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[发明专利]具有增加的有源面积的晶体管半导体芯片-CN202080043067.7在审
发明人：丹尼尔·詹纳·利希滕瓦尔纳;爱德华·罗伯特·范·布伦特 -专利权人： 克利公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：晶体管半导体芯片包括漂移层、第一介电层、第一金属化层、第二介电层、第二金属化层、第一多个电极以及第二多个电极。第一介电层在漂移层上方。第一金属化层在第一介电层上方，使得第一金属化层的至少一部分提供第一接触垫。第二介电层在第一金属化层上方。第二金属化层在第二介电层上方，使得第二金属化层的至少一部分提供第二接触垫并且第二金属化层与第一金属化层至少部分重叠。晶体管半导体芯片被配置为基于在第二接触垫处所提供的信号而在第一接触垫与第三接触垫之间选择性地传导电流。
具有增加有源面积晶体管半导体芯片

[发明专利]用于分割结晶材料的激光辅助方法-CN201980093259.6在审
发明人：马修·多诺弗里奥;约翰·埃德蒙;哈沙德·戈拉基亚 -专利权人： 克利公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于处理结晶基材以形成表面下激光损坏的多个图案的方法促进基材的随后的断裂，以产生厚度减小的第一和第二基材部分。多个表面下激光损坏图案的多组平行线可以彼此顺序散布，不同组的至少一些线彼此不交叉。某些实施方式包括具有彼此不平行的平行线组的多个表面下激光损坏图案，但每条线在垂直于基材的材料的六方晶体结构的1120方向的±5度内。进一步的方法包括形成以基材内的不同深度为中心的初始和随后的表面下激光损坏图案，其中激光损坏图案是对齐的并具有重叠的竖直范围。
用于分割结晶材料激光辅助方法

[发明专利]用于分割结晶材料的激光辅助方法-CN201980093258.1在审
发明人：马修·多诺弗里奥;约翰·埃德蒙;哈沙德·戈拉基亚;埃里克·梅耶尔 -专利权人： 克利公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种结晶材料处理方法，包括在第一平均深度位置形成表面下激光损坏以在基材内部形成从至少一个表面下激光损坏图案向外扩展的裂纹，随后成像基材的顶表面，分析图像以确定指示基材内的未断裂区的存在的条件，以及响应于该分析进行一个或多个动作。一个动作包括改变用于产生随后的激光损坏(在第二或随后的平均深度位置处)的指令集，而不必在第一深度位置处形成额外的损坏。另一动作包括在第一深度位置处形成额外的表面下激光损坏。用漫射光源照射基材表面，该漫射光源垂直于主基材平坦部布置并位于基材的第一侧，并且用位于基材的相对的第二侧的成像设备成像基材表面。
用于分割结晶材料激光辅助方法

[发明专利]包括倒装芯片发光二极管的发光设备-CN202110604945.4在审
发明人：迈克尔·约翰·贝格曼;马修·多诺弗里奥;彼得·斯考特·安德鲁斯;科林·布莱克利;特洛伊·古尔德;杰克·维优 -专利权人： 克利公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：公开了一种包括倒装芯片发光二极管的发光设备，倒装芯片发光二极管包括：多个半导体层，包括第一半导体层和第二半导体层，发光有源区域布置在第一半导体层与第二半导体层之间；多层反射器，被布置成接近于多个半导体层，包括金属反射器层和电介质反射器层，其中，电介质反射器层布置在金属反射器层与多个半导体层之间；钝化层，布置在金属反射器层与第一电接触和第二电接触之间；以及导电微接触的第一阵列，延伸通过钝化层并且提供第一电接触与第一半导体层之间的电通信；导电微接触的第二阵列，延伸通过钝化层并且提供第二电接触与第二半导体层之间的电通信；势垒层，包括布置在金属反射器层与钝化层之间的多个金属；多个半导体层形成台面。
包括倒装芯片发光二极管发光设备

[发明专利]用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法-CN201980087197.8在审
发明人：马修·多诺弗里奥;约翰·埃德蒙;华双·康;叶利夫·巴尔卡斯 -专利权人： 克利公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如800μm厚度)，其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂，以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进：(i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩；(ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体；和/或(iii)向晶体材料施加超声能量。
用于激光损伤区域分离晶体材料载体辅助方法

