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[发明专利]一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法-CN201911084206.6有效
发明人： 包文中;郭晓娇;张海马;周鹏;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
一种基于全硅基掩膜版薄膜器件制备方法

[发明专利]一种基于二维半导体材料的光电二极管及其制备方法-CN202310907092.0在审
发明人： 包文中;王蝶;王馨雨 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-07-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于二维半导体材料的光电二极管及其制备方法。本发明为垂直结构器件，由N型半导体材料为衬底，结合多层P型二维半导体材料作为感光单元形成具有快速光电响应的光电二极管；选用具有短波近红外光电响应的P型二维半导体材料，选用分别接触P型和N型半导体材料的不对称接触电极，再结合环形金属接触电极结构设计，大大提高其光电探测的性能。制备方法包括：N型半导体基底处理；多层P型二维半导体材料的制备；无掩膜光刻制备N型与p型不对称接触电极；隔绝各部分的绝缘层的制备。本发明设计和制备的光电二极管，在室温环境下，具有响应速度快、量子效率高、探测范围广等优点。
一种基于二维半导体材料光电二极管及其制备方法

[发明专利]基于异质集成的叠层2T1C-DRAM存储器件及其制备方法-CN202310564445.1在审
发明人：万景;谢辉;肖凯;周鹏;包文中 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于MoS2‑Si异质集成的叠层2T1C动态随机存储器件及其制备方法。本发明动态随机存储器件，其下层为建立在绝缘层上硅衬底上的NMOS，作为读晶体管工作，上层为MoS2‑MOSFET，作为写晶体管工作；两个晶体管的源极金属以及两者间的介质层共同构成MIM电容，同时MoS2‑FET的源极金属直接与SOI‑FET的栅极金属连接。本发明将硅基2T1C‑DRAM的写晶体管用MoS2‑FET替代，并使其垂直堆叠在读晶体管上，形成叠层结构，减小了存储单元面积；由于MoS2的禁带宽度更大，写晶体管闭电流减小，存储单元的数据存储时间提高。本发明存储器件集成度高、存储时间长、功耗低，可应用于高性能动态存储器领域。
基于集成 t1c dram 存储器件及其制备方法

[发明专利]一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置-CN201811047890.6有效
发明人： 包文中;昝武;郭晓娇;胡荣民;周鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。本发明装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。
一种辅助硬通孔掩膜版样品进行精确对准装置

[发明专利]基于共源共栅电路的高增益异质放大器及其制备方法-CN202310564444.7在审
发明人：万景;田甜;周鹏;包文中 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于SOI—石墨烯共源共栅电路的高增益异质放大器及其制备方法。本发明益异质放大器包括：衬底、氧化埋层、顶层硅沟道区、氧化层隔离区，以及在沟道区上的栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触，和在氧化层隔离区上的石墨烯沟道区、栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触。本发明在共源共栅电路的基础上采用SOI—石墨烯异质结，器件输入端栅极连接石墨烯，利用石墨烯的高gm，输出端连接SOI晶体管的高输出电阻，以提高输出电阻、提高电压和功率增益；器件工艺成本更低，可应用于射频晶体管。
基于共源共栅电路增益放大器及其制备方法

[发明专利]双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法-CN202310564446.6在审
发明人：万景;肖凯;谢辉;周鹏;包文中 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明属于存储器技术领域，具体为一种双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法。本发明存储器件由基于硅衬底的读晶体管与二维材料写晶体管在垂直方向上堆叠而成；其中，通过绝缘层与写晶体管的栅氧化层刻蚀形成上下晶体管互连通道，使写晶体管源/漏极金属与读晶体管栅极金属相连；下方的读晶体管具有与MOSFET的对称物理结构，在栅极以及侧墙的掩蔽作用下，通过与MOSFET的自对准离子注入工艺在沟道上形成掺杂和阴极/阳极掺杂区域。本发明器件具有优异的电学性能，结构紧凑，工艺与传统CMOS兼容，且解决了传统硅基器件漏电过高的问题，可应用于4F2高性能高带宽的3D存储应用领域。
双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法

