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[发明专利]一种嵌埋陶瓷线路板的制作方法及嵌埋陶瓷线路板-CN202110224393.4在审
发明人：杨智伟;梁望球;陈博谦;张陈;陈锦标;任远;许毅钦;刘宁炀 -专利权人：鹤山市世拓电子科技有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌埋陶瓷线路板的制作方法及嵌埋陶瓷线路板，方法包括：制作贯穿地开孔的PCB基板；将陶瓷模块嵌埋进所述PCB基板的开孔后与所述PCB基板粘接；所述陶瓷模块的厚度不小于所述PCB基板的厚度；处理所述陶瓷模块的两侧外表面，使得所述陶瓷模块和所述PCB基板的两侧外表面相平；在所述陶瓷模块上贯穿地打孔；在所述陶瓷模块的开孔内设置第一线路，以及，在所述PCB基板和所述陶瓷模块的两侧外表面分别设置第二线路，所述第一线路连接两个不同侧面的所述第二线路。本发明提供的方法用于制作嵌埋陶瓷线路板，陶瓷表面的线路与PCB基板表面线路相连接；以及，嵌埋的陶瓷内部有导通孔，能实现上下表面线路的连通，有利于PCB的高度集成并提升高频性能。
一种陶瓷线路板制作方法

[发明专利]一种防燃电池组-CN202110410674.9在审
发明人：陈博谦;陈锦标;任远;许毅钦;刘宁炀 -专利权人：鹤山市世拓电子科技有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本发明提供了一种防燃电池组，包括：设置于电池组外壳内的导热绝缘液，电芯完全浸没在所述导热绝缘液内；第一导热管，所述第一导热管的一部分设置于所述电池组外壳外部和/或所述电池组外壳表面，另一部分设置于所述电池组外壳内部且与各个所述电芯接触；第二导热管，所述第二导热管的一部分设置于所述电池组外壳外部和/或所述电池组外壳表面，另一部分设置于所述电池组外壳内部且浸入所述导热绝缘液中。本发明通过第一导热管为电芯散热，以及，通过导热绝缘液和第二导热管降低电芯热失效带来的风险——一方面，导热绝缘液可以将电芯析出的锂单质包裹，隔绝空气和水；另一方面通过相变吸热，强化了热传输，降低了温度。
一种电池组

[发明专利]一种防燃电池组-CN202011474293.9在审
发明人：陈博谦;陈锦标;任远;许毅钦;刘宁炀 -专利权人：鹤山市世拓电子科技有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本发明提供了一种防燃电池组，包括：设置于电池组外壳内的导热绝缘液，电芯完全浸没在所述导热绝缘液内；第一导热管，所述第一导热管的一部分设置于所述电池组外壳外部和/或所述电池组外壳表面，另一部分设置于所述电池组外壳内部且与各个所述电芯接触；第二导热管，所述第二导热管的一部分设置于所述电池组外壳外部和/或所述电池组外壳表面，另一部分设置于所述电池组外壳内部且浸入所述导热绝缘液中。本发明通过第一导热管为电芯散热，以及，通过导热绝缘液和第二导热管降低电芯热失效带来的风险——一方面，导热绝缘液可以将电芯析出的锂单质包裹，隔绝空气和水；另一方面通过相变吸热，强化了热传输，降低了温度。
一种电池组

