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[发明专利]离子注入机真空降低注入剂量计量新型补偿方法-CN200810238902.3无效
发明人：戴习毛;郭健辉;金则军 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机精确控制离子注入剂量的方法，离子注入机真空降低注入剂量计量新型补偿方法流程包括1、2、3、4四个步骤。步骤1，利用残余气体分析器分析离子注入机内的残余气体，取得残留在离子注入机内的残余气体的种类，并测量上述残余气体在离子注入机内的分压值；步骤2，依照上述步骤所分析到的残余气体种类，可以找出各残余气体的常数K，其中常数K表示该种残余气体与离子束产生电荷交换发应的能力；步骤3，测量真空降低情况下离子束电流值Ic；步骤4，根据测量离子束的电流值Ic及系数K1，K2，K3，根据下式计算得到离子束实际注入量Is：Is＝Ic×e(K1P1+K2P2+K3P3)这样采用理论补偿注入剂量方法可避免注入机为了增加真空抽速而增加真空泵及带来相关麻烦问题，使得离子注入机成本降低；同时，可根据实际情况灵活运用。
离子注入真空降低剂量计量新型补偿方法

[发明专利]一种精确检测和校正离子束平行度的方法及装置-CN200810238896.1无效
发明人：邱小莎;钟新华;龙会跃 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确检测和校正扫描离子束平行度的方法和装置，涉及离子注入机，属于半导体集成电路器件制造领域。该检测和校正装置包括平行度校正磁铁、校正磁铁电源、移动法拉第杯、采样法拉第杯，剂量检测器、数字扫描发生器、电机运动控制器、控制计算机。所述的平行度校正磁铁放置于静电扫描板之后适当位置，其励磁线圈与校正磁铁电源连接；所述的采样法拉第杯输出与剂量检测器连接；所述的数字扫描发生器输出与扫描放大器连接；所述的扫描放大器与静电扫描板连接；所述的电机运动控制器输出与移动法拉第杯驱动电机连接；所述的移动法拉第杯受驱动电机驱动，可在靶室内沿X水平方向移动；所述的校正磁铁电源、移动法拉第杯、采样法拉第杯，剂量检测器、数字扫描发生器、电机运动控制器与控制计算机连接，由计算机协调动作并进行控制。扫描离子束平行度检测和校正的方法包括数据检测、数据处理和参数调整等步骤，通过来回移动法拉第杯检测出离子束平行度误差数据，多次调整磁铁电源的设置电流来使扫描离子束平行度达到误差范围。本发明能够自动实现扫描离子束平行度的精确检测和校正，达到扫描离子束各点的入射角偏差小于±0.7°，扫描离子束平行度偏差优于±0.1°的水平。
一种精确检测校正离子束平行方法装置

[发明专利]从硬件上防止工艺气体混合的控制方法-CN200810224642.4有效
发明人：王迪平;许波涛;胡振东 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是从硬件上防止工艺气体混合的控制方法，防止不应该混合的气体混合在一起对设备和人身产生损害，特别适用于快速退火炉这类具有多种工艺气体的设备，属于半导体制造领域。该技术主要是从硬件角度实现互锁功能。包括：气路管道、电磁阀、以及控制电磁阀的电路。本发明可以从硬件上保证不该混合的气体混合，避免了软件故障和人为原因造成的气体混合。
硬件防止工艺气体混合控制方法

[发明专利]一种快速热处理温度测控系统和测控方法-CN200810224640.5有效
发明人：唐景庭;邱小莎;钟新华 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G05D23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速热处理温度测控方法及测控系统，该系统包括：红外高温计、标准K型热电偶硅晶片、温度信号处理器、热电偶测温仪、加热功率调节器、交流电压过零检测器、定时计数器、可控硅控制信号隔离放大器、可控硅加热电源、加热灯组和控制计算机。所述的各个组件连接关系如附图1所示，整个系统由控制计算机统一协调进行控制，其中所述的加热功率调节器是内置于计算机中的程序。该温度测控方法，包括采用标准热电偶进行温度测量校准、红外高温计进行温度测量、定时计数器控制灯加热功率调节，以及加热灯分区控制对温度分布均匀性进行调整等步骤。本发明能对温度进行自适应PID调节，调控反应快速，能全自动实现快速温度测控功能。
一种快速热处理温度测控系统方法

