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[发明专利]一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法-CN202111596776.0在审
发明人：修洋;何孝鑫;李书梦;吕毛串;张尼尼;顾凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法，包括以下步骤：步骤一，准备带有残胶液的半导体芯片制品，将制品转移至花篮中；步骤二，准备石英缸将有机溶剂导入石英缸中；步骤三，将装有残胶芯片的花篮转移至有机清洗溶剂中，进行去胶清洗；步骤四，通过工装夹具将去胶后装有芯片的花篮转移到下个槽体中进行上道残液清洗；步骤五，通过工装夹具将花篮转移至去离子水中进行循环冲洗，清洗上道残液及颗粒。本发明改善了传统贴膜保护正面金属的方式，在蒸镀前进行去胶清洗要求且要保护正面金属的方式时；增加了芯片镀膜前清洗的方式，该方法清洗的芯片满足客户要求且价格成本低廉，具有优良的综合性应用。
一种镀膜 al 制品清洗方法

[发明专利]一种MOSFET状态监测装置-CN202111174330.9在审
发明人：邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于MOSFET监测技术领域，尤其为一种MOSFET状态监测装置，包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地。本发明利用电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，同时利用MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体，结合两种方式的检测结果，可靠性更高。
一种 mosfet 状态监测装置

[发明专利]一种IGBT驱动装置-CN202111174341.7在审
发明人：倪侠;王全;邹有彪;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，尤其为一种I GBT驱动装置，包括IGBT管以及用于驱动IGBT管关断的IGBT驱动电路，所述IGBT驱动电路包括控制单元、滤波电路、放大模块、稳压模块、信号传输及检测电路和复位电路，所述信号传输及检测电路与滤波电路电连接，用于将接收到的电信号转换为光信号进行传输，再将光信号转换为电信号并对该电信号进行故障检测。本发明可避免在IGBT驱动信号有效的情况下复位驱动芯片所带来的IGBT损坏的风险，同时采用光电转换的方式将电信号转换为光信号进行信息传输，采用数据免受电磁干扰，数字误码率低，避免发生信息错误和信息丢失事故，大幅提高了IGBT工作及驱动信号故障检测的可靠性。
一种 igbt 驱动装置

[发明专利]一种IGBT过压保护装置-CN202111174249.0在审
发明人：倪侠;王全;邹有彪;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，尤其为一种IGBT过压保护装置，包括栅极驱动电路、IGBT、第一压敏电阻和第二压敏电阻，所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接，所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接，所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接，所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接，所述放电电阻通过反向设置的第一稳压二极管和第二稳压二极管与第一压敏电阻连接。本发明能够对IGBT栅极实施前级过电压保护，使IGBT保持在线性工作中，达到降低集电极发射极过电压效果，随着有源钳位的增加，能够使浪涌电压降低，利用压敏电阻的非线性特性承受过压时进行电压嵌位，对后级电路起到保护作用。
一种 igbt 保护装置

[发明专利]一种MOSFET电流检测装置-CN202111174250.3在审
发明人：邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明属于MOSFET电流检测技术领域，尤其为一种MOSFET电流检测装置，包括偏置采样电阻、电流采样电路、检测电路和比较电路，所述电流采样电路用于对偏置采样电阻进行电流采样，对电信号进行滤波、放大处理，并对过电压进行稳压，所述检测电路用于对经电流采样电路采集到的流经偏置采样电阻的电流数据进行检测。本发明通过外部偏置采样电阻与电感串联，能够检测连续电感电流，提供极佳的信噪比性能，并通过电流采样电路对检测到的电流信号进行滤波、放大处理，对过电压进行稳压，实现稳定、可靠的电流采样，在进行电流检测时利用比较电路将采集到的电流值与给定的基准值进行比较，利于实现精确限流和均流控制，提高电路效率。
一种 mosfet 电流检测装置

