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[发明专利]非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质-CN202210318852.X有效
发明人：赵东艳;王于波;潘成;陈燕宁;邵瑾;吴峰霞;薛晓勇;周芝梅;庞振江;甄岩;姜静雯;郭之望 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;复旦大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
非易失性存储单元数据处理方法装置介质

[发明专利]IGBT器件的制造方法及IGBT器件-CN202210515987.5在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;张泉;尹强;肖超;田俊;杨毓龙 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件领域，提供一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件。所述IGBT器件的制造方法包括：在硅衬底中形成深沟槽；在深沟槽内形成附着于深沟槽的槽壁的栅氧化层薄膜；在深沟槽内形成附着于栅氧化层薄膜的金属薄膜种子层；在具有金属薄膜种子层的深沟槽内填充金属钨形成钨栅极及钨栅极总线。本申请采用金属钨材料作为栅极材料，由于金属钨材料的电阻率比多晶硅材料的电阻率低两个数量级，利用钨栅极和钨栅极总线替代多晶硅栅极和栅极总线，显著降低IGBT器件的栅极电阻，从而降低栅极总线的电阻延迟，避免IGBT器件开关不一致的问题。
igbt 器件制造方法

[发明专利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片-CN202210375521.X有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片技术领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区；体区以及漂移区形成在半导体衬底内，栅极形成在半导体衬底的上方且一端与体区相连，另一端位于漂移区上方；栅极与半导体衬底上方覆盖有介质层，介质层开设有接触孔，源极区形成在体区上方的接触孔内与体区相接，且位于栅极的一侧；漏极区形成在漂移区上方的接触孔内与漂移区相接，且位于栅极的另一侧。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
ldmosfet 器件制作方法芯片

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210339389.7有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；上层硅被划分为体区和漂移区，体区具有第一导电类型，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿；漏极，形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿；二氧化硅层，形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上；栅极，形成于体区的两个坡面上；多晶硅场板，形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。通过本发明提供的方法，能够提高栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210192181.7有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，该晶体管包括：衬底，形成有高压N型阱；紧邻设置的第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，形成于高压N型阱；第一张应变区，形成于第一N型漂移区；第二张应变区，形成于第二N型漂移区；第一漏极，形成于第一张应变区；第二漏极，形成于第二张应变区；第一源极和第二源极，形成于P型体区；衬底极，形成于第一源极与第二源极之间；第一栅极，形成于第一N型漂移区和P型体区的上表面；第二栅极，形成于P型体区和第二N型漂移区的上表面，第二栅极与第一栅极之间形成有间隔。通过本发明提供的晶体管能够提高沟道内载流子的迁移率，提升晶体管的驱动能力和速度。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210311019.2有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底；第一阱区，形成于衬底内，具有第一导电类型；第二阱区，形成于第一阱区两侧，具有第二导电类型；体区，体区一部分形成于第一阱区内，另一部分突出于第一阱区的上表面，体区具有第一导电类型；漂移区，形成于体区的两侧，包括靠近体区的第一台阶和远离体区的第二台阶，第一台阶的上表面突出于第一阱区的表面，第二台阶的上表面与第一阱区的表面齐平，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面；漏极，形成于第二台阶的上表面；栅极，形成于体区和第一台阶的上表面。通过本发明提供的晶体管能够增加耗尽区的面积，分担部分的表面电场，提高击穿电压。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]一种测试装置及方法-CN202210365325.4在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;黄凯;董广智;钟明琛;宋彦斌;单书珊;刘芳;田俊;张泉;肖超;尹强 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种测试装置及方法，该测试装置包括：至少一组测试模块，每组测试模块均设有接口，用于接入待测器件；每组测试模块之间为并联连接；设置模块，用于设置所述待测器件的工作温度及输入测试信号至所述测试模块；分析模块，用于根据所述测试模块的输出信号确定所述待测器件的性能参数。该测试装置能够有效评估器件的可靠性。
一种测试装置方法

[发明专利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片-CN202210270476.1有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区，所述体区以及漂移区形成在所述半导体衬底内，所述栅极形成在半导体衬底的上方，且一端与所述体区相连，另一端位于所述漂移区上方，所述源极区形成在所述体区内且位于栅极的一侧；所述漏极区形成在所述栅极的另一侧，所述漏极区形成在所述半导体衬底上方与所述漂移区相接。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
ldmosfet 器件制作方法芯片