[发明专利]一种快速热处理炉用有机玻璃门自动升降机构-CN200810224641.X有效
发明人：伍三忠;袁卫华;龙会跃 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机玻璃门的快速升降机构，涉及快速热处理炉，属于半导体制造领域。该结构包括：一对直线运动导轨副，两导轨支架，两导轨滑块支架。一气缸，一有机玻璃门。有机玻璃门与导轨滑块通过螺钉固定连接，导轨支架与机器体垂直固定连接，气缸再与滑块支架固定连接，气缸的顶升驱动力使玻璃门上升，气缸收回，有机玻璃门下降。直线运动导轨副运动精度高，气缸作为驱动力源，驱动力大，动作简单。
一种快速热处理有机玻璃门自动升降机构

[发明专利]360kV高频高压倍加器均压结构-CN200810224639.2无效
发明人：伍三忠;谢均宇;刘仁杰 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于360kv高压倍加器的均压结构，包括9级均压环，9对球状固定栓，上金属圆盘和下金属圆盘。高压倍加器的电路板两端分别固定在上下金属圆盘上，在上下金属圆盘之间均匀分布9级均压环，各均压环分别用绝缘绑带固定在倍加器电路板上。在每级均压环正对倍压整流板的正中打螺孔，通过双球状固定栓固定引出引线接到倍压整流板上。本发明针对新型无油设计的高压倍加器，设计简洁，装配简单。有效实现均匀分配高压倍加器两端360kv的高压，有效抑制了倍加器由于不均匀高压分布引起的空间放电现象。
360 kv 高频高压倍加器均压结构

[发明专利]一种晶片传递系统布置方式-CN200810224645.8无效
发明人：龙会跃;郭健辉;钟新华 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明是针对快速退火炉的晶片传送系统的要求，提出了一种能实现快速、平稳的传送晶片方式，它主要包括三维运动机械手、送片站、受片站、密封圈及冷却台，特别适用于快速退火炉这类热处理装置，属于半导体制造领域。
一种晶片传递系统布置方式

[发明专利]离子注入机分子泵电源新型控制方式-CN200810224644.3无效
发明人：金则军;易文杰;胡东京 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明是用于各种新型的离子注入机上的分子泵电源控制器，离子注入机属于半导体器件制造领域。现在半导体芯片的制程越来越小，半导体芯片生产线对离子注入机的真空要求越来越高，新型的离子注入机的高真空一部分用分子泵来抽取，国内的分子泵电源控制器对分子泵的转速控制处理不好，而国外的产品虽然性能较优良，但是价钱又很高，为国内多数生产厂家所不可接受。
离子注入分子电源新型控制方式

[发明专利]一种快速热处理炉用的晶片冷却台-CN200810224648.1无效
发明人：唐景庭;袁卫华;龙会跃 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片冷却台，涉及快速热处理炉，属于半导体制造领域。该结构包括：本发明采用一支柱与圆柱环连接，圆环上三个石英顶针拖放晶片，冷却氮气从支柱上的终端接头进入支柱内的通孔中，再从腔体与内空的圆柱腔体体中网孔板中吹送到晶片背面，气流淋浴冷却晶片，同时冷却台上装有一个光电耦合开关，通过继电器互锁自动检测晶片是否在冷却台上。本发明晶片冷却迅速，冷却均匀性好，光电耦合开关能检测晶片在位状态。
一种快速热处理晶片冷却