[发明专利]低光学损失倒装芯片固态照明设备-CN201680070374.8有效
发明人：迈克尔·约翰·贝格曼;马修·多诺弗里奥;彼得·斯考特·安德鲁斯;科林·布莱克利;特洛伊·古尔德;杰克·维优 -专利权人： 克利公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：倒装芯片LED(200)结合了多层反射器和沿着邻近于半导体层(211，212)的内表面(204)图案化(207)的透光基板(205)。多层反射器包括金属层(232)和包含导电过孔(231)的电介质层(230)。多层反射器的各部分在被钝化材料(240)覆盖的同时可以包围在包括有源区域(215)的LED台面(219)周围。图案化基板与多层反射器能够共同减少光学损失。接近于LED芯片的边缘的透光倒角材料能够实现利用发光材料的充分覆盖。芯片因焊料材料和/或接触的增加厚度而被升高，并且当反射性材料存在基台上时，芯片可以减少发光损失。用于利用发光材料涂覆芯片的方法包括下列一种或多种：成角度的喷涂、喷涂之前的倒角形成、模板岛状涂覆、以及可释放的胶带涂覆。
光学损失倒装芯片固态照明设备

[外观设计]功率半导体封装件-CN202030585753.X有效
发明人：库尔迪普·萨克塞纳 -专利权人： 克利公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： 10-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：功率半导体封装件。2.本外观设计产品的用途：用作功率半导体的封装件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图2。5.指定设计1为基本设计。
功率半导体封装

[发明专利]宽带隙半导体器件-CN201980049518.5在审
发明人：世亨·柳 -专利权人： 克利公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：金属氧化物半导体场效应晶体管包括：宽带隙衬底，在衬底上的宽带隙漂移层，漂移层中的多个结注入物，以及结注入物之间的JFET区域。JFET区域由JFET间隙限定，该间隙是相邻的结注入物之间的距离。JFET间隙在整个MOSFET器件中并不均匀。JFET区域被分成第一JFET子区域和第二JFET子区域，使得第一JFET子区域中的掺杂浓度不同于第二JFET子区域中的掺杂浓度。
宽带半导体器件

[发明专利]具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装-CN201980035067.X在审
发明人：罗尚·穆尔蒂;肯尼·M·戴维斯;杰-永·帕克;史小萌 -专利权人： 克利公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了包括发光二极管(LED)的固态发光装置，并且更具体地，公开了包括单独可控的LED芯片的封装LED。在一些实施例中，LED封装包括电连接件，其被配置为减少封装内的金属腐蚀；或者降低LED封装的总正向电压；或者为静电放电(ESD)芯片提供电路径。在一些实施例中，LED封装包括LED芯片阵列，每个LED芯片是单独可控的，使得可以选择性地激活或去激活单独的LED芯片或LED芯片的子组。可以在LED芯片阵列上设置单个波长转换元件，或者可以在阵列的一个或多个单独的LED芯片上设置分离的波长转换元件。代表性的LED封装对于需要具有可控亮度或适应性发射模式的高发光强度的应用可以是有益的。
具有单独可控发光二极管芯片封装

[发明专利]照明包装件-CN201810032301.0有效
发明人：西奥多·洛韦斯;埃里克·J·塔尔萨;斯滕·海克曼;贝恩德·凯勒;杰西·赖尔策;霍莫泽·本杰明 -专利权人： 克利公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本申请涉及照明包装件。包装件可包括在包装件密封体内折射和/或反射光的具有平坦表面的密封体。包装件可包括具有一个以上的LED(52)的基台(54)，以及位于LED和基台上的毯转换材料层(56)。密封体(58)可以位于基台上、位于LED上方，并且在密封体内反射的光将到达转换材料，光在此被吸收并且被全方向发射。当与具有半球形密封体或者透镜的常规包装件相比较时，反射光现可溢出密封体，从而允许有效的发射和更宽阔的发射轮廓。在特定实施方式中，LED包装件提供更高的芯片面积与LED包装件面积之比。通过使用具有平坦表面的密封体，LED包装件可提供各种特性与LED包装件比率之间独特的尺度关系，实现对不同应用的更大灵活性。
照明包装

