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[发明专利]芯片夹具-CN201910887725.X有效
发明人：漆林;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种芯片夹具，该芯片夹具用于夹持芯片并浸入腐蚀溶液中以去除芯片的至少一部分。该芯片夹具包括：至少一个底座，包括底板以及沿所述底板上表面凸起的侧壁，所述底板的上表面放置芯片；至少一个压片，覆盖所述芯片上表面，并且沿着所述侧壁滑动，其中，所述压片和/或所述底座中设有至少一个通孔，所述芯片表面通过所述至少一个通孔暴露于腐蚀溶液中。该芯片夹具的通孔允许腐蚀溶液到达芯片表面，使得蚀刻持续进行，并且该芯片夹具的底座和压片用于夹持芯片，在蚀刻期间腐蚀溶液中产生反应气泡时保护芯片。
芯片夹具

[发明专利]用于分离堆叠封装结构中多个裸片的混合溶剂和方法-CN201910857793.1有效
发明人：漆林;仝金雨;李辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于分离堆叠封装结构中多个裸片的混合溶剂和方法。所述方法包括：制备混合溶剂；将所述混合溶剂加热至预定温度；将所述堆叠封装结构放入所述混合溶剂中，使得所述堆叠封装结构的保护层溶解于所述混合溶剂中将所述多个裸片彼此分离；以及清洗已经分离的所述多个裸片。该方法采用混合溶剂溶解堆叠封装结构中的保护层的方式分离多个裸片，从而可以在不损伤裸片结构完整性和焊盘的情况下分离堆叠封装结构中的多个裸片，并且大大缩短了分离时间，提升了效率。
用于分离堆叠封装结构中多个裸片混合溶剂方法

[发明专利]芯片封装结构-CN202111249288.2在审
发明人：徐齐;王超;锁志勇;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括：封装基板，封装基板的第一表面电连接有驱动芯片；应力分散层，设置于第一表面上并位于驱动芯片的外周，且在垂直于第一表面的方向上，应力分散层的厚度大于或等于驱动芯片的厚度；应力缓冲层，覆盖应力分散层并包裹驱动芯片；半导体芯片组，设置于应力缓冲层上并与第一表面电连接。本申请通过设置上述应力分散层，能够用于分散封装过程中半导体芯片组由于受到外力施加而产生的向下的应力，从而有效避免现有技术中应力集中在与应力缓冲层中与驱动芯片边缘对应的区域，所导致的半导体芯片组中底部芯片损坏，进而降低了半导体芯片组中芯片发生失效造成短路的风险，提高了芯片封装结构的性能。
芯片封装结构

[发明专利]目标晶粒的区分方法及封装芯片的失效分析方法-CN201910972839.4有效
发明人：李辉;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种目标晶粒的区分方法及封装芯片的失效分析方法，所述目标晶粒的区分方法包括：获取具有多颗晶粒的样品，其中至少一个晶粒为目标晶粒，且至少暴露各晶粒边缘的部分切割道区域；确定所述目标晶粒在所述样品中的位置；通过在部分晶粒边缘的切割道区域内形成激光标记，以区分所述目标晶粒和所述目标晶粒以外的晶粒；将所述多颗晶粒分离；根据各晶粒边缘的切割道区域内是否形成有所述激光标记，分辨出其中的目标晶粒。上述目标晶粒的区分方法能够提高区分效率，并且避免对目标晶粒造成损伤。
目标晶粒区分方法封装芯片失效分析

[发明专利]管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法-CN202111078535.7在审
发明人：漆林;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法，管芯包括衬底以及位于衬底上的器件层，失效分析方法包括：从管芯的背面，即衬底所在面，对管芯中的缺陷进行热点定位；从管芯的背面，去除衬底以暴露目标线路；以及在管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。堆叠封装芯片包括引线框、堆叠于引线框上的多个管芯、以及覆盖引线框和多个管芯的封装料，失效分析方法包括：对堆叠封装芯片进行电测量以确定故障管芯；若存在未进行失效分析的故障管芯，则重复执行失效分析步骤；失效分析步骤包括：去除引线框、封装料的一部分和/或管芯，直至暴露出首个未进行失效分析的故障管芯的衬底；采用管芯失效分析方法对故障管芯进行失效分析。
管芯失效分析方法堆叠封装芯片

[发明专利]一种金属硅化物的表征方法-CN201910887273.5有效
发明人：张正飞;魏强民;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属硅化物的表征方法和表征装置，该表征方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括硅衬底、金属栅极层以及形成于该金属栅极层与该硅衬底之间的金属硅化物；生成该半导体结构的电子能量损失谱；根据该电子能量损失谱，生成不同能量损失位置和能量宽度下的该硅衬底的等离子体峰的强度与该金属硅化物的等离子体峰的强度的第一比值曲线、该金属栅极层的等离子体峰的强度与该金属硅化物的等离子体峰的强度的第二比值曲线；根据该第一比值曲线和该第二比值曲线，选取相应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数；使用该检测参数对该半导体结构进行能量过滤透射电子显微镜检测，以表征该金属硅化物的表面形貌和分布情况。
一种金属硅表征方法

[发明专利]一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法-CN202010888606.9有效
发明人：卢倩文;杜晓琼;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，其中，所述晶片的获取方法包括：在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。
一种晶片获取方法半导体器件失效分析

[发明专利]一种封装芯片的测试方法-CN202011221789.5有效
发明人：漆林;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种封装芯片的测试方法，所述方法包括：提供待测试的封装芯片；确定所述封装芯片中的目标区域；所述目标区域内具有目标线路结构；去除位于目标区域上的封装材料，以形成暴露所述目标线路结构的开口；在所述开口内填充导电材料，以形成与所述目标线路结构导电连接的测试电极。
一种封装芯片测试方法

