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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于分配气体的装置和用于处理基板的装置-CN201780045233.5有效
发明人：尹镐彬;辛昇澈;刘真赫;赵炳夏 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于基板处理设备的气体喷雾器及基板处理设备，其包括：等离子体产生部，用于产生等离子体，以便在由基板支撑部支撑的基板上执行处理工艺；接地体，接地体与等离子体产生部耦接；以及等离子体屏蔽部，用于屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体，其中，等离子体产生部包括：第一电极，用于产生等离子体；以及第二电极，第二电极在与第一电极间隔开的位置处耦接至接地体，以便在第二电极和第一电极之间的空间中形成用于喷射工艺气体的气体喷射空间，并且其中，等离子体屏蔽部从基板的内部和/或外部屏蔽由等离子体产生部产生的等离子体。
用于分配气体装置处理

[发明专利]基板处理装置-CN201780052825.X有效
发明人：辛昇澈;刘真赫;李敏秀;崔东焕 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种基板处理装置可包括：第一盘，其设置在腔室中并且被配置为执行转动运动，第一盘包括周期性地布置在距中心轴的特定半径内的多个座孔；多个第二盘，其分别设置在座孔中并且被配置为根据第一盘的转动运动进行绕转及旋转运动；第一旋转连接器结构，其设置在第二盘和座孔之间，以允许第二盘的旋转运动及与第二盘的电连接；静电卡盘，其设置在第二盘上并配置成使用通过第一旋转连接器结构提供的电力保持基板；第一磁性齿轮，其固定到第二盘并配置成在第二盘上施加扭矩；和第二磁性齿轮，其设置在腔室中，以与第一磁性齿轮相互作用但被阻止转动。
处理装置

[发明专利]基板处理设备-CN201780015704.8有效
发明人：金世英;权秀泳;刘真赫;赵炳夏;千珉镐;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理设备，用于喷射源气体和反应气体，所述设备包括：第一排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第一废气；第二排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第二废气；捕获装置，安装在第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排出穿过捕获装置的第一废气和穿过第二排放管路的第二废气。
处理设备

[发明专利]半导体器件-CN201710286361.0有效
发明人：金润载;金哲;孙龙勋;刘真赫;郑宇陈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括具有有源图案的衬底、交叉有源图案的导电图案、在导电图案的至少一个侧表面上的间隔物结构、以及在导电图案上的封盖结构。封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案设置在第一封盖图案的顶表面和间隔物结构的顶表面上。
半导体器件

[发明专利]基板处理方法-CN201580066608.7有效
发明人：辛昇澈;刘真赫;千珉镐;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：公开了一种基板处理方法，包括：朝着被容置在反应腔室中的基板注入包括含有硅的源材料的气体；通过产生包括氧基团的等离子体将所述源材料沉积在所述基板上以形成沉积膜；和通过注入包括氧基团的等离子体气体执行所述沉积膜的表面处理。
处理方法

[发明专利]半导体器件-CN201810170688.6有效
发明人：金润载;金东权;金镐永;刘真赫;郑宇陈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。
半导体器件

[发明专利]基板处理装置和用于真空的旋转电连接器-CN201880035582.3在审
发明人：尹镐彬;辛昇澈;刘真赫 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种基板处理装置包括：盘，包括在自中心轴的恒定半径处周期性地设置的多个静电吸盘；支撑盘的盘支架；DC线，通过盘支架电连接到多个静电吸盘；及电源，被配置为向DC线供电。DC线包括：第一DC线，从电源穿过盘支架；配电单元，被配置为分配第一DC线以将第一DC线连接到多个静电吸盘中的每一个静电吸盘；多个第二DC线，在配电单元中分别连接到多个静电吸盘。
静电吸盘盘支架配电单元电源基板处理装置恒定电连接支撑盘中心轴配置穿过供电分配

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201680061579.X在审
发明人：千珉镐;刘真赫;黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本发明实施例的基板处理装置可以包括：处理腔室；基板支撑部，安装在所述处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑部沿一定方向旋转；腔室盖，覆盖所述处理腔室的顶部以与所述基板支撑部相对；以及气体分配单元，安装在腔室盖中以在空间上分离不同的第一气体和第二气体并将在空间上分离的所述第一气体和所述第二气体分配到所述多个基板。所述基板支撑部可以包括：第一盘，被设置成可旋转；以及至少一个第二盘，设置在所述第一盘上，以根据所述第一盘的旋转而围绕所述第一盘的中心旋转和绕转，所述多个基板设置在所述至少一个第二盘上。
基板支撑部处理腔室多个基板基板处理装置腔室盖气体分配单元方向旋转基板处理气体分配中心旋转可旋转绕转覆盖支撑

[发明专利]异质结型太阳能电池及其制造方法-CN201080058536.9无效
发明人： 刘真赫 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2010-01-01 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结型太阳能电池及其制造方法，该电池包括具有预定极性的半导体晶片，形成于半导体晶片的一个表面之上的第一半导体层，形成于半导体晶片的另一表面之上的第二半导体层，形成于第一半导体层之上的第一电极，形成于第二半导体层之上的第二电极，以及第一介面层及第二介面层中的至少一个介面层。其中，容纳有氧化锌的第一介面层形成于第一半导体层与第一电极之间，容纳有氧化锌的第二介面层形成于第二半导体层与第二电极之间。第二半导体层与第一半导体层的极性不相同。本发明通过形成介面层，以使得可能防止电极的材料渗透入半导体层之中，并且收集半导体晶片之中的载子且将收集的载子平稳漂移至电极，由此提高电池效率。
异质结型太阳能电池及其制造方法

[发明专利]使用振幅调制射频功率的缝隙填充方法及其设备-CN200710106820.9有效
发明人：韩政勋;刘真赫;金映绿 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种填充衬底上的缝隙的方法包括：将上面形成有所述缝隙的所述衬底放置在腔室中的基座上；向所述腔室施加源功率以向所述腔室中产生等离子；向所述腔室中供应过程气体；通过向所述基座施加第一偏压功率而向缝隙中填充薄膜，所述第一偏压功率的振幅受到周期性调制；停止供应所述过程气体并切断所述第一偏压功率；和去除所述腔室中的所述等离子。
使用振幅调制射频功率缝隙填充方法及其设备

[发明专利]抽真空系统及其驱动方法、具有此系统的装置和使用此系统转移基板的方法-CN200510053512.5无效
发明人：金洪习;朴贤洙;郑淳彬;车城昊;金东珍;黄郁重;刘真赫 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明涉及一种装置，该装置包括：一转移单元，该转移单元处于大气条件之下且其中具有一机械手；和至少一个处理腔室，该处理腔室连接到转移单元的一侧且在该处理腔室与该转移单元之间具有一槽阀，且可交替地处于真空条件和大气条件之下。
真空系统及其驱动方法具有装置使用转移

[发明专利]一种用于半导体装置的设备-CN200410045521.5无效
发明人：韩政勋;李永锡;郑淳彬;李政范;金哲植;全昌烨;高在亿;金映录;沈成垠;李龙炫;刘真赫;姜大凤 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种用于一个半导体装置的设备，其包括：一个具有上部分及下部分之室，所述下部分的体积大于所述上部分的体积；一个位于所述室内的感受器，所述感受器在其上表面具有一个基板；一个将生产气体注入所述室的注入器；一个位于所述室上的线圈组；一个与所述线圈组相连的射频电源；和一个通过所述室的排气口。
一种用于半导体装置设备

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