[发明专利]LDMOSFET器件、制备方法以及芯片-CN202210218730.3有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOSFET器件、制备方法以及芯片，属于芯片技术领域。该LDMOSFET器件，包括：栅极，形成在半导体衬底上方；源极区，形成在栅极的一侧处；漏极区，形成在栅极的另一侧处；以及隔离区，形成在栅极之下，位于源极区与漏极区之间，栅极包括多段相连的栅极结构，隔离区包括多段微隔离区；微隔离区与栅极结构一一对应；两段微隔离区之间形成有第一导电类型的间隔区。通过改进栅极和隔离区的结构，并在两段微隔离区之间形成第一导电类型的间隔区，微隔离区与改进后的栅极能够承受更大的电压，能降低导通电阻；第一导电类型的间隔区与漂移区之间形成PN结，能够提高击穿电压，同时降低了导通电阻。
ldmosfet 器件制备方法以及芯片

[发明专利]超结器件的制造方法-CN202210411907.1在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;田俊;付振;张泉;肖超;尹强 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种超结器件的制造方法，属于芯片技术领域。所述超结器件的制造方法包括：在半导体衬底上，采用多次外延生长技术，分层制作第一导电类外延层；以及在每层第一导电类外延层上，制作并填充第二导电类型区，形成第一导电类型区与所述第二导电类型区交替排列的结构。把多次外延和深沟槽单次外延填充两种工艺相结合制作超结器件，在器件结构上对比多次外延工艺能够获得浓度分布均匀的P柱，对比深沟槽单次外延填充工艺能够获得较好的沟槽深度均一性及避免了P柱空洞；在器件性能上对比两种工艺能够获得更符合设计要求的击穿电压同时又能保证击穿电压有良好的均一性。
器件制造方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法-CN202210411916.0在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;张泉;尹强;肖超;田俊 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，属于芯片技术领域。所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法包括：在第一类材料衬底的正面形成所述IGBT的基础结构；在所述基础结构表面沉积第二类材料薄膜；在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜，以形成待刻蚀结构；通过接触孔刻蚀工艺，并通过预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体、及预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比的气体，对所述待刻蚀结构进行接触孔刻蚀，形成接触孔槽。本发明实施例可以提高单晶片内各区域的接触孔刻蚀深度均一性，并使得IGBT器件在抗闩锁性能上更加稳定。
绝缘栅双极型晶体管 igbt 制造方法

[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路-CN202210124399.9有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，为了实现上述目的，本发明实施例提供一种LDMOSFET，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压P型阱和高压N型阱；所述高压N型阱上方依次设有第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，其中，所述第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区中的至少一者的上表面有凸起。该LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。
一种 ldmosfet 制备方法芯片电路

[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路-CN202210159453.3有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有外延层；所述外延层上方依次设有第一重掺杂N+离子、P型硅、N型硅及第二重掺杂N+离子；所述P型硅中设有轻掺杂N型离子，所述N型硅中设有轻掺杂P型离子。所述LDMOSFET不需要高能量离子注入，具有工艺简单，成本低的特点。
一种 ldmosfet 制备方法芯片电路

[发明专利]振荡电路和振荡器-CN202111592037.4在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;付振;庞振江;邵亚利;刘芳;华克路;李晗玲;徐鹏;黄子恒 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;芯创智（北京）微电子有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03K3/03 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种振荡电路和振荡器，属于集成电路技术领域。所述振荡电路包括：环形振荡单元、稳定频率单元、加速启动单元、输出信号端，所述环形振荡单元，用于产生振荡信号，所述稳定频率单元，用于通过负反馈稳定所述环形振荡器的振荡频率，所述加速启动单元，用于提升所述环形振荡器的起振速度，所述输出信号端，用于输出所述振荡信号。利用高速的加速启动单元提升起振速度，同时利用负反馈技术，得到稳定高精度的振荡频率，解决了传统的电流匮乏模式的三级环形振荡器，起振速度慢和振荡频率不稳定等问题。
振荡电路振荡器

[实用新型]电力数据记录装置-CN202122885172.X有效
发明人：宋彦斌;陈燕宁;董广智;钟明琛;单书珊 -专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11B33/14 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种电力数据记录装置，属于电力电子仪表技术领域。所述电力数据记录装置包括：采集模块，设置在被监测电力设备和/或电网端，用于采集对应被监测电力设备和/或电网的电力信息；通讯模块，与所述采集模块通讯连接，用于获取所述电力信息；存储模块，用于存储所述电力信息；所述通讯模块和所述存储模块设置在同一个黑匣子外壳中。本实用新型方案在保证数据传输链路稳定性的同时，保证存储模块在重大事故中不会被损坏。
电力数据记录装置