[发明专利]堆叠封装结构的失效分析方法及结构-CN201910847327.5有效
发明人：漆林;仝金雨;刘慧丽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种堆叠封装结构的失效分析方法及结构，所述堆叠封装结构包括堆叠且粘接在一起的多个裸片，所述多个裸片各自包括裸露的焊盘。所述失效分析方法包括：对所述堆叠封装结构进行电测量，以确认故障裸片；采用探针标记所述故障裸片的焊盘；将所述堆叠封装结构的多个裸片彼此分离；以及对已经标记的所述故障裸片进行失效分析。该失效分析方法从堆叠封装结构中定位和标记故障裸片，在堆叠封装结构的多个裸片分离之后能够快速的找到故障裸片，进一步定位故障裸片的内部位置，因而不仅降低了测试成本，而且提高了效率。
堆叠封装结构失效分析方法

[发明专利]栅极线短接位置检测方法-CN201711183488.6有效
发明人：宋哲;李品欢;李桂花;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极线短接位置检测方法，该方法包括：在待测对象中选择相邻的两条栅极线；从所述两条栅极线的一侧测试所述两条栅极线之间的电参数，得到第一电参数；根据电参数与栅极线长度的对应关系以及所述第一电参数的大小，估测所述两条栅极线的短接位置。相较于现有技术，本发明不需要破坏层叠区域即可估测出栅极线的短接位置，可以有效提高短接位置的检测效率。
栅极线短接位置检测方法

[发明专利]一种GOI失效点的检测方法-CN202010473520.X有效
发明人：卜丽丽;王君易;仝金雨;李桂花 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种GOI失效点的检测方法，包括：提供待测样品，待测样品包括衬底，衬底的表层包括多个浅沟槽隔离层及由浅沟槽隔离层隔离的多个实体部；覆盖表层的栅氧化层；位于栅氧化层背离衬底一侧的半导体层；及位于半导体层背离衬底一侧的金属连线层；将衬底背离栅氧化层一侧减薄，直至裸露浅沟槽隔离层；采用电子束照射衬底的裸露所述浅沟槽隔离层的一侧，并基于电压衬度分析法检测待测样品的GOI失效点。将衬底进行减薄直至裸露实体部，从而获取衬底裸露实体部一侧的电压衬度图像；由于无任何结构层对该实体部背离栅氧化层一侧进行遮挡，使得获取的电压衬度图像更加精确，进而保证基于电压衬度分析法对GOI失效点的检测更加精确。
一种 goi 失效检测方法

[发明专利]透射电镜放大倍率的评判方法和校准方法-CN201910875100.1有效
发明人：张正飞;魏强民;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种透射电镜放大倍率的评判方法，包括：提供一单晶硅样品；校准所述透射电镜的第一放大倍率，所述第一放大倍率大于单晶硅晶格分辨倍率；形成位于所述单晶硅样品上的多个小孔，并在所述第一放大倍率下测量所述多个小孔中至少两个小孔的孔间距，记为第一孔间距；在小于所述第一放大倍率的多个放大倍率下，测量各放大倍率中所述多个小孔中至少两个小孔的孔间距，记为第二孔间距；根据所述第一孔间距和所述第二孔间距，计算所述第二孔间距对应的放大倍率的第一准确度；比较所述第一准确度与第一阈值，在所述第一准确度小于所述第一阈值时评判所述第一准确度对应的放大倍率符合要求。
透射放大倍率评判方法校准

[发明专利]存储器及其获取方法、失效定位方法-CN201910250753.0有效
发明人：熊娇;李桂花;李辉;仝金雨;李品欢 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器及其获取方法、失效定位方法，在将存储器芯片暴露至位线上的介质层之后，在介质层上形成两个衬垫，并将双位线失效的两条位线通过电连线分别连接到这两个衬垫上，这样，就单独将这两条失效的位线建立了热点分析的回路，这两个衬垫用于偏置热点分析时的电压，从而，可以抓取到热点，实现双位线失效的快速精确定位。
存储器及其获取方法失效定位

[发明专利]测试样品及其制备方法-CN202010996909.2在审
发明人：李辉;漆林;邹锭;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种测试样品及其制备方法，通过提供待检测试样；其中，所述待检测试样包括：第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二介质层；所述第一介质层覆盖第一沟道的侧壁；将所述待检测试样中至少第一区域对应的部分所述第二介质层的材料替换为第一材料；其中，所述第一区域包括所述待检测试样中被疑似存在缺陷的区域；所述第一介质层和替换材料后的所述第二介质层在显微镜下的成像图像的衬度差大于预设衬度；对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理，得到测试样品；其中，所述测试样品用于通过所述显微镜进行缺陷检测。
测试样品及其制备方法

[实用新型]失效晶圆研磨装置-CN202020149574.6有效
发明人：李品欢;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种失效晶圆研磨装置，包括：研磨台，所述研磨台具有研磨面，用于对失效晶圆的待研磨表面进行研磨；研磨液自动滴定单元，用于在所述研磨台对失效晶圆的待研磨表面进行研磨时，向所述研磨台的研磨面上均匀的滴入研磨液。本实用新型的所述失效晶圆研磨装置包括研磨液自动滴定单元，所述研磨液自动滴定单元能在所述研磨台对失效晶圆的待研磨表面进行研磨时，向所述研磨台的研磨面上均匀的滴入研磨液，因而能准确的控制研磨液滴入的速率和滴入的量，避免人工滴入研磨液带来的研磨液浪费，并能提高对失效晶圆的研磨均匀性，当失效晶圆的背面在研磨时需要按压时，操作人员或检测人员可以双手对失效晶圆的背面进行按压，提高对失效晶圆研磨的均匀性。
失效研磨装置

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