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[发明专利]一种砷化镓晶片及其制备方法-CN201811619886.2有效
发明人：任殿胜;朱颂义;赵波;王建利;刘岩;崔杨洲;张春宇 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3，优选低于5×1014原子/cm3，所述晶片表面的硫含量通过本发明说明书实施例中第III部分定义的检测方法进行测定。本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法，包括以下步骤：1)使用酸或碱溶液对晶片表面进行浸泡清洗；2)对晶片进行化学机械抛光；3)抛光后，使用氧化剂对晶片表面进行氧化；4)对晶片经过碱溶液处理，随后用去离子水清洗；5)对晶片经过SC‑1溶液处理，随后用去离子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化剂对晶片表面进行处理；8)氮气或真空包装。
一种砷化镓晶片及其制备方法

[发明专利]背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液-CN201710611710.1有效
发明人：王留刚;李海淼;朱颂义 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，例如椭圆形。本发明还涉及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的方法及所用腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片表面形貌规则，在外延生长中受热均匀，应用效果好。
背面橄榄形凹坑磷化晶片制法所用腐蚀

[实用新型]垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列-CN202020081085.1有效
发明人：朱颂义;王元立 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了垂直芯片表面发射激光器，其包括：基片，具有承置面和与承置面成45度角的反射面；以及边发射激光器芯片，布置在基片的承置面上。边发射激光器芯片被定位成边发射激光器芯片的发射端朝向反射面且发射端发射出平行于承置面的激光束，激光束的方向与承置面和反射面的交线垂直。本实用新型还提供垂直芯片表面发射激光器的一维阵列和二维阵列。本实用新型通过在具有45度反射面的散热基片上设置边发射激光器实现了边发射激光器到垂直芯片表面发射激光器的转化，并且实现了垂直表面发射激光器的一维和二维阵列。与垂直腔面发射激光器相比，这种垂直芯片表面发射激光器件结构简单、制造工艺成熟，从而加工成本更低、产品可靠性更高。
垂直芯片表面发射激光器其一维和二维阵列

[发明专利]锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途-CN201711296746.1有效
发明人：拉贾拉姆·谢蒂;王元立;周雯婉;刘卫国;朱颂义 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明涉及增加多节太阳能电池开路电压锗(Ge)单晶片、锗单晶片的制备方法及制备锗单晶片的晶棒的制备方法。通过调整锗单晶片中共掺杂元素硅与镓的量、制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶棒时共掺杂元素硅与镓的比例以及锗单晶生长的速率和温度梯度，制得能够增加多级太阳能电池底电池开路电压的锗单晶片。
晶片制法用途

[发明专利]从晶片揭除粘膜的方法及装置-CN201610370074.3有效
发明人：贺友华;冯奎;张有沐;王元立;朱颂义 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种从晶片揭除粘膜的方法，包括下列步骤：将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台，所述晶片支撑台包括一个底座和一个容纳晶片的倾斜支撑面；使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起；用一个压片手柄将晶片按压在晶片支撑台上，同时，用镊子将所述粘膜从所述晶片揭除；任选地，在“将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片的支撑台”之后，“使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起”之前，对置于晶片的支撑台的带有粘膜的晶片作失粘处理。还涉及用于从晶片揭除粘膜的装置。
晶片粘膜方法装置

[实用新型]用于轴杆的套筒及包括其的半导体晶片旋转冲洗甩干机-CN201821930578.7有效
发明人：贺友华;王元立;张有沐;朱颂义 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于轴杆的套筒，特别适于安装在半导体晶片旋转冲洗甩干机的轴状档杆上，其包括主体部分，所述主体部分大体上是环形的；突出部，所述突出部附接至所述主体部分，沿着所述主体部分的轴向方向分布且在所述主体部分的周向上延伸弧度α，α为大于5°小于90゜。本实用新型还提供一种半导体晶片旋转冲洗甩干机，其包括上述用于轴杆的套筒，其中所述用于轴杆的套筒的主体部分套装在旋转冲洗甩干机的档杆上，使得所述套筒能够与所述档杆一齐旋转，使突出部在面向晶片的主参考面时与主参考面之间的间隙大于0.1mm但是不超过1.0mm。
套筒甩干机轴杆冲洗半导体晶片突出部档杆本实用新型主参考面向上延伸轴向方向附接晶片轴状

[实用新型]晶片自动分拣系统-CN201820674924.3有效
发明人：刘庆辉;王海楠;任殿胜 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶片自动分拣系统，包括：输入设备，所述输入设备将待分拣晶片的晶片编码形成输入信号；处理器，所述处理器与所述输入设备连接，接收所述输入设备的输入信号，并且确定每个晶片所对应的出货片盒中的装片位置；执行机构，所述执行机构上设置有识别元件，所述识别元件与所述处理器通信，所述识别元件识别晶片编码，并将信号反馈回所述处理器，所述执行机构响应于处理器的移动指令将中转片盒中的晶片移动到出货片盒中对应的装片位置。
晶片输入设备处理器识别元件片盒自动分拣系统出货装片本实用新型处理器通信晶片移动信号反馈移动指令分拣种晶响应

[发明专利]一种异形半导体晶片、制备方法及晶片支承垫-CN201510242648.4有效
发明人：王元立;刘文森;刘继斌;古燕;刘英伟 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种异形半导体晶片、其制备方法及晶片支承垫，所述方法包括：(1)提供一种异形晶片原片；(2)对晶片原片进行磨边处理；(3)对磨边后的晶片进行表面研磨加工，其中晶片置于一个支承垫的内腔中，支承垫的内腔具有多个直边，各直边延长线相交形成异形形状，内腔在各直边延长线相交形成的各个角部处还具有外凸部分，各外凸部分与相邻各直边以过渡圆弧连接，所述晶片的形状与内腔的形状匹配；(4)对异形支承垫内的晶片进行粗抛光，然后进行精抛光。本发明制备异形半导体晶片的方法减少或避免了加工过程中晶片破损的风险，提高了晶片的成品率。
一种异形半导体晶片制备方法支承