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202011358715.6在审
发明人：曾昭烩;董斌;陈志涛;左秉鑫;刘宁炀;李祈昕;李叶林;任远 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED芯片及其制作方法，涉及LED技术领域。该LED芯片包括衬底；位于衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层一侧的发光层，其中，发光层包括N型层；位于发光层一侧的反射镜层，反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层；位于反射镜层一侧的P型电极以及与N型层连接的N型电极，P型电极与N型电极间隔设置。本申请提供的LED芯片及其制作方法具有器件性能更好的效果。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种倒装MOSFET器件及其制作方法-CN202011207956.0在审
发明人：董斌;陈博谦;陈志涛;刘珠明;刘宁炀;曾昭烩;李祈昕 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装MOSFET器件及其制作方法，其中，倒装MOSFET器件包括从上至下依次层设的氧化镓衬底、n型掺杂氧化镓层、n型重掺杂氧化镓层、二氧化硅钝化层、氧化铝介质层、键合层和氮化铝导热层；所述n型重掺杂氧化镓层和所述二氧化硅钝化层之间设有源电极和漏电极，所述氧化铝介质层上设有栅电极；所述氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳结构阵列形成的散热结构，所述微纳结构的横截面尺寸为微米级或纳米级。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀有微纳结构阵列，提高了散热效率。相比于电子器件散热器，本发明在器件的设计阶段预留散热窗口，在保证大功率器件寿命以及可靠性的前提下，缩短了器件的开发时间，降低了器件的研发成本。
一种倒装 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制作方法-CN202011207957.5在审
发明人：董斌;刘珠明;陈博谦;陈志涛;刘宁炀;李叶林;任远 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓基MOSFET器件，其包括氧化镓基体，所述氧化镓基体包括氧化镓衬底，所述的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳尺寸的光子晶体孔形成的阵列，所述光子晶体孔内设有高导热率半导体材料，所述高导热率半导体材料为AlN、SiC、金刚石中的一种。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀微纳尺寸的光子晶体孔阵列，利用具有光子晶体效应的微纳孔结构来调控器件的散热效果，提高辐射带宽和辐射效率，从而提高散热效果。同时，本发明还在光子晶体孔内设置了高导热率半导体材料，进一步提高了器件的导热效率。本发明针对氧化镓导热性差的问题，通过对器件中导热和散热传输路径的双重优化，实现了有效降低器件结温的效果。
一种氧化 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种位错缺陷分析方法-CN202011007004.4在审
发明人：任远;刘宁炀;王君君;何晨光;陈志涛;程川 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种位错缺陷分析方法，涉及半导体材料位错分析技术领域。首先利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在待分析样品的表面形成氧化物薄层；其中，待分析样品包括缺陷区与非缺陷区，且缺陷区的氧化物薄层的厚度大于非缺陷区的氧化物薄层的厚度，然后将待分析样品置于酸性溶液中，并利用酸性溶液腐蚀去除氧化物薄层，以在缺陷区的位置形成缺陷坑，最后依据缺陷坑的数量与位置对待分析样品的位错缺陷进行分析。本申请提供的位错缺陷分析方法具有能够更加方便的实现位错缺陷分析的效果。
一种缺陷分析方法

[实用新型]一种光电器件结构-CN201922263062.2有效
发明人：王巧;刘宁炀;梁锡辉;卢瀚仑;王君君;林丹 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电器件结构，涉及半导体光电技术领域。该光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlxGa1‑xN量子垒层、p型电子阻挡层、p型半导体层以及接触层，且0.01≤xy≤1；其中，发光有源区中的第一个AlGaN量子垒层靠近n型半导体层设置，发光有源区中的最后一个量子阱层靠近最后一个AlxGa1‑xN量子垒层设置，且多个AlGaN量子垒层与最后一个AlxGa1‑xN量子垒层均为铝组分渐变层。本申请提供的光电器件结构具有提升了量子效率与发光效率的优点。
一种光电器件结构

[发明专利]一种器件性能判断方法与装置-CN201810399157.4有效
发明人：王巧;陈志涛;刘宁炀;张康;王君君;曾巧玉;林丹;郭秀珍 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种器件性能判断方法与装置，涉及器件测试技术领域。通过在低温状态下对器件进电致发光测量，从而获取该器件在低温状态下的不同温度的第一内量子效率随工作电流的变化曲线；同时在低温状态下对器件进行变温光致发光测量，并获取不同温度的第二内量子效率，依据处于相同温度时第一内量子效率与第二内量子效率的比值计算器件的注入效率，并生成不同温度下的注入效率变化曲线；依据注入效率变化曲线与预设定的性能判断规则判断器件的性能。本发明提供的器件性能判断方法与装置具有能够实现在低温状态下对器件性能的检测且更加准确的优点。
一种器件性能判断方法装置

