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[发明专利]具有感测放大器校准机制的存储电路-CN202211599841.X在审
发明人：林志昇;蔡富程;侯拓宏;苏建维;林育辉;赖志明 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储电路，所述存储电路包括但不限于：第一半感测放大器电路，通过第一位线连接到第一多个存储单元，且被配置成从所述第一多个存储单元中的每一者接收一个单位的模拟电信号，并基于所述第一半感测放大器电路的第一增益以及所述一个单位的模拟电信号的累积来生成与第一位线对应的第一半感测放大器输出信号；锁定码寄存器电路，被配置成接收锁定数据并生成数字锁定序列；以及源选择器电路，被配置成接收数字锁定序列并生成第一调节信号，以通过调节第一增益来调节与第一位线对应的第一半感测放大器输出信号。
有感放大器校准机制存储电路

[发明专利]半导体装置的制造方法与半导体装置-CN201710768125.2有效
发明人： 侯拓宏;潘正圣;刘邦轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法。包含场效晶体管装置的半导体装置包含基板与在基板上的二维材料所制成的通道结构。多个源极与漏极接触部分地形成于二维材料上。第一介电层至少部分地形成在通道结构上且至少部分地形成在源极与漏极接触上。第一介电层用以捕获多个电荷载子。第二介电层形成于第一介电层上，且栅极电极形成于第二介电层上。
半导体装置制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法-CN202111605366.8在审
发明人： 侯拓宏;胡博瑞;张哲嘉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法，包括第一电极、第二电极以及电荷捕捉层。第二电极位于第一电极上。电荷捕捉层位于第一电极与第二电极之间。电荷捕捉层包括第一区域与第二区域。第一区域具有第一掺质并靠近第一电极。第二区域具有第二掺质并靠近第二电极。本发明的电阻式随机存取存储器具有非线性电阻值且不需要额外的选择元件，因此，可缩小面积，进而达到高密度的三维堆叠式RRAM阵列。
电阻随机存取存储器制造方法及其操作方法

[发明专利]内存内计算单元-CN202010769141.5在审
发明人：林志昇;苏建维;侯拓宏;李思翰;蔡富程;林育辉 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种内存内计算单元，其包括存储单元电路、第一半导体组件、第二半导体组件以及第三半导体组件。第一半导体组件的第一端耦接至第一运算位线。第一半导体组件的控制端耦接至运算字线。第二半导体组件的控制端耦接至存储单元电路。第二半导体组件的第一端耦接至第一半导体组件的第二端。第三半导体组件的第一端耦接至第二半导体组件的第二端。第三半导体组件的第二端耦接至第二运算位线。第三半导体组件的控制端接收偏压电压。
内存计算单元

[发明专利]内存内运算器及其运算方法-CN202010237886.7在审
发明人：蔡富程;李亨元;林志昇;苏建维;侯拓宏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G06F1/3234 文献下载
摘要：本发明提供一种内存内运算器及其运算方法被提出。内存内运算器包括字线计算器、决策器以及感测放大器。字线计算器计算内存的被开启字线数量。决策器依据内存的被应用尺寸以及的至少其中之一来产生多个参考信号，参考信号用以设定分布范围中。感测放大器接收内存的读出信号，并依据参考信号来转换读出信号以获得运算结果，以降低功率的过度损耗。
内存运算器及其运算方法

[发明专利]电阻式存储器装置及其写入方法-CN201510724197.8有效
发明人： 侯拓宏;王怡婷 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，电阻式存储器装置包括电阻式记忆胞阵列以及控制单元。电阻式记忆胞阵列包括多个电阻式记忆胞。控制单元用以接收逻辑数据，判断逻辑数据的逻辑电平，并且从电阻式记忆胞当中选择一电阻式记忆胞。依据逻辑数据的逻辑电平，在写入期间，控制单元提供设定信号至电阻式记忆胞，或者提供重置信号至电阻式记忆胞。设定信号包括第一设定脉冲以及与第一设定脉冲极性相反的第二设定脉冲。重置信号包括第一重置脉冲以及与第一重置脉冲极性相反的第二重置脉冲。因此，本发明可以增加读取记忆胞时其状态判断的准确性。
电阻存储器装置及其写入方法

[发明专利]二维材料的制作方法-CN201710303263.3有效
发明人： 侯拓宏;黄俊宏 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明二维材料的制作方法，包含以下步骤：于基板上形成具有至少一二维材料元素的薄膜；于薄膜上形成至少一包覆层；于包覆层形成后将薄膜进行退火，以形成二维材料膜。
二维材料制作方法

[发明专利]神经网络处理系统-CN201710455266.9有效
发明人： 侯拓宏;张志丞;刘仁杰 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种神经网络处理系统，包括至少一突触，突触接收一输入信号，突触具有一外部权重值及一内部权重值，内部权重值会经由外部刺激而产生变化，当内部权重值的变化累积至一临界值时，会同时改变外部权重值，使得输入信号乘上突触的外部权重值会产生一权重信号，一神经元电路连接突触，以接收突触所传输的权重信号，并可计算这些权重信号以输出。本发明可以同时加速深度学习中的预测及学习功能，并可实现高精确度且具即时学习能力的硬件神经网络。
神经网络处理系统