[发明专利]一种超薄Ge单晶衬底材料及其制备方法-CN201510242633.8有效
发明人：王元立;冯奎;刘文森 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄Ge单晶衬底材料的制备方法，包括(1)由一种晶棒切割出厚度为140‑250微米的晶片；(2)在减薄机上对晶片背面进行减薄，然后将晶片放入腐蚀液中进行湿法腐蚀；(3)在减薄机上对晶片主面进行减薄，将减薄的晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，其中所述支撑物为刚性的平板，然后对固定在支撑物上的晶片进行抛光；(4)使用水和/或有机溶剂去除粘结剂；本发明还涉及一种超薄Ge单晶衬底材料，其厚度为60‑160微米；直径为2‑24厘米；表面粗糙度Ra为0.2‑0.5纳米；平整度为1.5至4微米；弯曲度为2‑5微米；翘曲度为5‑+5微米。
一种超薄 ge 衬底材料及其制备方法

[发明专利]一种异形半导体晶片及其制备方法-CN201510242900.1有效
发明人：刘文森;王冰;周铁军 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；(5)将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，对晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，其中所述支撑物为刚性的平板。还任选对精抛后的异形晶片进行表面清洗处理。
一种异形半导体晶片及其制备方法

[发明专利]一种异形半导体晶片及其制备方法-CN201510240946.X有效
发明人：王元立;刘文森;刘继斌;古燕;刘英伟 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；(5)对晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，其中将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，支撑物无异形晶片的一侧固定至抛光机的上盘，其中所述支撑物为刚性的平板。还任选对精抛后的异形晶片进行表面清洗处理。
晶片异形支撑物半导体晶片制备表面研磨加工表面清洗磨边处理成异形粗抛光精抛光抛光机粘结剂解理精抛上盘种晶切割

[发明专利]一种超薄半导体晶片及其制备方法-CN201510240960.X有效
发明人：刘文森;王冰;周铁军 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备超薄半导体晶片及其制备方法，所述晶片厚度为150‑400微米，表面微粗糙度为0.2‑0.5纳米。其制备方法包括(1)由一种晶棒切割出厚度为250‑500微米的晶片；(2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，其中所述支撑物为刚性的平板；(3)在研磨机上研磨固定在支撑物上的晶片，(4)对固定在支撑物上的晶片进行粗抛光，然后进行精抛光。还任选地包括对精抛光后的晶片进行表面清洗处理。但是所述超薄半导体晶片不包括下列晶片直径小于或等于5.12厘米、厚度为350‑400微米的晶片；直径为5.12‑7.68厘米、厚度为375‑400微米的晶片；以及直径高于7.68‑10.24厘米、厚度高于或等于385‑400微米的晶片。
一种超薄半导体晶片及其制备方法

[发明专利]一种IIIA‑VA族半导体单晶衬底及其制备方法-CN201210082523.6有效
发明人：莫里斯·杨;戴维斯·张;刘文森;王元立 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种IIIA‑VA族半导体单晶衬底，其具有下列的两种性质之一或同时具有下列两种性质从晶片表面到内部10微米的深度范围内的氧含量在1.6×1016‑‑5.6×1017原子/cm3范围；以及，电子迁移率为4800cm2/V.S‑5850cm2/V.S。还提供一种制备此类IIIA‑VA族半导体单晶衬底的方法，包括将待处理的单晶衬底放入一个容器内；密封容器，待处理的单晶衬底在晶体熔点‑240至晶体熔点‑30摄氏度的温度范围内保持5‑20小时；优选地，对于砷化镓单晶在1000‑1200摄氏度保持5‑20小时，对于磷化铟单晶，在830‑1028摄氏度保持5‑20小时。
一种 iiia va 半导体衬底及其制备方法

[发明专利]半导体衬底中的可控氧浓度-CN201380075050.X在审
发明人：莫里斯·杨;戴维斯·张;刘文森;王元立 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在容器中放置多个III-V族晶体衬底；在所述容器中放置预定量的材料。所述预定量的材料的原子对氧原子具有高的化学反应性。所述方法还包括保持所述容器内的预定压力，以及对所述多个III-V族晶体衬底进行退火，以在所述晶体衬底中产生氧浓度。所述氧浓度与所述预定量的材料相关联。
半导体衬底中的可控浓度

[发明专利]切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法-CN201510240967.1在审
发明人：刘丽杰;洪庆福;赵波;王元立;刘文森 -专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法，本发明涉及一种切割GaAs初始晶片的方法，包括：由直径不超过6英寸的GaAs晶棒切割出厚度为240-350微米的初始晶片，所述切割采用切割机在泥浆的存在下进行，所述泥浆由粉末物质和切割油混合配置而成，其特征在于，所述泥浆的粘度为300-1500mPa·s。本发明还涉及将本发明的方法切割的GaAs初始晶片制备为GaAs晶片的方法，包括：切割GaAs初始晶片、对初始晶片倒角及对倒角后的初始晶片进行表面处理、粗抛光和精抛光，所述切割GaAs初始晶片根据本发明的切割GaAs初始晶片的方法进行。本发明的制备GaAs晶片的方法降低了晶片在切割和表面处理过程中破损的风险，提高了成品率。
切割砷化镓初始晶片方法制备

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