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[实用新型]一种适用于高压功率芯片的终端结构-CN202321297019.8有效
发明人：李翠;魏晓光;金锐;和峰;王耀华;刘江;高凯;聂瑞芬;田宝华;李立;高明超;郝夏敏;孙琬茹 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
一种适用于高压功率芯片终端结构

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310395190.0在审
发明人：孙琬茹;聂瑞芬;金锐;和峰;刘江;李翠;陈堃;田宝华;郝夏敏 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网湖北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高压功率二极管-CN202310270078.4在审
发明人：李翠;金锐;王耀华;和峰;刘江;刘钺杨;吴天逸;聂瑞芬;孙琬茹;田宝华;郝夏敏;李立;高明超 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高压功率二极管，二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层；半导体本体区是外延层区，通过注入形成pn结结构，实现正向导通和反向阻断；半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区；终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方；阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方，阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方，形成欧姆接触电极，并形成厚金属互联；在横向电阻区形成若干浅掺杂区，通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触，以及浅掺杂区掺杂设计，实现对正向浪涌电流的分流，提高FRD浪涌能力，兼顾反向恢复特性。
一种高压功率二极管

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202211647982.4在审
发明人： 聂瑞芬;魏晓光;高凯;鲁燕青;曹培;黄兴德;金锐;王耀华;李立;高明超;刘江;李翠;孙琬茹 -专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网上海市电力公司电力科学研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管-CN202210934974.1在审
发明人：孙琬茹;李翠;聂瑞芬;刘江;王耀华;金锐;汪玉;李宾宾 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内；源区，位于所述阱区内；第一绝缘介质阻挡层，所述第一绝缘介质阻挡层位于所述阱区底部的漂移层中且与所述阱区邻接；第二绝缘介质阻挡层，所述第二绝缘介质阻挡层设置于所述阱区沿沟道长度方向两侧的漂移层中，所述第二绝缘介质阻挡层至漂移层的顶面的距离大于零；第一绝缘介质阻挡层和第二绝缘介质阻挡层暴露出所述阱区的底面和所述阱区的侧壁之间的交界区。上述的绝缘栅双极晶体管在降低导通压降时，不增加绝缘栅双极晶体管的关断损耗，能很好地满足高压大功率开关的应用要求。
一种绝缘双极晶体管

[发明专利]一种N沟道耗尽型VDMOS器件及其制作方法-CN201910949514.4有效
发明人： 聂瑞芬;刘刚;朱恒宇 -专利权人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种N沟道耗尽型VDMOS器件及其制作方法。该N沟道耗尽型VDMOS器件的制作方法，包括：在N+衬底正面上形成N‑外延层，N+衬底作为漏；在N‑外延层内形成场限环以及多个P阱；向P阱表面注入N型杂质，以在P阱表面形成反型层；依次形成栅氧层和栅，随后对栅进行氧化，控制栅氧层覆盖相邻P阱之间的区域并延伸覆盖部分P阱；向P阱内分别注入砷和磷后再进行推结，在P阱内形成N型掺杂区，并控制磷的注入深度大于砷的注入深度；对N型掺杂区进行选择性刻蚀以形成源；实现源和P阱之间的连接以及源和漏的引出。本发明提供的制作方法，能够确保N沟VDMOS器件道耗尽型VDMOS器件的沟道处于稳定常开状态。
一种沟道耗尽 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN202210664903.4在审
发明人： 聂瑞芬;李翠;刘江;金锐;王耀华;王鑫;金雨楠 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内，所述阱区的部分底部表面为凹陷区，所述凹陷区朝向阱区内凹进；源区，位于所述阱区内；载流子存储区，所述载流子存储区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述载流子存储区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度，所述载流子存储区围绕所述阱区的侧面且暴露所述凹陷区，所述凹陷区与所述漂移层接触。本发明的绝缘栅双极晶体管在降低通态压降的同时提升了耐压水平。
一种绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]高压功率芯片及其制造方法、半导体器件及其制造方法-CN202210610621.6在审
发明人：李翠;聂瑞芬;孙琬茹;金锐;王耀华;高明超;王鑫;陈艺 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率芯片及其制造方法、一种半导体器件及其制造方法。高压功率芯片包括：晶圆衬底；正面结构，正面结构位于晶圆衬底的一侧表面；其中正面结构包括元胞区和包围元胞区的终端区，还包括位于终端区的基本钝化保护层；补充钝化层；补充钝化层至少部分覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面，且至少同时覆盖终端区的侧部表面。补充钝化层还至少覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面与终端区的侧部表面的交界处。本发明提供的高压功率芯片耐压可靠性高。
高压功率芯片及其制造方法半导体器件

[发明专利]数控铣、镗复合机床-CN201310500239.0有效
发明人：张谦勇;聂瑞芬;刘鹏 -专利权人：山东智汇专利运营有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B23P23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种数控铣、镗复合机床，包括固定工作台，固定工作台的上方安装有可前后移动的龙门框架，所述龙门框架上安装有可沿龙门框架横向移动的铣头支架，铣头支架上安装有可上下移动的铣头；所述龙门框架的一侧安装有可沿龙门框架上下滑动的落地镗镗头，铣头和落地镗镗头分别与动力驱动装置传动连接，因为采用的是铣、镗组合机床，一次装夹可通过镗头，铣头完成对零件的五面加工。加之增装的落地镗镗头，可同时，或者单独对工件进行钻孔，镗孔，攻丝，特别是进行深镗孔加工。一次装夹完成全部工序，大大减少了重复定位和装夹带来的累积误差。最大程度的提高了机床的加工精度和加工效率。
数控复合机床

[实用新型]一种数控铣、镗复合机床-CN201320653669.1有效
发明人：张谦勇;聂瑞芬;刘鹏 -专利权人：山东鲁重数控机床股份有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： B23P23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数控铣、镗复合机床，包括固定工作台，固定工作台的上方安装有可前后移动的龙门框架，所述龙门框架上安装有可沿龙门框架横向移动的铣头支架，铣头支架上安装有可上下移动的铣头；所述龙门框架的一侧安装有可沿龙门框架上下滑动的落地镗镗头，铣头和落地镗镗头分别与动力驱动装置传动连接，因为采用的是铣、镗组合机床，一次装夹可通过镗头，铣头完成对零件的五面加工。加之增装的落地镗镗头，可同时，或者单独对工件进行钻孔，镗孔，攻丝，特别是进行深镗孔加工。一次装夹完成全部工序，大大减少了重复定位和装夹带来的累积误差。最大程度的提高了机床的加工精度和加工效率。
一种数控复合机床

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