专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于AI的电力设施巡视方法、系统、装置和存储介质-CN202310477871.1在审
  • 何源 - 重庆巨鹏电力安装工程有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-08-01 - G06Q10/20
  • 本申请涉及电力设施维护的领域,尤其是涉及一种基于AI的电力设施巡视方法、系统、装置和存储介质,包括获取配电设备的巡检信息,电力巡视系统能够基于巡检信息,判定配电设备是否需要整改;若是,基于待整改配电设备的巡检信息,确定配电设备的整改信息;若否,继续监测所述配电设备;能够便于工作人员对配电设施的巡视监测;获取维护人员信息,将整改信息和维护人员信息输入任务调配模型,输出目标维护人员;基于整改信息和目标维护人员信息生成整改任务,并发送至目标维护人员的客户端,维护人员直接按照整改任务前往指定位置对配电设备进行整改,提高工作人员对配电设备整改的效率。
  • 基于ai电力设施巡视方法系统装置存储介质
  • [发明专利]用于更快存储器存取区的设备及方法-CN202180077045.7在审
  • 何源;外山大吾;近藤力;长谷川武裕 - 美光科技公司
  • 2021-11-02 - 2023-08-01 - G11C11/4097
  • 本发明涉及用于更快存储器存取区的设备、系统及方法。存储器阵列可具有第一存储体,其具有比第二存储体大的存取速度。举例来说,所述第一存储体可具有比所述第二存储体减少的读取延时。所述第一存储体可具有结构差异,例如减小字线及/或减小全局输入/输出(GIO)线长度。在一些实施例中,所述第一及第二存储体可具有单独存储体垫、数据总线及数据端子。在一些实施例中,其可共享所述存储体垫、数据总线及数据端子。在一些实施例中,当接收到对所述第一(更快)存储体的存取命令同时对所述第二(更慢)存储体的存取命令仍在处理时,对所述更快存储体的存取可中断对所述更慢存储体的存取。
  • 用于存储器存取设备方法
  • [发明专利]一种翼型射频腔体的冷却系统及冷却方法-CN202111239963.3有效
  • 李晨星;张周礼;何源;徐显波;金晓凤;朱铁明;王锋锋 - 中国科学院近代物理研究所
  • 2021-10-25 - 2023-08-01 - H05H7/00
  • 本发明涉及一种翼型射频腔体的冷却系统及冷却方法。冷却系统包括:翼冷却通路,其沿周向在每两个相邻内腔相连处分布,贯通腔体的两端;壁冷却通路,包括角位壁冷却通路和边位壁冷却通路,壁冷却通路沿周向在大于翼冷却通路距离所述腔体中心的径向的外围分布,其中角位壁冷却通路在腔体横截面上位于角落处,边位壁冷却通路在腔体横截面上位于角落之间,角位壁冷却通路和边位壁冷却通路均贯通腔体的两端,并在腔体的一端处,相邻的角位壁冷却通路与边位壁冷却通路串联连接。本发明提高了RFQ腔体中电磁场在纵向的均匀性,使束流的传输更加接近设计情况,从而提高了束流品质和减小了束流损失,进而提高了整个离子加速器的稳定性与可靠性。
  • 一种射频冷却系统冷却方法
  • [实用新型]一种高功率束流下的同位素生产靶组件-CN202223323136.5有效
  • 何源;贾欢;蔡汉杰;张勋超;普能;秦元帅 - 中国科学院近代物理研究所
  • 2022-12-12 - 2023-08-01 - H05H6/00
  • 本实用新型涉及一种高功率束流下的同位素生产靶组件,包括:靶室,所述靶室由靶室前板、靶室后板、靶室上盖板、靶室下盖板及左右侧板组成,所述靶室前板和所述靶室后板上设置有若干呈阵列布置的靶窗;靶胶囊,数量若干,呈单层平面阵列排布或多层立体阵列排布,所述靶室内竖直间隔布置有若干靶室单元隔板,若干所述靶室单元隔板将所述靶室分隔成若干空腔,每个所述空腔内均布置有偶数片栅板,每个所述栅板上均开设有若干靶胶囊定位孔,每个所述靶室单元隔板上均设置有与所述栅板相对应的刻槽,若干所述靶胶囊呈阵列形式嵌入所述靶胶囊定位孔内,并通过所述刻槽进行限位固定;若干所述靶窗与束流在射入或射出端面上正对的所述靶胶囊一一对应布置。
  • 一种功率流下同位素生产组件
  • [发明专利]DRAM行复制-CN202310048695.X在审
  • 陆洋;何源;金康永 - 美光科技公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-25 - G06F3/06
  • 本公开涉及DRAM行复制。动态随机存取存储器采用正常行复制操作或快速行复制操作中的任一者或两者以将所选择数据从存储器的第一行复制到存储器的第二行,而不将所述数据传送到例如中央处理单元或存储器控制器等中间处理器。这两个操作均取决于DRAM的组内的两个单独字线的并发电激活。对于所述快速行复制操作,所述两个单独字线为具有共享位线的DRAM组的共享区段的部分。经由共同位线直接并行地复制位值。对于所述正常行复制操作,所述两个单独字线是共同组而不是共享区段的部分。经由所述组内的通用输入/输出总线串行地复制位值。
  • dram复制
  • [发明专利]一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的方法-CN202111086301.7有效
  • 杨自钦;何源;李世珍;李雪峰;吴安东;谢斌;初青伟;皇世春;谭腾 - 中国科学院近代物理研究所
  • 2021-09-16 - 2023-07-25 - H05H7/20
  • 本发明提供一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的方法。在超导腔内部对锡源进行局部加热的单电极直流结构包括:具有若干加速单元的超导腔,为Nb3Sn薄膜生长的衬底结构;一根加热电极,一端接正电极,另一端接负电极构成直流回路,贯通所述超导腔;锡源坩埚,所述超导腔的每一个加速单元内均放置有一个锡源坩埚,所述锡源坩埚位于所述加热电极上;温度热偶,用于测量所述超导腔内的温度。本发明能够对位于多加速单元超导腔内部的多个锡源进行局部加热,在每个加速单元内均实现超导腔与锡源的单独控温,使每一个加速单元均拥有相同的“超导腔‑锡源”温度组合,使超导腔与锡源单独控温的技术路线也能应用于高性能多加速单元Nb3Sn薄膜超导腔的研制,对Nb3Sn薄膜超导腔的工程化应用具有重要意义。
  • 一种超导内部进行局部加热方法
  • [实用新型]一种银行用四类业务库-CN202320709047.X有效
  • 董燕锋;戴锐壮;何源 - 深圳华付技术股份有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-07-25 - E05G1/10
  • 本实用新型提供一种银行用四类业务库,涉及四类业务库领域,包括库体,库体的正面安装有金库门,金库门的正面安装有显示器,显示器正面的顶部电性连接有双目人脸识别器,显示器的一侧电性连接有指纹识别器,金库门的正面靠近显示器的底部安装有转轮,金库门的正面设有锁门,锁门内的顶部和中部安装有机械密码锁,锁门内的底部安装有机械锁,金库门库库体由五块复合型墙板和1套A级金库门拼接成六面体,内部不锈钢仓柜分为三个带门独立储物层,也就是小型仓位和大型仓位,整个库体结构由多种材料的板材复合而成,具有抗火、防钻防切割的优点。
  • 一种银行用四类业务

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