[实用新型]一种芯片结构-CN201922074484.5有效
发明人：任远;刘宁炀;李祈昕;李成果;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片结构，涉及半导体技术领域。该芯片结构包括衬底与衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；功能电极设置于功能层远离衬底的一侧；其中，多个功能层中的任意一层设置有通孔；该芯片结构还包括检测电极，检测电极安装于通孔。本申请提供的芯片结构具有能够区分出不同功能层的缺陷性质、物理机制和对芯片特性影响的效果。
一种芯片结构

[发明专利]一种LED发光器件及其制备方法、辐照处理装置-CN201911276990.0在审
发明人： 刘宁炀;王君君;陈志涛;曾昭烩;李祈昕;李叶林;董斌 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED发光器件及其制备方法、辐照处理装置，涉及半导体器件制备技术领域，包括在衬底上依次生长外延结构层并制备电极，以形成LED芯片；采用辐照源对LED芯片进行辐照处理，辐照能量范围在0～50MeV之间，辐照剂量范围在0～200Mrad‑Si；对辐照处理后的LED芯片进行封装，得到LED发光器件。通过在未对LED芯片进行整体封装的阶段，对LED芯片进行辐照处理，能够提高LED发光器件中P型接触层的载流子浓度，提高LED发光器件的空穴载流子注入效率并降低工作电压，由于辐照能够打断局部化学键，化学势引起的价带变化能够使得有源区内非辐射复合中心数量减少，从而提高LED发光器件的辐射复合效率，进而使得采用这种方法制备的LED发光器件的发光效率得到提升。
一种 led 发光器件及其制备方法辐照处理装置

[发明专利]一种光电器件结构及其制作方法-CN201911297257.7在审
发明人：王巧;刘宁炀;梁锡辉;卢瀚仑;王君君;林丹 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电器件结构及其制作方法，涉及半导体光电技术领域。该光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlxGa1‑xN量子垒层、p型电子阻挡层、p型半导体层以及接触层，且0.01≤x<y≤1；其中，发光有源区中的第一个AlGaN量子垒层靠近n型半导体层设置，发光有源区中的最后一个量子阱层靠近最后一个AlxGa1‑xN量子垒层设置，且多个AlGaN量子垒层与最后一个AlxGa1‑xN量子垒层均为铝组分渐变层。本申请提供的光电器件结构及其制作方法具有提升了量子效率与发光效率的优点。
一种光电器件结构及其制作方法

[发明专利]一种测定LED寿命的方法及装置-CN201711450634.7有效
发明人：王巧;陈志涛;刘宁炀;王君君;贺龙飞;林丹;胡金花 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体照明及光电测试技术领域，提供一种测定LED寿命的方法及装置，所述方法包括：获取测试样本在第一条件下的测量数据；根据所述测量数据，拟合出所述测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线；根据所述测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出所述内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将所述预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。本发明中，测试样本的测量数据的获取操作简单、测试耗时短，整个测试可以在一天或数小时内完成，与现有技术需要7～10天相比，测试效率有极大地提升。
预设测试样本内量子效率测量数据变化曲线光电测试技术半导体照明测试测试效率第一条件温度设置预设电流阈值时拟合耗时试验

[发明专利]一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管及其制备方法-CN201911214633.1在审
发明人：贺龙飞;赵维;张康;何晨光;吴华龙;刘宁炀;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述紫外发光二极管包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlGaN层、发光有源区、插入层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中，所述插入层采用铝铟氮制成。所述紫外发光二极管能够尽可能阻挡电子向P层扩散，并保证空穴能够高效注入量子阱，提高器件的发光效率。
紫外发光二极管插入层铝铟氮衬底半导体技术领域空穴低温缓冲层发光有源区发光效率高温层接触层量子阱制备阻挡扩散生长保证

[发明专利]一种芯片结构及其制作与测试方法-CN201911175000.4在审
发明人：任远;刘宁炀;李祈昕;李成果;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片结构及其制作与测试方法，涉及半导体技术领域。该芯片结构包括衬底与衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；功能电极设置于功能层远离衬底的一侧；其中，多个功能层中的任意一层设置有通孔；该芯片结构还包括检测电极，检测电极安装于通孔。本申请提供的芯片结构及其制作与测试方法具有能够区分出不同功能层的缺陷性质、物理机制和对芯片特性影响的效果。
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