[发明专利]高速、高效SiC功率模块-CN202011027498.2在审
发明人：姆里纳尔·K·达斯;亚当·巴克利;亨利·林;马塞洛·舒普巴赫 -专利权人： 克利公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请涉及高速、高效SiC功率模块。一种功率转换器模块，包括活性金属钎焊(AMB)衬底、功率转换器电路以及外壳。AMB衬底包括氮化铝基层、氮化铝基层的第一表面上的第一导电层以及氮化铝基层的与第一表面相对的第二表面上的第二导电层。功率转换器电路包括经由第一导电层彼此耦接的多个碳化硅开关部件。外壳设置在功率转换器电路和AMB衬底之上。通过使用具有氮化铝基层的AMB衬底，可在保持功率转换器模块的结构完整性的同时，显著改善功率转换器模块的散热性。
高速高效 sic 功率模块

[发明专利]具有光改变材料的发光二极管封装件-CN201980026488.6在审
发明人：凯尔·丹博斯基;德里克·米勒;杰克·维优;彼得·斯科特·安德鲁斯;贾斯珀·卡巴鲁;科林·布莱克利;杰西·雷赫策 -专利权人： 克利公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：公开了包括发光二极管(LED)的固态发光设备，并且更具体地公开了具有光改变材料的封装LED。光改变材料在具体配置中设置于LED封装件内，以对来自LED封装件内的LED芯片的光进行重新定向并且形成LED封装件的期望发射图案。光改变材料还可以阻止来自LED芯片的光在诸如大或宽角度发射的非期望方向上逸出。在各种配置中，光改变材料可以布置在与LED芯片邻近的发光材料上。LED封装件可以包括位于光改变材料和发光材料上的密封剂。
有光改变材料发光二极管封装

[发明专利]LED以及制造方法-CN201680006614.8有效
发明人：马修·多诺弗里奥;普里蒂希·卡尔;斯滕·海克曼;哈沙德·戈拉基亚;拉热维·阿查亚;尤瓦拉杰·多雷 -专利权人： 克利公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片，其可以造成使用较少步骤的更简单的制造过程。LED结构可以具有比传统LED芯片更少的层，所述层以三种不同的方式设置，以有效地制造和操作。所述LED芯片(50)包括有源LED结构(52)。一个选择是包括与相反掺杂层中的一个层相邻的介电反射层(60)，并且金属反射层(62)位于介电反射层(60)上，其中，介电(60)和/或金属(62)反射层延伸超过所述有源区域(52)的边缘。通过使介电层延伸，所述LED芯片可以通过反射更多的LED光以在期望的方向发射而以更高的效率发射。通过将金属反射层延伸超过有源区域的边缘，除了反射LED光以在期望的方向发射以外，金属反射层还可以用作电流扩散层和阻挡层。简化制造的其他选择是LED芯片包括自对准和/或自限制特征，简化了制造期间的蚀刻工艺。
led 以及制造方法

[发明专利]高电流、低切换损耗SiC功率模块-CN202010857239.6在审
发明人：姆里纳尔·K·达斯;亨利·林;马塞洛·舒普巴赫;约翰·威廉斯·帕尔穆尔 -专利权人： 克利公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了高电流、低切换损耗SiC功率模块。一种功率模块包括具有内部腔室的壳体和安装在壳体的内部腔室内的多个切换模块。切换模块互相连接并被配置为促进切换到负载的功率。切换模块中的每个包括至少一个晶体管和至少一个二极管。至少一个晶体管和至少一个二极管可以由宽带隙材料系统(诸如碳化硅(SiC))形成，从而当相比于常规功率模块时，允许该功率模块在高频率以及更低切换损耗下工作。
电流切换损耗 sic 功率模块

[发明专利]发光二极管的反射层-CN201980016062.2在审
发明人：迈克尔·切克;凯文·哈布雷恩 -专利权人： 克利公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：公开了一种具有高反射率的反射层的发光二极管(LED)芯片。该LED芯片可以包括有源LED结构，该有源LED结构包括在n型层和p型层之间的有源层。第一反射层与有源LED结构相邻，并且包括具有不同光学厚度的多个介电层。多个介电层可以包括不同厚度和组成的多个第一介电层和多个第二介电层。该LED芯片还可以包括第二反射层，该第二反射层包括穿过第一反射层的导电路径。粘合层可以设置在第一反射层和第二反射层之间。该粘合层可以包括金属氧化物，该金属氧化物促进提高粘合性并降低光学损耗。
发光二极管反射层

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