[发明专利]基于场效应正反馈晶体管的光电脉冲神经元及其制备方法-CN202310564453.6在审
发明人：万景;陈颖欣;周鹏;包文中 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明属于脉冲神经网络技术领域，具体为基于场效应正反馈晶体管的光电脉冲神经元及其制备方法。本发明光电脉冲神经元由半导体场效应正反馈晶体管与二维光电器件集合组成，包括衬底、氧化埋层、第一沟道区、栅氧化层、正栅极、第一源极掺杂区、第一漏极掺杂区、二维材料第二沟道区，以及第一源极金属接触、第一漏极金属接触、正栅极金属接触、衬底金属接触、第二源极金属接触和第二漏极金属接触。半导体场效应正反馈晶体管通过单个晶体管实现脉冲神经元的积累释放特性，可降低硬件开销和能耗。光电脉冲神经元具有光调控脉冲频率的功能，为实现高集成密度、低功耗和功能丰富的神经形态芯片提供新方案。
基于场效应正反馈晶体管光电脉冲神经元及其制备方法

[发明专利]基于绝缘衬底上硅-二维材料异质集成光电探测器及其制备方法-CN202310568101.8在审
发明人：万景;张伟;周鹏;包文中 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于绝缘衬底上硅‑二维材料异质集成光电探测器及其制备方法。本发明光电探测器由基于绝缘层上硅的场效应晶体管A和基于二维薄膜材料的场效应晶体管B组合而成；晶体管A与晶体管B物理位置呈纵向垂直分布；晶体管A中的栅极与晶体管B中的漏极之间连通；晶体管B用作光探测，产生电信号通过二维二极管与晶体管A构成的高增益输出；探测过程使晶体管A阈值电压下降，沟道区电导增加，导致漏极电流的显著提升，实现一步光电探测。本发明将沟道材料从硅替换为二维材料实现量子效率的大幅提高，并具有泄漏电流低、寄生电容小，背栅电压调节等优势，此外可同时实现探测和放大信号功能，大大简化探测系统复杂度。
基于绝缘衬底二维材料集成光电探测器及其制备方法

[发明专利]光伏电站清洗频率的动态调整方法及存储介质-CN202010160551.X有效
发明人：徐斐;包文中;夏潇;徐建荣 -专利权人：苏州瑞得恩工业物联网科技有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06Q10/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏电站清洗频率的动态调整方法及存储介质，本发明先通过将每日清洗的光伏阵列功率数据预测得到的标准功率，并再使用每日清洗的光伏阵列与不清洗的光伏阵列之间的功率差进行学习并预测得到功率差百分比的数据，所述功率差变化代表该地区光伏面板发电效率受灰尘的影响情况；采集面板得到实时功率并计算与对应标准功率的功率差百分比，并通过比较两次百分比的大小，判定是否需要清洗。该清洗频次的调整方法通过功率差的比较，增加了判定的可靠性，并且可以降低清洗成本，同时增加净收益。并且在预测的时候，样本中加入空气数据，使得预测的结果更加的准确，排除天气的突发情况对面板功率的影响。
电站清洗频率动态调整方法存储介质

[实用新型]一种无胆防绒面料-CN202223371750.9有效
发明人：洪秀藜;聂世营;黄丽卿;包文中;乐小红 -专利权人：伯希和户外运动集团股份有限公司;福建省向兴纺织科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B32B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无胆防绒面料，其包括面料主体层，面料主体层采用由经纱及纬纱上下相互交错而成的平纹组织，其中，经纱选用20D‑30D的尼龙面料，纬纱选用20D‑30D的尼龙中空纱包覆20D氨纶纱。本实用新型利用氨纶纱具有较强的回复性，使面料更加的紧致，从而达到优异的防针孔漏绒效果，当针车在面料上来回车缝时，其产生的针孔通过氨纶较强的回复性而能够及时恢复原状，从而防止针孔漏绒，当面料进行水洗时，尼龙中空纱的中空部分会产生一定的收缩，从而提升防止针孔漏绒的效果，特别是在氨纶纱的收缩情况下，其效果会更加明显。面料主体层选用平纹组织的原因是其他的组织结构不利于达到无胆防绒的要求。
一种无胆防绒面料