[发明专利]一种BOE腐蚀的工艺方法-CN201910701576.3有效
发明人：顾晶伟;邹有彪;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种BOE腐蚀的工艺方法，在光刻工艺的刻蚀过程中，通过将硅片在酸液中上下运动后减少腐蚀过程中依附在硅片上的气泡量，然后把片架整体提出液面1S，通过压力的快速变化，使依附在硅片上的气泡易于破碎，最后再将硅片放入酸液中继续上下运动，循环腐蚀12min，从而实现对硅片的腐蚀，同时，本发明中是通过BOE腐蚀槽来对硅片进行腐蚀，通过使腐蚀液循环流动，保持在腐蚀过程中内槽内各位置腐蚀液的浓度保持一致，同时，流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除，提升硅片腐蚀的一致性，降低腐蚀过程中生成的气泡对腐蚀效果的影响。
一种 boe 腐蚀工艺方法

[发明专利]一种基于蓝牙芯片的语音控制器-CN202011443262.7在审
发明人：邹有彪;倪侠;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于蓝牙芯片的语音控制器，包括防护盖、导向槽、安装板、扬声器、第一限位块、连接块、蓝牙模块、连接口、电源模块、控制器外壳、散热板、底板、第二限位块、卡块、语音识别模块、隔离圈、控制模块、挡板、弹簧、防护条、支撑板、伸缩杆、限位条和吸盘。导向槽和卡块利于防护盖的移动和固定，限位条可对防护盖底部限位加固，安装板和吸盘利于控制器外壳的固定，整个装置便于安装和拆卸；扬声器和语音识别模块利于整个装置的语音控制，连接块和控制模块利于整个装置的连接和使用，进行语音控制；支撑板和挡板可对防护盖一侧加固，防护条可对挡板上下两侧加固防护，弹簧和伸缩杆可对挡板减震保护，提高防护盖的防护效果。
一种基于蓝牙芯片语音控制器

[发明专利]一种蓝牙芯片-CN202011443061.7在审
发明人：邹有彪;倪侠;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种蓝牙芯片，包括下壳体、安装机构、连接机构和散热机构；所述安装机构包括底板、底座和第一活动架，所述底板顶部中央固接底座，所述底座两侧顶部均通过第一铰链活动连接第一活动架，所述底座顶部中央安装芯片本体，所述第一活动架顶端搭在芯片本体顶部，所述第一活动架底端表面设有第二固定螺栓，所述底座顶部两侧均开设第二螺纹槽，所述第二固定螺栓底端贯穿第一活动架延伸至第二螺纹槽内部，所述第一活动架顶端开设安装槽，所述安装槽内部设有若干第二弹簧，所述第二弹簧底部固接在第二挤压垫顶部。本申请提供了一种便于安装的蓝牙芯片及其生产方法。
一种蓝牙芯片

[发明专利]一种硅片化学腐蚀工艺-CN201910701555.1在审
发明人：黄元凯;邹有彪;何孝鑫;顾晶伟 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片化学腐蚀工艺，通过化学腐蚀的方式替代传统的研磨减薄，从而避免对硅片内部产生应力，避免在后期的生产流程中经过高温造成硅片隐裂的问题，具体的，是通过酸试腐蚀、酸腐蚀、碱试腐蚀与碱腐蚀这四步来对硅片进行腐蚀处理，本发明所述工艺在进行酸腐蚀与碱腐蚀之前，首先进行酸试腐蚀与碱试腐蚀，从而考虑到硅片的个体厚度不同以及腐蚀液使用时间以及温度等条件对腐蚀速率的影响，使腐蚀处理得到的硅片厚度更加一致，并且能够防止硅片出现腐蚀过度或者腐蚀不足的情况，使腐蚀程度能够更加准确的进行控制。
硅片腐蚀腐蚀处理碱腐蚀酸腐蚀化学腐蚀工艺腐蚀不足化学腐蚀生产流程研磨传统的腐蚀液减薄隐裂替代

[实用新型]一种新型可控硅封装结构-CN201721424267.9有效
发明人：陆益;刘宗贺;李超;刘宗帅;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型可控硅封装结构，包括中间陶瓷片以及通过粘合剂将使得中间陶瓷片与上陶瓷片和下陶瓷片连接；上陶瓷片上设有第一通孔，上陶瓷片上下两端面分别设有第一金属片，上下两端面的第一金属片通过第一通孔进行连接；中间陶瓷片上设有通孔，在通孔内放有可控硅芯片；下陶瓷片上设有第二通孔和第三通孔，下陶瓷片上下端面分别设有第二金属片和第三金属片，第二金属片连接可控硅芯片的阴极，第三金属片连接可控硅芯片的阳极；上下两端面的第二金属片通过第二通孔进行连接；上下两端面的第三金属片通过第三通孔进行连接。本实用新型中的可控硅封装结构具有结构紧凑、占用空间小和散热效果好的特点，进而提高芯片的稳定性和使用寿命。
一种新型可控硅封装结构