[发明专利]自整流电阻式随机存储器存储单元结构-CN201410524680.7有效
发明人： 侯拓宏;徐崇威;周群策 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种自整流电阻式随机存储器(RRAM)存储单元结构。上述RRAM存储单元结构包括一第一电极；一绝缘体‑金属转变材料层，设置于上述第一电极上；一阻障层，设置于上述绝缘体‑金属转变材料层上；一第二电极，设置于上述阻障层上，其中上述绝缘体‑金属转变材料层通过上述阻障层与上述第二电极隔开。本发明提升了电阻式非易失性存储器装置的可靠度。
绝缘体存储单元结构金属转变材料层阻障层电阻式随机存储器第二电极第一电极自整流电阻式非易失性存储器可靠度隔开

[发明专利]记忆体式装置-CN201811442109.5在审
发明人： 侯拓宏;张志丞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：一种记忆体式装置包括第一接线、第二接线、电阻器及处理器。输入信号从第一接线经由电阻器传输到第二接线。处理器从第二接线中的一个接线接收输入信号的总和值，并且通过非线性激活函数偏移总和值以产生偏移的总和值。处理器基于偏移的总和值及目标值来计算反向传播值，并且基于反向传播值及输入信号的对应输入信号来产生脉冲数量。对应输入信号的值及反向传播值中的每一个高于或等于阈值。处理器基于脉冲数量将电压脉冲施加到关于对应输入信号的电阻器中的一个电阻器。
接线电阻器处理器反向传播偏移脉冲接收输入信号电压脉冲激活函数施加传输

[发明专利]自整流电阻式随机存取存储器存储单元结构及3D交错阵列-CN201410461333.4有效
发明人： 侯拓宏;徐崇威;周群策;赖韦利 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种自整流电阻式随机存取存储器存储单元结构RRAM及3D交错阵列，该存储单元结构包括由第一金属元素的氮化物所构成的一第一电极层、由与第一金属元素不同的第二金属元素所构成的一第二电极层以及一第一电阻转换层与一第二电阻转换层，其中第一电阻转换层夹设于第一电极层与第二电阻转换层之间，且第二电阻转换层夹设于第一电阻转换层与第二电极层之间，且第一电阻转换层具有一第一能隙，第二电阻转换层具有一第二能隙，第一能隙小于第二能隙。本发明的存储单元结构不需中间金属层，且具有自限流及自整流的特性，可方便制造RRAM 3D交错阵列，并解决潜电流问题。
整流电阻随机存取存储器存储单元结构交错阵列

[发明专利]电阻式存储器装置及其写入方法-CN201310665231.X有效
发明人： 侯拓宏;徐崇威;陈玫瑾 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式存储器装置及其写入方法，其中，电阻式存储器装置包括存储单元阵列以及存储器控制器。存储器控制器在设定期间及重置期间的其一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第一位元线电压及未选中字线第一字线电压，其中，第一位元线电压等于写入电压V_W乘以(n‑1)/n，第一字线电压等于V_W×1/n。存储器控制器在设定期间及重置期间的另一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于V_W×1/n，第二字线电压等于V_W×(n‑1)/n。
字线电压选中线电压位元电阻式存储器装置电阻式存储单元存储器控制器未连接未选中字线重置期间位元线写入存储单元阵列写入电压

[发明专利]电阻式存储装置、电阻式存储装置的操作方法-CN201410041741.4有效
发明人： 侯拓宏;徐崇威;周群策 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式存储装置、电阻式存储装置的操作方法，该电阻式存储装置包括：一具有多个垂直结构的3D存储单元阵列，3D存储单元阵列的存储单元位于上述垂直结构的侧壁，上述存储单元的第一部分施加一第一电压，使第一部分的存储单元作为工作存储器，上述存储单元的第二部分施加一第二电压，使第二部分的存储单元作为储存存储器。此外，本发明的第一部分存储单元在温度为90℃～100℃的可靠度可大于1015，可作为一工作存储装置，且第二部分存储单元有较佳的持久度，使其持久度足够好可作为一储存存储装置。
存储单元电阻式存储装置存储单元阵列垂直结构存储装置持久度施加储存存储器工作存储器可靠度侧壁储存

[发明专利]电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法-CN201610863789.2在审
发明人： 侯拓宏;胡博瑞;张哲嘉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法，包括第一电极、第二电极以及电荷捕捉层。第二电极位于第一电极上。电荷捕捉层位于第一电极与第二电极之间。电荷捕捉层包括第一区域与第二区域。第一区域具有第一掺质并靠近第一电极。第二区域具有第二掺质并靠近第二电极。本发明的电阻式随机存取存储器具有非线性电阻值且不需要额外的选择元件，因此，可缩小面积，进而达到高密度的三维堆叠式RRAM阵列。
电阻随机存取存储器制造方法及其操作方法

[发明专利]自整流RRAM存储单元结构及其3D交错阵列-CN201310597357.8有效
发明人： 侯拓宏;徐崇威;王怡婷 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自整流RRAM存储单元结构及其3D交错阵列，该存储单元结构包含一第一电极层，由一第一金属元素形成；一第二电极层，由一与该第一金属元素不同的第二金属元素形成；一第一电阻转换层及一第二电阻转换层夹设于该第一电极层及该第二电极层之间，其中该第一电阻转换层及该第二电阻转换层形成一欧姆接触，且该第一电阻转换层具有一第一能隙，该第二电阻转换层具有一第二能隙，该第一能隙小于该第二能隙。通过本发明可较好的解决非易失性存储器在制造上的问题，尤其是3D交错阵列，使得3D交错阵列更易于实际应用。
整流 rram 存储单元结构及其交错阵列

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