“内藤逹也”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]相位对焦图像传感器及其形成方法-CN201910492820.X有效
发明人：林永璨;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种相位对焦图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括图像捕获区和相位对焦区，所述半导体衬底图像捕获区内具有第一感光层，所述半导体衬底相位对焦区内具有第二感光层；位于半导体衬底图像捕获区表面的第一抗反射结构；位于半导体衬底相位对焦区表面的第二抗反射结构，第二抗反射结构的反射率大于第一抗反射结构；位于第一抗反射结构表面的第一滤光层，所述第一滤光层通过单色光；位于第二抗反射结构表面的第二滤光层，所述第二滤光层通过自然光。所述相位对焦图像传感器的性能得到提高。
相位对焦图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法、工作方法-CN201910339087.8有效
发明人：王亮;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区包括多个第一隔离区和多个第一像素区，所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间，所述第二区包括多个第二像素区和多个第二隔离区，所述第二隔离区位于相邻第二像素区之间；在所述衬底第一隔离区表面形成第一栅格层；在衬底第一像素区表面形成第一滤光层，所述第一滤光层位于第一栅格层之间；在衬底第二隔离区表面形成第二栅格层，所述第二栅格层顶部表面高于第一栅格层；在衬底第二像素区表面形成第二滤光层，所述第二滤光层位于第二栅格层之间，所述第二滤光层的厚度大于第一滤光层的厚度。所述方法提高了图像传感器的性能。
图像传感器及其形成方法工作

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811492963.2有效
发明人：王亮;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底；像素器件，位于所述半导体衬底内；按行排列的用于PDAF的滤色镜对，位于所述半导体衬底的表面，每行具有多个滤色镜对；其中，在每个滤色镜对的两个滤色镜中，位置偏向所在行的行中心位置的滤色镜的宽度大于位置远离所在行的行中心位置的滤色镜的宽度；其中，所述宽度的方向平行于行的延伸方向。本发明方案有助于补偿滤色镜的位置带来的影响，提高PDAF技术的聚焦效果。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法-CN201910641727.0在审
发明人：林永璨;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种背照式图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管以及浮置扩散区；在所述半导体衬底的正面形成金属薄膜，所述金属薄膜覆盖所述光电二极管；在所述金属薄膜的表面形成存储器件以及开关器件，所述存储器件经由所述开关器件与所述浮置扩散区电连接。本发明方案可以避免存储器件受到光线照射的影响。
存储器件金属薄膜衬底背照式图像传感器半导体浮置扩散区光电二极管开关器件表面形成光线照射电连接覆盖

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910385558.9在审
发明人：郭振;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底内具有光电二极管区；在所述第一表面形成半导体器件；在所述光电二极管区的所述第二表面形成施压层。本发明有助于促使光电二极管区内的电子进入所述半导体器件，以解决图像延迟，减小暗电流。
衬底光电二极管区半导体器件图像传感器第二表面第一表面光电二极管图像延迟暗电流减小施压

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910224033.7在审
发明人：林永璨;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
基底表面半导体结构附着力图形层侧壁表面顶部表面基底覆盖

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910362387.8在审
发明人：翟仁杰;内藤逹也;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一像素区、第二像素区以及位于第一像素区和第二像素区之间的隔离区；在所述衬底第一像素区内形成第一光电掺杂区；在所述衬底第二像素区内形成多个相互分立的第二光电掺杂区；在所述衬底隔离区内形成凹槽；在所述凹槽底部表面和侧壁表面形成导电层；在所述衬底第一像素区表面形成遮挡层。所述方法提高了图像传感器的性能。
衬底像素区图像传感器掺杂区像素凹槽底部表面表面形成侧壁表面导电层隔离区遮挡层分立隔离