[实用新型]一种用于卧式扩散炉的手动推拉石英舟-CN201721425662.9有效
发明人：李超;刘宗贺;陆益;刘宗帅;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于卧式扩散炉的手动推拉石英舟，包括石英槽棒，石英槽棒的两端均与石英连接板相连接；石英连接板下端与支撑柱连接，位于石英槽棒两端的石英连接板上的支撑柱间焊接有石英承重棒，其中一石英连接板上的两支撑柱间焊接有挡柱，所述挡柱上安装有石英拉环。所述石英槽棒的长度方向上分布若干用于安装半导体晶圆的槽道。本实用新型通过石英槽棒与石英连接板相连接，增加石英槽棒与石英连接板间的接触面积，可有效避免石英舟在高温过程中产生的变形，降低了石英舟更换的频率，同时降低了制造成本；石英连接板通过支撑柱与承重棒连接，可使得石英舟处于架空状态，有效利用了石英管内有效恒温区长度，大大提高了生产效益。
一种用于卧式扩散手动推拉石英

[实用新型]一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构-CN201721425700.0有效
发明人：刘宗帅;刘宗贺;陆益;李超;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构，包括机构，机构内设有腔体，腔体内设有两L型连接轴和修正板，L型连接轴一端贯穿机构底部与气缸连接，另一端与修正板连接，修正板的下方设有坩埚；机构通过转轴安装有行星架，行星架与镀锅连接；镀锅在镀锅旋转轨道内进行滑动；镀锅旋转轨道上连接有四个升降轴，机构的侧壁安装用于固定镀锅旋转轨道的固定架。本实用新型通过修正板阻挡气态金属源对镀锅中心位置过度蒸发，并利用升降轴调整镀锅轨道高度，保证镀锅的内圈和外圈接收金属源气态的能量一致，进而使得硅片表面的镀膜均匀性好、致密性强，减少表面的粗糙度，减少硅片返工次数，同时提高了硅片的性能，节约成本。
一种用于提高金属镀膜均匀机构

[发明专利]一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法-CN201711050050.0在审
发明人：顾晶伟;刘宗贺;陆益;李超;刘宗帅;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明公开一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，包括如下步骤将硅片进行预处理，清洗烘干；硅片进行氧化；硅片单面进行匀胶；将涂敷光刻胶的硅片进行曝光；将曝光后的硅片进行显影；将硅片放入恒温烘箱中进行坚膜；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；对硅片进行去胶；将去胶后的硅片放进扩散炉中进行单面扩散。本发明通过曝光、显影和坚膜，并利用负性光刻胶的性质，可将硅片表面在匀胶时产生的胶丝、胶粒进行溶解，而匀胶面通过曝光，负性光刻胶产生交联聚合反应，在负胶显影液中不会去除，从而达到保护的作用，为后期腐蚀二氧化硅奠定了基础，减少了返工次数和制造成本，进而提高了工艺质量和制造效率。
一种用于降低光刻单面保护缺陷制造方法

[发明专利]一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构及其使用方法-CN201711047109.0在审
发明人：刘宗帅;刘宗贺;陆益;李超;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构，包括机构，机构内设有腔体，腔体内设有两L型连接轴和修正板，L型连接轴一端贯穿机构底部与气缸连接，另一端与修正板连接，修正板的下方设有坩埚；机构通过转轴安装有行星架，行星架与镀锅连接；镀锅在镀锅旋转轨道内进行滑动；镀锅旋转轨道上连接有四个升降轴，机构的侧壁安装用于固定镀锅旋转轨道的固定架。本发明通过修正板阻挡气态金属源对镀锅中心位置过度蒸发，并利用升降轴调整镀锅轨道高度，保证镀锅的内圈和外圈接收金属源气态的能量一致，进而使得硅片表面的镀膜均匀性好、致密性强，减少表面的粗糙度，减少硅片返工次数，同时提高了硅片的性能，节约成本。
一种用于提高金属镀膜均匀机构及其使用方法

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