[发明专利]一种高能离子注入机加速器设计方式-CN200810224646.2无效
发明人：唐景庭;孙勇;彭立波 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高能离子注入机加速器，该加速器包括以下部分：十个加速电极、一抑制电极、十一个卡圈、十个绝缘环、一低压法兰、一高压法兰、八根拉杆、十一个均压环、一接线杆。十个加速电极与低压法兰、绝缘环通过拉杆连接在一起；低压法兰端设有一个抑制电极；相邻各个加速电极之间用绝缘环隔离，采用密封圈真空密封；均压环为圆环形金属管，用卡圈固定于各加速电极的外缘。本发明最大特点是加速能力强，并采用等梯度工作方式，使电场更加均匀，加速电极采用迷宫式组合结构，有效防止带电粒子在加速过程中打到加速器的绝缘内壁上而造成的污染。
一种高能离子注入加速器设计方式

[发明专利]一种采用数字计数器调节灯管功率的方法-CN200810224643.9无效
发明人：伍三忠;孙雪萍;彭彬 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H05B41/36 文献下载
摘要：本发明是一种采用数字计数器无级调整灯管功率的方法。特别适用于采用大功率可控硅的装置，如快速退火炉等，用途非常广泛。该技术主要的核心部件是Intel公司的8254芯片，通过对8254芯片的编程可以实现无级调整灯管的功率。包括：过零检测电路，定时/计数电路，信号调整电路及执行电路。本发明可以无级调整灯管的功率，工作稳定可靠。
一种采用数字计数器调节灯管功率方法

[发明专利]一种靶盘冷却装置-CN200810224647.7无效
发明人：孙勇;彭立波;胡振东 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种靶盘冷却装置，该装置包括了一靶盘体、一环形铜管、一固定块、两连接螺钉、两密封圈。所述的靶盘体有冷却液进口和出口，冷却液在靶盘体内流动，然后流出靶盘体，流进环形铜管，并流回靶盘体，最后从出口流到散热器。环形铜管安装在靶盘体的凹槽中。通过循环的冷却液带走靶盘的热量，从而降低晶片的温度。说明书对装置工作原理进行了详细的说明。并给出了具体的实施方案。
一种冷却装置

[实用新型]抽真空的气体静压径向轴承-CN200820124096.2有效
发明人：胡振东;彭立波;田小海 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： F16C32/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抽真空的气体静压径向轴承包括：轴套上的压缩气体进气孔，大气孔，初级抽气孔，二级的抽气孔和气槽。压缩气体从进气孔进入，在轴和轴承之间的间隙形成压力气膜，压力气膜支撑轴。
真空气体静压径向轴承

[发明专利]一种精确测量离子束束斑宽度的检测系统及方法-CN200710175964.X无效
发明人：唐景庭;邱小莎;龙会跃;伍三忠;郭健辉;钟新华 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确测量离子束束斑宽度的装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体集成电路器件制造领域。该装置包括移动法拉第杯，剂量采样法拉第杯、剂量检测器、数控扫描发生器、电机运动控制器、控制计算机。由计算机协调各部分动作并进行控制。测量方法包括移动法拉第杯沿水平方向穿过靶室；在移动法拉第杯停顿的每个位置点，对离子束流进行采样；采样信号经剂量检测器进行放大和模数转换后送给控制计算机存储；控制计算机同时记录对应的移动法拉第杯位置编码；在移动法拉第杯水平穿过整个靶室后，控制计算机根据得到的位置和束流数据计算出离子束斑的宽度值，计算公式为：W＝p2-p1，p1-移动法拉第杯第一次采样到半束流的位置值；p2-移动法拉第杯第二次采样到半束流的位置值。本发明能够自动实现离子束斑宽度的精确测量，精度达7μm。
一种精确测量离子束宽度检测系统方法

[发明专利]SG3525在离子注入机开关电源中的应用-CN200710175967.3无效
发明人：伍三忠;金则军;龙会跃;钟新华;邱小莎 -专利权人： 北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H02M7/527 文献下载
摘要：本发明是用于新型离子注入机上的开关电源控制器，离子注入机中使用的电源绝大多数是开关电源，老型号的离子注入机中开关电源稳定性不高，而新型的开关电源需要的频率很高，响应速度很快。本发明使用美国硅通用电气公司的第二代脉宽调制器SG3525来驱动新型离子注入机上的开关电源的各种高频功率放大管。
sg3525 离子注入开关电源中的应用