结构-CN202223025832.8有效
发明人：张薇;朱恒宇;邢康伟;储小玲 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电平转换器版图结构，包括：第一版图区，第二版图区组和第三版图区；第一版图区包围第二版图区组和第三版图区；第一版图区包括控制端口、电源端口、接地端口和多对双向数据端口；每个第二版图区，包括电平转换模块，电平转换模块包括中心对称设置的两个子模块；每个子模块包括依次设置的总线保持结构、电平转换结构和三态输出结构；第三版图区，用于接收来自第一版图区控制端口的控制信号，并对控制信号加以调整后输至第二版图区，对其数据输出状态加以控制。本实用新型对输入信号波形进行了优化调整，同时对版图结构进行了合理布局，缩小了芯片尺寸，从而提升了芯片的性能和可靠性，也节约了生产成本。
一种电平转换器版图结构

[发明专利]一种N沟道耗尽型VDMOS器件及其制作方法-CN201910949514.4有效
发明人：聂瑞芬;刘刚;朱恒宇 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种N沟道耗尽型VDMOS器件及其制作方法。该N沟道耗尽型VDMOS器件的制作方法，包括：在N+衬底正面上形成N‑外延层，N+衬底作为漏；在N‑外延层内形成场限环以及多个P阱；向P阱表面注入N型杂质，以在P阱表面形成反型层；依次形成栅氧层和栅，随后对栅进行氧化，控制栅氧层覆盖相邻P阱之间的区域并延伸覆盖部分P阱；向P阱内分别注入砷和磷后再进行推结，在P阱内形成N型掺杂区，并控制磷的注入深度大于砷的注入深度；对N型掺杂区进行选择性刻蚀以形成源；实现源和P阱之间的连接以及源和漏的引出。本发明提供的制作方法，能够确保N沟VDMOS器件道耗尽型VDMOS器件的沟道处于稳定常开状态。
一种沟道耗尽 vdmos 器件及其制作方法

[实用新型]一种NTC热敏电阻器-CN202222719142.6有效
发明人：陈计好;张薇;刘刚 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种NTC热敏电阻器，包括外壳、底壳、壳盖、NTC热敏电阻和固定装置；所述外壳为两端开口的中空结构，所述底壳和壳盖分别位于外壳的底部和顶部，以形成安装腔；外壳为凸台结构，包括大直径部和小直径部两部分，所述外壳与所述底壳的小直径部螺纹连接；所述NTC热敏电阻位于所述安装腔内，且所述NTC热敏电阻与底壳可拆卸式连接；所述固定装置包括固定部分和连接部分，所述固定部分固定连接于底壳大直径部外周，连接部分转动套接于固定部分，连接部分用于与外部设备固定。维修时，按住底壳并转动外壳，将外壳从底壳上取下，将NTC热敏电阻取出进行维修或更换。该结构可提高维修效率，避免浪费。
一种 ntc 热敏电阻器

[实用新型]双铝铝栅或非门-CN202221695332.2有效
发明人：张薇;朱恒宇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开一种双铝铝栅或非门。在一具体实施方式中，该双铝铝栅或非门包括：第一金属层、第二金属层以及绝缘层，第一金属层中的第一子部将第一P型晶体管的栅极与第一N型晶体管的栅极电连接，第二子部将第二P型晶体管的栅极与第二N型晶体管的栅极电连接，第二金属层中的第三子部用作连接第二P型晶体管的漏极、第一N型晶体管的漏极以及第二N型晶体管的漏极的连接线，第四子部用作第一输入端引线、第二输入端引线和输出端引线。该实施方式通过两层金属，其一形成连接栅极的连接线，其二形成为连接漏极的连接线以及输入端引线和输出端引线，提高了器件的集成度，具有广泛的应用前景。
双铝铝栅非门

[实用新型]双铝铝栅反相器及铝栅反相器-CN202221685143.7有效
发明人：张薇;朱恒宇;邢康伟 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双铝铝栅反相器及铝栅反相器，其中双铝铝栅反相器包括一组PMOS管和NMOS管，PMOS管和NMOS管的栅极并接作为反相器的输入端，PMOS管和NMOS管的漏极串接作为反相器的输出端，PMOS管的源极接最高电位，NMOS管的源极接最低电位。PMOS管和NMOS管之间的电连接采用第一铝层布线，输入端和输出端的引出采用第二铝层布线，两铝层之间以绝缘介质层分隔，并通过设置于绝缘介质层中的接触孔实现电连接。本实用新型采用两铝层走线避免了用有源区进行走线，获得更大的自由度，实现所有端口均为铝线连接，最大限度统一器件源漏区的面积，保证器件源漏区的一致性，最大限度地降低节点寄生电容和寄生电阻。除了可以更灵活的布线外，采用双铝铝栅工艺还可以极大提升产品的可靠性和抗闩锁能力。
双铝铝栅反相器铝栅反相器

[实用新型]双铝铝栅与非门-CN202221695298.9有效
发明人：邢康伟;朱恒宇;张薇 -专利权人： 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开一种双铝铝栅与非门。在一具体实施方式中，该双铝铝栅与非门包括：围绕第一N型晶体管和第二N型晶体管的第一衬底环；位于衬底上的第一铝层和第二铝层、及设置在第一铝层与第二铝层之间的绝缘层，第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅氧化层延伸并覆盖第一衬底环，第一铝层中，第一连接线电连接第一P型晶体管的栅极与第一N型晶体管的栅极，第二连接线电连接第二P型晶体管的栅极与第二N型晶体管的栅极，第二铝层中，第三连接线电连接第一P型晶体管的漏极、第二P型晶体管的漏极以及第一N型晶体管的漏极。该实施方式通过两层金属连接线、并设置栅氧化层与衬底环的结构关系，提高了抗辐射能力，具有广泛的应用前景。
双铝铝栅与非门

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