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[发明专利]生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法-CN201611166965.3有效
发明人：李国强;高芳亮;温雷;张曙光;徐珍珠;韩晶磊;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本发明还公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
生长 si 衬底 inn 纳米外延及其制备方法

[发明专利]一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用-CN201811150347.9有效
发明人：李国强;徐珍珠;高芳亮;张曙光;温雷;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C25B11/093 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离，从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法，具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67~3.4 eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
一种 si 衬底 ingan 纳米 au 粒子复合结构及其制备方法应用

[发明专利]一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法-CN201911338817.9有效
发明人：李国强;余粤锋;刘兴江;高鹏;张志杰;林静 -专利权人：华南理工大学;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，公开了一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法。所述太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、GaAs外延层、第一石墨烯层、Au纳米颗粒层、第二石墨烯层，InGaN纳米柱阵列层、第三石墨烯层、Al2O3减反射层及在外围设置Au顶电极与第三石墨烯层接触。本发明利用能够发生等离激元效应的Au纳米颗粒层/Graphene复合表面作为子结结合结构，既提高整体光利用率，也实现了极高导电的子结间界面，从而提高GaAs太阳电池的转化效率。
一种基于范德瓦耳斯力结合 gaas ingan 太阳电池结构及其制备方法

[发明专利]一种生长在GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用-CN201911258032.0有效
发明人：李国强;林静;余粤锋;张志杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域，具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用GaAs作为(In)GaN纳米柱衬底，显著提高了纳米柱电极的导电性，有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；与此同时，新型的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
一种生长 gaas 衬底 in gan 纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用-CN201911259096.2有效
发明人：李国强;林静;余粤锋;张志杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于催化剂领域，具体公开了一种生长在Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底以及生长在Si衬底上的InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料。本发明制备的Ti‑Ni双金属纳米结构助催化剂具有更佳的可调性和协同效应，能增强InGaN纳米柱光生载流子分离与转移效率，提高反应活性位点，显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时，该制备方法工艺简单、成本低，为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67～3.4eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
一种 si 衬底 ingan 纳米 ti ni 粒子复合结构及其制备方法应用

[发明专利]提高量子点太阳电池效率的斜切衬底上多层量子点及制备-CN201810279433.3有效
发明人：张曙光;李国强;温雷;高芳亮;徐珍珠;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池的技术领域，公开了提高量子点太阳电池效率的斜切衬底上多层量子点及制备。斜切衬底上多层量子点，其特征在于：由下至上依次包括GaAs衬底，表面重构的GaAs层，GaAs缓冲层及多层量子点；GaAs衬底为斜切的GaAs衬底，斜切角为2～15°；所述多层量子点是由量子点层和GaAs盖层交替叠加而成，所述量子点层的层数≥1；所述GaAs缓冲层靠近多层量子点的量子点层。本发明引入斜切衬底，得到了均匀性较好，而且密度大的量子点；通过采用斜切衬底，抑制了量子点在生长过程中合并的现象，得到理想的多层量子点，拓宽对太阳光谱的利用范围，最终有效提高电池的光电效率。
提高量子太阳电池效率斜切衬底多层制备

[实用新型]一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱-CN201921779152.0有效
发明人：李国强;林静;余粤锋;张志杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱。该二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InxGa1‑xN纳米柱；其中0≤x≤1。本实用新型采用二维MXene作为衬底与InxGa1‑xN纳米柱之间的功能层，不仅拓宽了衬底的选择范围，降低了成本；还有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时避免了纳米柱在衬底上容易被刻蚀的缺点，提高其光电稳定性。总之，二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱在光电解水制氢、光电探测器、太阳能电池中具有重要应用前景。
一种二维 mxene 功能 inxga1 xn 纳米