[发明专利]PDAF图像传感器及其形成方法-CN201910239434.X在审
发明人：郭振;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种PDAF图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成用于PDAF的光电二极管对，每对光电二极管中的两个光电二极管之间具有隔离区域；在所述半导体衬底内形成栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部暴露出所述隔离区域的顶部表面；形成用于所述PDAF的传输栅极，所述传输栅极填充所述栅极沟槽；在所述传输栅极两侧的半导体衬底内，形成用于所述PDAF的成对的浮置扩散区。本发明方案可以减小单个PDAF图像传感器的面积，并且使传输栅极对沟道的控制能力增强，有助于提高成像质量。
传输栅极衬底光电二极管图像传感器半导体栅极沟槽隔离区域浮置扩散区顶部表面控制能力成对的沟道减小填充成像暴露

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910113326.8在审
发明人：王亮;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底；像素器件，位于所述半导体衬底内；按行排列的用于PDAF的滤色镜对，位于所述半导体衬底的表面，每行具有多个滤色镜对；其中，在每个滤色镜对的两个滤色镜中，位置偏向所在行的行中心位置的滤色镜的厚度小于位置远离所在行的行中心位置的滤色镜的厚度；其中，所述厚度的方向垂直于所述半导体衬底的表面。本发明方案有助于补偿滤色镜的位置带来的影响，提高PDAF技术的聚焦效果。
滤色镜衬底图像传感器半导体行中心按行排列方向垂直聚焦效果位置偏向位置远离像素器件

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811339172.6在审
发明人：王亮;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，其中，图像传感器包括：基底，所述基底包括第一相位对焦区和第二相位对焦区；位于所述基底的第一相位对焦区表面的第一相位对焦滤镜，所述第一相位对焦滤镜通过第一单色光；位于所述基底的第二相位对焦区表面的第二相位对焦滤镜，所述第二相位对焦滤镜通过第二单色光，所述第二单色光与第一单色光不同。所述图像传感器的使用范围较广。
对焦图像传感器单色光基底滤镜区表面

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810703456.2在审
发明人：王亮;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底；像素器件，位于所述半导体衬底内；防反射薄膜，覆盖所述半导体衬底；滤光器矩阵，堆叠于所述防反射薄膜上，每个所述滤光器矩阵包括多种不同颜色的滤光器；其中，所述防反射薄膜对应于不同颜色的滤光器的区域具有不同的厚度，且所述厚度根据对应的滤光器的颜色波长确定。本发明方案可以增加图像传感器对不同的光线的吸收效果，提高输出图像的色彩饱和度。
滤光器图像传感器防反射薄膜衬底半导体矩阵色彩饱和度输出图像像素器件颜色波长堆叠覆盖吸收

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810168637.X在审
发明人： 内藤逹也;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；自所述半导体衬底的正面对所述半导体衬底进行第一离子注入，以形成正面光电二极管掺杂区；自所述半导体衬底的背面对所述半导体衬底进行第二离子注入，以形成背面光电二极管掺杂区，其中，所述正面光电二极管掺杂区与所述背面光电二极管掺杂区连通。本发明方案可以提高图像传感器的灵敏度。
衬底半导体光电二极管掺杂区图像传感器背面离子灵敏度连通

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810052245.7在审
发明人：丁琦;黄晓橹;陈世杰;内藤逹也 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：基底，包括多个像素区域、及位于相邻像素区域之间的第一深沟槽隔离，每个像素区域设置有光电转换元件；滤光层，设置于基底第一表面，包括：格栅，具有多个开口，每个开口对应基底内一个像素区域，以及设置于开口内的滤色元件；多个像素区域包括作为相位检测像素的第一像素区域和第二像素区域，第一像素区域和第二像素区域中分别设置有第二深沟槽隔离，第二深沟槽隔离和光电转换元件在第一表面均具有光接收面，使得入射至第一像素区域和第二像素区域的光一部分入射至光电转换元件的光接收面、另一部分入射至第二深沟槽隔离的光接收面。
像素区域深沟槽隔离光电转换元件图像传感器光接收面基底入射开口第一表面相邻像素区域滤色元件相位检测滤光层格栅像素

1
共 13 条