[实用新型]一种细旦耐磨面料-CN202223288760.6有效
发明人：张汉洪;洪秀藜;乐小红;黄丽卿;包文中 -专利权人：福建省向兴纺织科技有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种细旦耐磨面料，其包括面料主体层、耐磨层、及抗紫外线层，耐磨层设置在最外层，抗紫外线层设置在耐磨层与面料主体层之间，面料主体层是由经纱及纬纱上下相互交错而成的平纹组织，经纱及纬纱均为10D‑15D尼龙包覆20D氨纶纱，经纱密度为280T‑300T，纬纱密度为170T‑190T。面料主体层的氨纶的成分比例大于尼龙的成分比例，其整体的纱线弹力较大，面料主体层采用平纹组织，并使用高密度的组合方式，能够使布面更加的平整，降低摩擦系数，提升面料的耐磨性能，面料主体层上设置抗紫外线层可使面料具备防紫外线的功能，耐磨层能够提升面料的耐磨性能。
一种耐磨面料

[实用新型]一种混纤弹性面料-CN202223371816.4有效
发明人： 包文中;王慧聪;洪秀藜;乐小红;张汉洪 -专利权人：铁血君客（北京）电子商务有限公司;福建省向兴纺织科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： D03D15/283 文献下载
摘要：本实用新型公开一种混纤弹性面料，其由经纱和纬纱相互交错织造而成，经纱选用30D‑50D的涤纶DTY纤维与涤纶FDY纤维两种纤维复合而成，纬纱包括30D‑50D的涤纶DTY纤维与30D‑50D的T400纤维或T800纤维。对面料的组织结构进行设计，使其集凉感、拒水及弹性的功能于一体。经纱利用涤纶DTY纤维与涤纶FDY纤维的沸缩不一致，染色时，因收缩不一致在面料的表面产生绒感，提升面料的棉感，纬纱的两种纤维染色时，颜色会呈现出不一样的颜色，且由于纬纱两种纤维的沸缩不一样，染色时，会由于收缩不一致，在表面产生绒感，具有仿棉的效果，将经纱及纬纱相互交错织造后形成的布料集弹性、仿棉及双色彩等效果于一体。
一种弹性面料

[发明专利]一种湿法刻蚀单面基板的装置-CN201911084203.2有效
发明人： 包文中;郭晓娇;胡荣民;周鹏;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于湿法刻蚀技术领域，具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器；其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成；溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器；防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置，具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势，能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
一种湿法刻蚀单面装置

[发明专利]一种基于柔性材料的模拟卷积神经网络-CN202010281231.X有效
发明人：马顺利;吴天祥;包文中;任俊彦 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-04-11 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明属于集成电路与计算机技术领域，具体为一种基于柔性材料的模拟卷积神经网络。本发明模拟卷积神经网络的电路结构包括：数模转化器，具有矫正模块，提供权重值；计算单元和运算单元完成神经网络处理；每个运算单元通过输入信号与数模转换器输出的权重值完成乘加运算和处理，运算的结果输出给对应的计算单元的输入端；各个计算单元各自输出不同的输出，作为最终的判断结果。该神经网络可以处理模拟信号，并且采用存算一体的非冯诺依曼体系结构，突破以往的技术限制。并且应用于柔性材料上，具有良好的拓展性，适用于各种的应用场景。
一种基于柔性材料模拟卷积神经网络

[实用新型]一种定型机的预烘干机构-CN202223258891.X有效
发明人：黄丽卿;洪秀藜;包文中;乐小红;张汉洪 -专利权人：福建省向兴纺织科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： F26B13/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种定型机的预烘干机构，其包括：料槽、轧车、烘箱、多个上罗拉及多个下罗拉，料槽设置在轧车的前端，轧车设置在烘箱的前端，多个上罗拉可拆卸的固定设置在烘箱的上部，多个下罗拉可拆卸的固定设置在烘箱的下部，调节罗拉设置在上罗拉与下罗拉之间，所述烘箱为封闭箱体，烘箱的前端设有进布口，烘箱的后端设有出布口，所述下罗拉至少包括一进料罗拉及一出料罗拉，进料罗拉对应烘箱的进布口设置，出料罗拉对应烘箱的出布口设置。本实用新型通过设置预烘干机构，使布料在进入定型机前处于微干状态，从而避免因布料太湿而污染定型机造成需要拆卸定型机被染色的部件，从而提高定型机的产能，避免能源浪费。
一种定型烘干机构

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