[发明专利]一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法-CN202010516087.3在审
发明人：李国强;余粤锋;张志杰;林静 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au/Pt背电极、n掺杂Si基区、石墨烯层、银纳米颗粒阵列、n掺杂InGaP背反射层，n掺杂GaAs基区、石墨烯层以及Ag电极。本发明还公开了以上双结（Si/石墨烯）/（GaAs/石墨烯）肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的双结（Si/石墨烯）/（GaAs/石墨烯）肖特基结太阳电池，不仅制备工艺简单，器件生产成本较低，而且对环境污染较少，具有广阔应用前景。
一种具有界面离激元效应 gaas si 肖特基结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法-CN202010516129.3在审
发明人：李国强;张志杰;余粤锋;林静 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au背电极、Si衬底、石墨烯层、钯纳米颗粒、GaAs衬底、石墨烯层、银浆顶电极。本发明还公开了以上钯连接的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池，不仅制备工艺简单，器件生产成本较低，而且对环境污染较少，具有广阔应用前景。
一种连接 gaas si 肖特基结太阳电池及其制备方法

[发明专利]生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法-CN201810026832.9有效
发明人：高芳亮;李国强;徐珍珠;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于氮化物半导体器件技术领域，公开了生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片由下至上依次包括铜箔衬底、In‑Cu合金化金属层和InN纳米柱层。方法为(1)预处理；(2)采用分子束外延生长工艺，在铜箔衬底上沉积In，退火，得到In‑Cu合金化金属；(3)采用分子束外延生长工艺，衬底温度控制在400～700℃，在反应室的压力为4.0～10.0×10‑5Torr，V/III束流比值为20～40条件下，生长InN纳米柱。本发明的纳米柱直径均一，晶体质量高，减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，提高了载流子的辐射复合效率，提高氮化物器件发光效率。
生长铜箔衬底 inn 纳米外延及其制备方法

[实用新型]一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件-CN201921584421.8有效
发明人：李国强;余粤锋;林静;梁敬晗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能电池器件领域，公开了一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列层。所述肖特基结太阳电池器件包括由上至下依次设置的Ag顶电极、单层石墨烯层、InAs量子点阵列层、单层石墨烯层、GaAs衬底层和Au背电极。本实用新型通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯层，有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散，有效地抑制了量子点结构异化、失活的现象，有效的提升了由其制备的肖特基结太阳电池器件的性能。
一种远程外延结构肖特基结太阳电池器件

[发明专利]一种含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池及其制备方法-CN201911338917.1在审
发明人：李国强;张志杰;刘兴江;高鹏;余粤锋;林静 -专利权人：华南理工大学;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池，其结构由下至上依次为的Au背电极、GaAs衬底、CuSCN空穴传输层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuSCN空穴传输层的GaAs太阳电池的制备方法。本发明的GaAs太阳电池，不仅制备工艺简单，电池制备成本较低，而且光电转换效率高，能长时间稳定工作。
一种含有 cuscn 空穴传输 gaas 太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种含有CuS疏水层的GaAs太阳电池及其制备方法-CN201911338960.8在审
发明人：李国强;张志杰;刘兴江;高鹏;余粤锋;林静 -专利权人：华南理工大学;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有CuS疏水层的GaAs太阳电池及其制备方法。其结构由下至上依次为的Au底电极、GaAs衬底、CuS疏水层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuS疏水层的GaAs太阳电池的制备方法。一方CuS具有较好的疏水性，可以防止GaAs与水的接触，减少石墨烯在转移过程中引入的缺陷数量，提高载流子的寿命。另一方面，CuS具有较高的空穴迁移能力，同时对电子的运输起到一定的阻挡作用，这样有利于将光生的空穴和电子分开，减少光生电流的损失，提高电池的开路电压。本发明的GaAs太阳电池，不仅制备工艺简单，器件缺陷密度低，电池制备成本较低，而且光电转换效率高。
一种含有 cus 疏水 gaas 太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种InP-石墨烯太阳电池-CN201921584414.8有效
发明人：李国强;余粤锋;林静;梁敬晗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP‑石墨烯太阳电池。所述InP‑石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本实用新型在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。
一种 inp 石墨太阳电池

[发明专利]一种过渡金属掺杂的In-CN201911007670.5在审
发明人：李国强;林静;余粤锋;张志杰;梁敬晗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属掺杂的In
纳米柱过渡金属掺杂过渡金属衬底制备氧化反应动力学能级材料电子二次结构复杂结构工艺步骤工艺成本生长过程高晶体光电解水产氧水分解体掺杂异质结可控掺杂生长引入调控应用

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